单结晶体管触发电路

在可控整流电路中，为使晶闸管在要求时刻导通，触发电路必须在每个正半波准确提供相同控制角触发脉冲串，而且控制角大小又可以人为调节，才能实现可控的目的。
触发电路种类繁多，此处介绍单结晶体管触发电路。

单结晶体管结构

• 基片：低电子浓度（两基极之间上下阻值很高，电流很小）、高电阻率的N型硅片，上下两端引出第二、第一基极（双基二极管），
• 硅片靠近上部烧结一片空穴浓度很高的P型硅片，引出发射极。
• 管子一共三个电极，一个PN结，称为单结晶体管。
• 下段电阻R_B1所得的电压与两基极之间电压的比值称为分压比。约0.5~0.9
• 使用时在发射极和第一基极之间加一个可调的正电压，将引起发射极电流，发射极电流和发射极电压之间的函数关系叫单结晶体管伏安特性。
• 当发射极电压为第一基极电压+0.6V时，PN结导通，此时发射极电压叫做峰点电压，对应的电流叫做峰点电流。
• PN结导通后，P片高浓度空穴注入N片第一基极位置，使第一基极位置的载流子浓度增加，电阻率减小，第一基极的电阻R_B1随即变小，出现伏安特性下降段的负阻区（电流增大，电压反而减小）。
• 发射极电压跌至最低的数值叫做谷点电压U_V，对应的电流叫做谷点电流，单结晶体管工作在谷点时，表明P区注入N区的载流子浓度