高频mosfet电流管开关电流波形问题分析

   高频mosfet电流这里就用MOSFET代替BJT了，所以ids = ic，Vds=Vce，Coss也就是Cds代表输出电容。简单来说就是当MOS管一开始导通时输出电容Coss还保持Vds电压，随着Ids电流越来越大，Vds电压终于保持不住，开始下降。直到管子完全开启。比较详细的开启过程是由Miller Plateau造成的，这里借用了网上一些解释Miller Plateau的图，如果有不清楚的就请见谅了。
    阶段1，Vgs 《 Vth，管子是关断的，所以Ids = 0，Vds=high，ig充电Cgs。
    阶段2，Vgs 》 Vth，管子开启，Ids从0增加到iL被外部电流源电感钳住，Coss（Cds）上电压不能突变，保持Vds。
    阶段3，进入Miller plateau，Vgs 》 Vth，管子仍然保持开启，Coss开始discharge，Vds电压开始下降，于此同时Cgd开始被ig充电。Vg保持不变。
    阶段4，Vd下降到接近0点，ig继续给ig充电Cgs和Cgd充电。
    阶段5，Vg到达gate driver预定的电压，管子开启过程完成。
    关断过程和开启过程类似，也会有Miller plateau效应。
    我们可以看到，如果如果MOS管开启时VDS上有原始电压，那么MOS开启过程中就会有Ids和Vds的重叠，那么会带来Switching Loss。由于Coss上的能量在极短时间内被释放，电容上能量会损失掉（换算为Loss为0.5*Coss*Vds^2*fs），而且只要是非零电压开启（Non Zero Voltage Switching），会给PCB和MOS的寄生电感与电容形成的谐振腔（resonant tank）引入比较大的dv/dt或者di/dt激励，引起比较大的ringing，甚至超过管子的额定电压，烧毁管子。
    那么我们可以避免这种情况的发生吗？答案是可以的，也就是很多人提到的Zero Voltage Switching，虽然会付出一定的代价。我们先看如何能实现软开关开启Zero Voltage Switching Turn on。
    mosfet管开关电流波形问题分析

   

   实现ZVS turn on很简单，只需要在我们开启管子前，Vds上的电压为零就好，这样Ids和Vds就没有重叠了，turn on switching loss为零，没有high di/dt， dv/dt问题，没有ringing，完美！那么如何实现ZVS turn on呢？个人觉得分两种情况讨论：1为PWM converter，2为resonant converter（谐振变换器）。