二极管学习笔记

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二极管

定义

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。

二极管的结构组成

和电子管一样，晶体二极管最明显的特征也是单向导电性。不同的是晶体二极管单向导电的原理不是靠对电子的热激发，而是靠一个PN结（也叫空间电荷区）来实现。它的导电是由多子空穴、电子两种电荷形成的，这两种电荷运动方向相反，在正偏条件下（p区接电源正极，n区接电源负极），这种情况下外加电压与pn结内电场方向相反互相抵消，p型半导体内的多子空穴向负极方向定向移动（异性相吸），n型半导体内的多子电子向电源正极方向定向移动，二者在移动过程中不断复合消失，这样就形成了正向电流，方向由p区指向n区；当外加电压极性相反时，也即反偏时（p区接电源负极，n区接电源正极），pn结内电场宽度增加，p区内的少子电子向电源正极移动，n区内的少子空穴向负极移动，这样就形成了反向电流；因为少子的浓度很低，所以方向电流很小。

单向导电，电流只能从P区流向N区，或电流只能从正极流向负极。

有正向导通门槛电压（锗$0.2\sim 0.3V$，硅$0.6V\sim 0.7V$）

它正常工作时会产生相应的压降(同上），会耗散相应的功率。根据欧姆定律$P=UI$假设硅二极管压降$0.6V$当它通过$1A$的电流时则会耗散$0.6W$的功率，所以在一些低压大电流的开关电源当中输出都会使用成本更高的场效应管同步整流，如果用普通整流二极管的话会严重拉低整机的工作效率。

它的工作压降与其温度成正比，也就是说它的工作温度越高压降也就会越大。

二极管的电路符号

二极管的电路代号是“D”

第一个：为我们常用的普通二极管

第二个：发光二极管

第三个：光电二极管

第四个：瞬态抑制二极管

第五个：变容二极管

第六种：肖特基二极管

第七种：齐纳二极管

第八种：隧道二极管

二极管的分类

按频率分类

最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为保护元件一般使用齐纳二极管，但随着周边电路的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。

图片来源于电子发烧友网

按结构分类

平面型： 现在最常用的半导体结合的方法，在硅基板上形成氧化膜，在必要的地方开孔把不纯物扩散结合。（包括扩散接合型和肖特基势垒型）。
扩散接合型：把不纯物热扩散到硅半导体里，形成叫做P形，N形的不纯物扩散领域。这个结合部产生叫做电位墙壁的墙壁（包括：开关二极管、恒压(齐纳)二极管CZD、快速恢复二极管RRD、PIN二极管、波段开矣二极管）；
肖特基势垒型：利用金属与半导体结合时产生的电位墙壁的叫做肖特基垫垒形。很久以前就知金属和半导体接触时拥有整流特性，但理论说明的人是Mr.Shotoky，因此这个构造的起名为肖特基垫垒。和PN形来比，恢复时间快，所以高频的整流效果非常好，还有顺方向电压也低，功耗也少，所以广泛用于高频整流。 （包括：检波肖特基二极管）。

台面型： 结合部像富士山，这个构造的逆电压 (VR) 容易变大，多用于整流二极管。耐压容易做大，但相反与Planar形相比逆电流也变大。（包括整流二极管）。

按制作方法分类

其中点接触型与面接触型最大的特点就是，点接触型为高频二极管，常用的有检波二极管，如：1N34
但点接触型二极管绝大多数为锗二极管。而面接触型二极管多为硅管。

其中：点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。点接触型与面结型相比，较少使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。

而面接触型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及低频电路中二者的工作方式都一样只不过适用的电路环境不同。

其实一般在高频电路中和射频电路中用二极管做开关使用，经常用一个叫做PIN二极管。

图片及文字来源于凡亿PCB公众号

按正向电流的大小分类

按顺方向电流大小来分，IF未满1A的叫做小信号二极管，1A以上的叫做中功率/大功率二极管。

按形状分类

封装，实际安装形状，二极管有各种各样的形装．大体分为插件形和贴片形。市场数年前开始贴片成为主流。

按照应用场景分类

整流二极管、检波二极管、开关二极管、稳压二极管、变容二极管、瞬态电压抑制二极管、肖特基二极管、发光二极管、隔离二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

二极管特性及参数

伏安特性

若以电压为横坐标，电流为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来，就构成二极管的伏安特性曲线，如下图所示（图中虚线为锗管的伏安特性，实线为硅管的伏安特性）。

$$I_D=I_S(e^{q{u}_D/kT}-1)=I_S(e^{u_D/U_T}-1)$$
$I_S$为反向饱和电流，q为电子电量；$U_T=kT/q$，称为热电压，在室温27${}^{o}C$即300K时，$U_T=26mV$
正向特性
二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压，$U_{D(on)}$)，室温下硅管约为$U_{D(on)}=(0.5V\sim 0.7V)$，锗管约为$U_{D(on)}=(0.1V\sim 0.3V)$，如图中OA(OA′)段。

当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为$0.6\sim 0.7V$，锗管约为$0.2V\sim 0.3V$，如图中AB(A′B′)段。

二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过最大值，否则将烧坏PN结。
反向特性
二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化，（硅管一般小于$0.1\mu V$，锗管小于几十微安）。此时的电流称之为反向饱和电流IR，见图中OC（OC′）段。
反向击穿特性
二极管反向电压加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示，如图1.11中CD(C′D′)段。
温度对特性的影响
由于二极管的核心是一个PN结，它的导电性能与温度有关，温度升高时二极管正向特性曲线向左移动，正向压降减小;反向特性曲线向下移动，反向电流增大。

直流电阻$R_D$

$$R_D=\frac{U_D}{I_D}{|}_Q$$
正向$R_D$随工作电流增大而减小，如图中$Q_1$点处的$R_D$小于$Q_2$点处的$R_D$。反向$R_D$理论上应为无穷大，因为反相偏置管子截至，无电流。
实际上，一般正向电阻为几十至几百欧，反向电阻为几十千欧至几十兆欧。随管子类型不同而不同。显然，正向电阻越小，反向电阻越大，单向导电性越好。

交流电阻$r_D$

二极管在其工作状态$（I_{DQ}，U_{DQ}）$处的电压微变量于电流微变量之比，即
$$r_D=\frac{\Delta U_D}{\Delta I_D}{|}_Q=\frac{d{u}_D}{d{i}_D}{|}_Q$$
$r_D$的几何意义如图，即二极管伏安特性曲线上$Q（I_{DQ}，U_{DQ}）$点处切线斜率的倒数。
$r_D$可以通过对二极管电流方程求导得出，即：
$$i_D=I_S(e^{q{u}_D/kT}-1)=I_S(e^{u_D/U_T}-1)$$
$$r_D=\frac{d{u}_D}{d{i}_D}{|}_Q=(I_S{e}^{\frac{u_D}{U_T}}\frac{1}{U_T}{)}^{-1}{|}_Q=\frac{U_T}{I_{DQ}}=\frac{26mV}{I_{DQ}}$$
$r_D<<R_D$，无论$r_D$或$R_D$都是工作电流的函数，都是非线性电阻。

温度特性

温度T增大，反向饱和电流$I_S$增大，T增大10度，$I_S$增大一倍。门限电压$U_{D(on)}$减小，$\frac{d{U}_D(on)}{dT}=-2.5mV/°C$。
雪崩击穿电压增大（正温度系数）。
齐纳击穿电压减小（负温度系数）。

最大反向工作电压$U_{RM}$

$U_{RM}$指二极管工作时所允许加的最大反向电压。通常取$U_{BR}$的一半作为$U_{RM}$
$U_{BR}$为反向击穿电压

最大整流电流 $I_F$

$I_F$指二极管允许通过最大正向平均电流。实际应用时，流过二极管的平均电流不能超过此值。

反向电流 $I_R$

$I_R$越小，单向导电性能越好。$I_R$与温度密切相关，使用时应该注意$I_R$与的温度条件。

为什么存在反向电流

导通时，电子由N区向P区移动，空穴由P区向N区移动，这时PN结存在电荷存储现象。

竖线中是PN结的耗尽层，电子和空穴的浓度会随着PN结耗尽层的距离 呈现出指数下降的趋势，越靠近耗尽层的地方堆积的电荷就会越多，N区靠近耗尽层的地方空穴很多，P区靠近耗尽层的地方电子很多。

在电子和空穴移动的过程中，在耗尽层发生复合，还有电子向正极边方向扩散，空穴向负极边方向扩散。

那么从正向电压突然 变成反向电压之后，P区还是存在着很多的电子，N区存在着很多的空穴。电压突然间反向，但是电子和空穴并不会瞬间消失，一定存在一个消失的过程。那么在恢复的时候电子由P区向N区移动，空穴由N区向P区移动，这样就会形成电流，电流的方向是由N区到P区。这个方向与电源的方向是一样的，所以就会形成一个反向电流。

正向导通时，PN结耗尽层（势垒区）变窄，这里的电阻就会变小，比负载电阻要小得多，那么反向电流大小为$I_R=\frac{V+V_D}{R_L}$

最高工作频率$f_M$

$f_M$是与结电容有关的参数。工作频率超过$f_M$时，二极管的单向导电性能变坏。

反向恢复电压$V_{f}r$与反向恢复时间$t_{r}r$

二极管的反向恢复原理

二极管等效模型

理想模型

把二极管看成开关，忽略势垒，阻抗，反向电流等因素。二极管正向导通时看成开关闭合，二极管反向截至时看成开关断开。分析电路时这样做很方便，但是也会带来一些负面效果。试用条件就是偏置电压远远大于势垒电压时

偏移模型

模型比较复杂，比较适用于在计算机上做一些分析

该模型只考虑势垒电压，不考虑其他的因素。正向就需要用电源电压减去势垒电压，反向就是截至的，就相当于断开。

除了考虑势垒电压，还需要考虑二极管导通时候存在的电阻.。

综合上边可以得到a理想模型，b考虑势垒电压的偏移模型，c考虑势垒电压及电阻的偏移模型

微变等效模型

给二极管加一正向的直流电压时，那么一定存在一个与之相对的电流。假设电压为$U_D$，那么电流对应的就是Q点电流，Q点称为静态工作点，因为此时他们处在一个恒定不变的状态。假设在$U_D$上加一个微小的$\Delta u_D$，作用在Q这一点上一定会产生与之相对的电流变化$\Delta i_D$，他们之间的变化就可以等效成一个动态电阻$r_d^{\prime }$，电阻大小用$\frac{\Delta u_D}{\Delta i_D}$求解
$$\frac{1}{r_d}=\frac{\Delta i_D}{\Delta u_D}\approx \frac{d{i}_D}{d{u}_D}=\frac{d[I_S(e^{\frac{u}{U_T}}-1)]}{du}\approx \frac{I_S}{U_T}{e}^{\frac{u}{U_T}}\approx \frac{I_D}{U_T}$$
$$r_d\approx \frac{U_T}{I_D}$$
从图中的斜率可以知道，很小的电压变化，会带来很大的电流变化，也就是带来电阻的变化。

二极管击穿现象

当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。发生反向击穿时，在反向电流很大的变化范围内，PN结两端电压几乎不变，如图所示。

反向击穿分为电击穿和热击穿，PN结热击穿后电流很大，电压又很高，消耗在结上的功率很大，容易使PN结发热，把PN结烧毁。热击穿是不可逆的。PN结电击穿从其产生原因又可分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

雪崩击穿

当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。通过空间电荷区的电子和空穴，在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴，将不断地与晶体原子发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞，可使共价键中的电子激发形成自由电子—空穴对，这种现象称为碰撞电离。

新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样，在电场作用下，也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子—空穴对，这就是载流子的倍增效应。

当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大，于是PN结就发生雪崩击穿。

雪崩击穿多发生在杂质浓度较低的二极管，一般需要比较高的电压(>6V)，击穿电压与浓度成反比。

击穿并不一定等于坏了，只要流经的电流不会引起半导体材料过热的极限及热损坏，则这些过程是非破坏性的，并且是可逆的。

齐纳击穿

在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场，它能够破坏共价键将束缚电子分离出来造成电子—空穴对，形成较大的反向电流。

发生齐纳击穿需要的电场强度约为2*105V/cm，这只有在杂质浓度特别大的PN结中才能达到，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度(即杂质离子)也大，因而空间电荷区很窄，电场强度就可能很高。一般整流二极管掺杂浓度没有这么高，它在电击穿中多数是雪崩击穿造成的。

齐纳击穿多数出现在杂质浓度较高的二极管，如稳压管(齐纳二极管)。

必须指出，上述两种电击穿过程是可逆的，当加在稳压管两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。

但它有一个前提条件，就是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，超过了就会因为热量散不出去而使PN结温度上升，直到过热而烧毁，这种现象就是热击穿。

所以热击穿和电击穿的概念是不同的。电击穿往往可为人们所利用(如稳压管)，而热击穿则是必须尽量避免的。

齐纳击穿的电压比雪崩击穿的电压小

二极管应用

整流

二极管用整流电路时叫做整流二极管，二极管整流电路有半波整流，全波整流，桥式整流等。整流电路的作用是将交流电转换成为直流电。整流电路应用的主要是二极管的单向导电性。

半波整流

利用二极管的单向导电性，当输入交流信号时，A点电压超过二极管导通电压时，二极管导通，通过正半周信号；A点电压小于二极管导通电压时，二极管截至，信号不通过二极管。最终得到只有正弦上半周的脉动直流信号。

脉动直流：电压和电流的方向不随时间变化，但大小随时间变化的电流称为脉动直流。

全波整流

当输入正弦信号处在上半周时，VD1导通，VD2截止，电流上半部分工作，即电流从次级绕组上半部分经VD1流向R1；当输入正弦信号处在下半周时，VD2导通，VD1截止，电流下半部分工作，即电流从次级绕组下半部分经VD2流向R1。同样输出脉动直流信号。

桥式整流

信号正半周时，电流由E2的上半部分经D1流向Rfx，再通过D3返回E2的下半部分；信号负半周时，电流由E2的下半部分经D2流向Rfx，再通过D4返回E2的上半部分。两组二极管交替动作
桥式整流的输出和全波整流相同，但是两着的差别在输出功率以及对于变压器的要求上，

倍压整流

$u_2$正半周时，D1导通，对C1进行充电，形成左负右正的电压，当$u_2$负半周时，与C1上的电压相叠加，D2导通，对C2充电，那么输出电压$u_0$就等于2倍的$u_2$

e2正半周时，对电容C1充电，形成左正右负的电压，通过D1流向e2，C1电压等于e2 ；当e2负半周时，对C2充电，形成下正上负的电压，因为C1已经带电，所以是C1和e2叠加的电压对C2进行充电，所以C2电压为2倍的e2电压。

$e_2$负半周时，对C11进行充电，D1导通，形成左正右负的电压，当$e_2$正半周时，$e_2$与C1上的电压相叠加，对C2充电，形成左正右负的电压，D2导通，那么输出电压$C_2$就等于2倍的$e_2$；$e_2$负半周时，$e_2$与C2上的电压相叠加，对C1和C3充电，那么此时C1电压为$e_2$，C3的电压为$2e_2$。所以C1+C3的电压为$3e_2$。

多倍压电路可以继续增加二极管和电容来实现。

过零检测

将二极管看成导线，那么电路的下半部分就是经典的整流滤波电路。现在加了一个二极管，在二极管左侧引出来一路检测电路。三极管基极高电平，发射极集电极导通，5V连接到地，输出为低电平。三极管基极低电平，发射极集电极截至，输出为高电平。右侧输出高电平时，左侧输入正弦波刚好是在零点附近。

不管是正半周到来时，还是即将达到负半周的时候，只要经过零点附近，就会输出高电平。

过零检测在控制方面还是很有用的，有些负载时容性或是感性的，那么在开关开启瞬间，会给电容充电，此时电流较大，如果用继电器去控制一些开关电源的导通（开关电源里有很多电容，属于容性负载），那么在上电瞬间很可能造成继电器的粘连。如果用过零检测电路，在零点附近开启继电器，电压逐渐上升，那么电流也是逐渐上升的，对开关来说瞬间导通的电流就会变得比较小。如果在峰值开启，电压电流都较大，这时给电容充电，对开关来说可能造成打火、拉弧、甚至粘连的现象。

假设二极管处是一导线，那么输出没有达到零点附近

如果加大电容，那么输出离零点越远

通过二极管，将后边的滤波电路与前边的检测电路隔开，后边滤波电路的波形不会影响到检测电路

检波

检波二极管是用于把叠加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

检波（也称解调）二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。

就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于一般二极管检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。

常用的国产检波二极管有2AP系列锗玻璃封装二极管。常用的进口检波二极管有1N34/A、1N60等。

整流检波二极管的作用把交流电压变换成单向脉动电压。

电路左上角需要一根天线，右下角为地，这是信号的接收部分。通过RCL滤波电路将低频信号滤除，得到我们需要的载波信号（右侧红色部分），再通过二极管就能得到一半的载波信号，这一半信号还是存在载波信号。在二极管导通的时候进行充电，二极管截至的时候进行放电，由于电容较小，充电时间迅速，放电时间缓慢，通过电容（也就是RC回路）的作用可以将载波形式的信号的峰值变的平滑，也就是输出跟随信号的包络，这样就得到了最终的信号。

二极管在选择的时候，因为其频率较高，需要选一款结电容较小的电容，因为二极管的结电容会对频率产生影响。还有一点就是接收的信号可能是微弱的，而信号需要二极管的导通和截至传输到后级，所以对于二极管的导通和截至也是有一定要求的。需要考虑二极管的导通电压，所以锗管可能比硅管好一些。

钳位

钳位在电路中是限制电压的意思，钳位二极管是指用于在电路中将某点的电位进行限制的二极管。

详解二极管限幅电路和钳位电路

稳压

稳压二极管工作原理：通常，二极管都是正向导通，反向截止，单向导通性；不过，加在二极管上的反向电压如果超过二极管的承受能力，二极管就要击穿损毁。但是有一种二极管，它的正向特性与普通二极管相同，而反向特性却比较特殊；当反向电压加到一定程度时，虽然管子呈现击穿状态，通过较大电流，却不损毁，并且这种现象的重复性很好；只要管子处在击穿状态，尽管流过管子的电在变化很大，而管子两端的电压却变化极小起到稳压作用。这种特殊的二极管叫稳压二极管。

所以，其实二极管的工作原理挺简单的，那就是当电压超过稳定电压额定值，会发生雪崩效应，二极管相当于导通状态，将多余的电流分流，保证供电电压稳定。

稳压二极管参数计算

稳压二极管等效模型

$$V_Z=V_{Z0}+I_Z{R}_Z$$
限流电阻阻值计算(无负载，估算)

数据手册中会给出测试电流$I_Z$和$R_Z$以及稳压值$V_Z$的数据，那么就可以求出$V_{Z0}$
那么作用在整个电路的电流为：$\frac{V_2-V_{Z0}}{R_1+R_Z}$

二极管的功率已知，稳压值$V_Z$已知，那么根据$P=UI$可知电流大小，也就是电路中允许通过的电流。那么$V_{Z0}=V_Z-I{R}_Z$，$R_{总}=\frac{V_2-V_{Z0}}{I}$，最终限流电阻为$R_1=R_{总}-R_Z$

限流电阻阻值计算(有负载，估算)
有负载的情况需要考虑负载电流。

等效电阻$R_Z$和$R_L$是并联的，两者等效成$R_{Z}L=R_L//R_Z$。电阻变小了，那么$V_{Z0}$也改变了，剩下的就按照上述步骤去求解。

负载越大，二极管流过的电流越大；负载越小，二极管流过的电流越小。所以稳压二极管的上下限与负载有关。

调频

变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十pF到几百pF，最大电容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。

主要参量是：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止频率等。

「技术干货」如何选择变容二极管（Varactor Diodes）

变容二极管调频电路

续流

开关电源电路，buck、boost等

TVS瞬态抑制二极管

瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。

瞬态电压： 静电放电（ESD），浪涌电压。

作用： 保护电路的过压浪涌，特别是静电放电，针对较短的ESD脉冲以及雷击和开关浪涌等提供保护，厂泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子、通讯设备、家用电器等领域

特点： 响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、动作精度高、体积小、钳位电压低。

TVS二极管与齐纳二极管
TVS二极管、ESD保护二极管都属于齐纳二极管，都是利用齐纳击穿或者雪崩击穿的原理工作，基本特性相同，电路符号相同

但是齐纳二极管正常工作时，工作在击穿区，而TVS二极管、ESD保护二极管工作在截至区，只有出现浪涌电压或者ESD放电的时候才会起到作用，这个时候才会工作在击穿区。

TVS是保护电路出现非常高的电压或者是静电的时候把电压钳在一个稳定的范围，而稳压管是用来保护电路中出现的波动电压，只能用来保护小波动电压，以保证信号的平稳。所以，TVS用于保护电路，齐纳二极管用于稳压电路。

TVS击穿电流较低，齐纳二极管工作电流相对较大。

TVS响应速度块，功率较高，齐纳二极管功率较低。

TVS二极管与ESD保护二极管
ESD保护二极管专门用来保护静电放电的二极管，TVS用于静电防护的时候，两者的防护原理是一样的，工作区间也都是工作在截至区。

两者封装有所不同，TVS封装体积较大，封装种类少，只能对单一路进行防护，而ESD不仅仅有两个引脚，还有多个引脚的，封装更加多样性，可同时接多路电路。

ESD多用于板级的静电防护，在一些关键的引脚上；TVS多用于电源电路的初/次级的保护；ESD的结电容更低，TVS的结电容一般在几十pF到几十nF之间，而ESD的结电容能达到几pF甚至更低，零点几pF，所以ESD更适用于高速电路，比如HDMI的静电防护。ESD看的是抗静电等级LEVEL，TVS看的是功率。

TVS二极管与压敏电阻
压敏电阻也是用来保护后级电路的，同样可以用来抑制浪涌

蓝色为压敏电阻曲线，和二极管曲线相似，因为是电阻，所以曲线是比较平滑的。压敏电阻具有双向保护的能力，TVS有单向和双向两种，压敏电阻是物理吸收的原理，TVS是玻璃钝化的原理。压敏电阻的响应速度相对较慢，TVS可以达到ps级别，压敏电阻一般只能达到ns级别。TVS最大钳位电压偏离击穿电压较小，压敏电阻这两者的差距较大。

压敏电阻的静电容量较高，同体积下可以抑制更高的浪涌；压敏电阻的漏电流较大；结电容较大；非线性特性较大；TVS的可靠性高，不易劣化，使用寿命长，而压敏电阻的可靠性较差，使用寿命短，因为每一次的吸收静电或者浪涌都会对材料造成永久性损伤，在一些ESD电压较高或者浪涌时间比较长的一些电路中它的应用比TVS要多。

肖特基势垒二极管（SBD）

欧姆接触
欧姆接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变，是没有整流效应的接触。（金属和金属之间也会产生欧姆接触、绝缘体与绝缘体之间不会产生欧姆接触、半导体与半导体之间不会产生欧姆接触、半导体与金属之间可能会发生欧姆接触）

肖特基结原理

逸出功：又叫功函数或脱出功，是指电子从金属表面逸出时克服表面势垒必须做的功。一般情况下功函数指的是金属的功函数，非金属固体很少会用到功函数的定义。

非金属固体用半导体亲和能表示

半导体亲和能:将电子从半导体的费米能级移动到半导体表面外自由空间所需的能量大小，但是由于半导体的费米能级处没有电子，因此，对于半导体来说，定义半导体的电子亲合能更加有意义；半导体的亲合能是将电子从半导体的导带底部移动到半导体表面外的自由空间所需的能量大小。

肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性。

电子容易从N区跑到金属区，就会形成一个电场，方向由N区指向金属区，也会存在势垒电压，称为肖特基势垒，和PN结一样存在单向导电性，金属边为正极，N区为负极。（肖特基结的势垒电压比PN结低，仅有0.2V至0.3V，肖特基结的反向电流、漏电流大于PN结）

PN结是通过漂移和扩散运动进行导通，而肖特基结是靠电子的运动进行单向导电的。

特点总结：
具有较低的开启电压，导通压降小，反向漏电流大
反向恢复时间短具有很高的开关频率
反向击穿电压低

肖特基结与PN结
肖特基结二极管的导通电压是比PN结要低，漏电流大
肖特基结二极管的反向击穿电压是比PN结要低
肖特基结是单极性，PN结是双极性。

隔离二极管

隔离二极管：顾名思义，利用二极管的单向导通原理，对某方向电压的导通起到隔离的作用。隔离二极管一般情况下正向导通电压在0.6～0.8V之间（硅二极管）。