单结晶体管的导电特性_单结晶体管的结构及特性

单结晶体E2E-X5F1-Z管有三个电极，两个基极(第一基极bl、第二基极b2)和一个发射极e，因此也称为双基极二极管，其结构、等效电路、图形符号及其引脚如图6-55所示。

在一块高电阻率的N型硅半导体基片上，引出两个欧姆接触极：第一基极bl、第二基极b2，这两个基极之间的电阻Rb就是基片的电阻，其值约为2～12kQ。在两基片间，靠近b2处设法掺入P型杂质——铝，引出电极称为发射极e，e对bl或b2就是一个PN结，具有二极管的导电特性，又称双基极二极管。其等效电路如图6-55 (b)所示，图中Rbl、Rb2分别为发射极e与第一基极bl、第二基极b2之间的电阻。

单结晶体管的实验电路和伏安特性如图6-56所示。

(1)当Sl闭合S2断开时，/bb=0，二极管VD与Rbl组成串联电路，Ue与厶的关系曲线与二极管正向特性曲线接近。

(2)当Sl断开、S2闭合时，外加基极电压Ubb经过Rbl、Rb2分压，则A点对bl之间的电压U。

(3) Sl闭合S2也闭合，即单结晶体管加上一定的基极电压Ubb。

Ue从零开始逐渐增大，当Ue< UA时，二极管VD处于反偏，VD不寻通，只有很小的反向漏电流，如图6-56所示。

当Ue=UA时，二极管VD处于零偏，电流/e=0，如图6-56中的b点，管子仍处于截止状态。

当Ue再增大，UA< Ue< UA+UD时(UD为硅二极管的导通压降，一般为0.7V)，二极管VD开始正偏，但管子仍处于截止状态，只有很小的正向漏电流流过，即厶>0。

当Ue继续增大，达到Up值(图中P点)时，Up= UA+ UD，二极管充分导通，显著增大，当继续增大时，发射极P区的空穴不断地注入N区，与基片中的电子不断会合，使N区Rbl段中的载流子大量增加，使Rbl阻值迅速减小，UA降低，厶进一步增大，而厶的增大又进一步使Rbl减小，形成强烈的正反馈。随着厶的增大，UA降低，又由于Ue=UA+ UD，所以“不断减小，从而

得出单结晶体管的发射极e与第一基极bl之间的动态电阻AR。bl=A Ue/A/e为负值，这就是单结晶体管特有的负阻特性。如图6-56所示，在曲线上对应的P、V两点之间的区域，称为负阻区，坼称为峰点电压，Uv为谷点电压。

进入负阻区后，当厶继续增大，即注入到N区的空穴增大到一定量时，一部分空穴来不及与基区电子复合，从而剩余一部分空穴，使继续注入空六受到阻力，相当于Rbl变大，因此，在谷点V之后，单结晶体管工作工作状态由负阻区进入饱和区，恢复其正阻特性，这时乩随厶的增大而逐渐增大。显而易见，Uv是维持单结晶体管导通所需要的最小发射极电压，一旦出现Ue< Uv时，单结晶体管将重新截止，一般Uv为2～5V。

当Ubb改变时，UP也随之改变。这样，改变Ubb就可以得到一组伏安特性曲线。对晶闸管触发电路来说，最希望选用分压比玎较大、谷点电压U小一点的单结晶体管，从而使输出脉冲幅值及调节电阻范围比较宽。