单结晶体管的原理和特性

    单结管的伏安特性曲线示见图2。共分三个区——截止区、负阻区、饱和区。
    图3为单结管的工作原理图。在电路中让基极2(b2)比基极l(b1)电位较正，图中电源电压VBB的正极接b2、负极接b1;发射极接触发电压VE。
    即使单结晶体管处于截止区，从B1到B2仍有少量电流。沿着N型硅片存在着一个电压梯度VA。发射极电压VE等于启动或峰值电压VP(VP =VA+VD，VD为eb1之间的正向压降，一般约为0.6~0.7V。)，PN结是正偏置，单结晶体管导通。启动时，b1和E之间的电阻很快的降低，从b1到b2的电流增加，同时从E也有一个相当大的电流流出，使rb1为低阻态，管子也进入负阻区。VE低于低谷电压(VV)后，管子进入饱和区，使单结晶体管截止。发射极启动电压VP是由分压比η= rb1/rBB确定的。

 

 

  单结晶体管具有负阻特性，利用这一特性可以组成自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时电路等脉冲单元电路，被广泛应用于脉冲及数宇电路中。
    3.主要参数
    (1)基极间电阻Rbb发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2—10千欧，其数值随温度上升而增大。
    (2)分压比η由管子内部结构决定的常数，一般为0.3—0.85。
    (3)eb1间反向电压Vcb1b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
    (4)反向电流Ieob1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。
    (5)发射极饱和压降Veo在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。
    (6)峰点电流Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流