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行地址列地址

row address 行地址
column address 列地址
NAND 存储器包含以特定方式组织的信息。 如图 2.7 所示,内存分为页和块。 块是最小的可擦除单位。 通常,任何设备中都有许多块。 每个块包含多个页面。 块内的页数通常是 16 的倍数(例如 64、128)。 页是读写的最小可寻址单元。 每页由主区和备用区组成(图 2.8)。 主要区域的范围可以从 4 到 8 kB 甚至 16 kB。 备用区可用于 ECC(第 14 章)和系统指针(第 17 章),每 4 kB 主区有几百个字节。
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NAND 存储器包含以特定方式组织的信息。 如图 2.7 所示,内存分为页和块。 块是最小的可擦除单位。 通常,任何设备中都有两个块的幂。 每个块包含多个页面。 块内的页数通常是 16 的倍数(例如 64、128)。 页是读写的最小可寻址单元。 每页由主区和备用区组成(图 2.8)。 主要区域的范围可以从 4 到 8 kB 甚至 16 kB。 备用区可用于 ECC(第 14 章)和系统指针(第 17 章),每 4 kB 主区有几百个字节。
每次我们想要在 NAND 设备上执行操作时,我们都必须发出我们想要执行的地址。 地址分为行地址和列地址(图 2.9)。 行地址标识被寻址的页,而列地址用于标识页内的字节。 当需要行和列地址时,首先给出列地址,每个地址周期 8 位。 第一个周期包含最低有效位。 行地址和列地址不能共享相同的地址周期。

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