电子电路笔记---基本放大电路--半导体二极管

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1.1 半导体二极管

半导体器件是半导体材料制成的电子器件，常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应晶体管等。半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。

1.1.1 PN结

半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅（Si）、锗（Ge）。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子

1、半导体的导电特性--热激发产生自由电子和空穴

每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起，两个相邻原子共用一个电子。

室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位成为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好像空穴带正电荷一样。

在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。

空穴运动 -- 与自由电子的运动不同

有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴变转移到邻近共价键中，新的空穴又会被邻近的价电子填补，带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。

本征半导体中有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。

热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴又能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自由电子和空穴维持一定的浓度。

N型半导体 ---在纯净半导体中掺入某些微量杂质，其导电能力将大大增加。

在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。

自由电子 -------> 多数载流子（简称多子）

空       穴 --------> 少数载流子（简称少子）

P型半导体

在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴，这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。

空       穴 -------> 多数载流子（简称多子）

自由电子 -------> 少数载流子（简称少子）

无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。

掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度

2.PN结及其单向导电性----PN结的形成

半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式，载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动，在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动 称为扩散运动。

将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂陈N型半导体，在两种半导体的交界处将形成一个特殊的薄层--> PN结.

PN结的单向导电性

①外加正向电压（也叫正向偏置）  外加电场和内加电场方向相反，内向电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时成PN结处于导通状态。

②外加反向电压（也叫反向偏置）

外加电场与内加电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流IR，因为是少子漂移运动产生的，IR很小，这时成PN结处于截止状态

1.2 半导体二极管

1、半导体二极管的结构与符号

一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。

半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两种。

点接触型二极管PN结面积小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。

面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频整流电路中。