SSD学习-1 组成

#Flash 组成基础
wordline（WL）字线
bitline （BL） 位线
Cell：单元
Cell是闪存的最小工作单位，执行数据存储的任务。闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。

Page：页
每个Page又是由大量的Cell单元构成，每个Page的大小通常是16KB。
Page是闪存当中能够读取和写入的最小单位。即如果你需要读取512字节的数据，那在闪存层面上就必须把包含这512字节数据的整个Page页内容全部读出（实际发生的读取16KB）。

Block：块
每个Block都是由数百乃是数千个Page页组成的。
nand的最小擦除单元是Block。

Plane：面
每个Plane都是由数百乃是数千个Block页组成的。且每个

LUN：逻辑单元
LUN又可以称作Die，是闪存内可执行命令并回报自身状态的最小独立单元。
一个闪存Die可以拥有1到多个Plane面。

target：
一个target包含了一个或者多个lun，一个target的一个或者多个lun共享一组数据信号
每个target都由一个ce引脚（片选）控制，也就是说一个target上的几个lun共享一个ce信号

device
就是封装好的nand flash单元，包含了一个或者多个target

1.Cell沿着BL方向手拉手，排排站，构成了一个串（String），
上图中左边有一个String，由64个Cell组成，

2. 共享一组WLs的所有String称为是一个块（Block）。
   上图中右边有两个Block，Block0由WL Group 0<63:0>组成，Block1由WL Group 2<63:0>组成，

3. 共享一根WL的Cell称为是一个页（Page）。
   上图中右边有两个Page, Page0是由WL0与偶数BL交叉的Cell构成，Page1是由WL0与奇数BL交叉的Cell构成，

面对庞大的Cell阵营，管理起来实在伤脑筋，于是NAND闪存引入了逻辑页（Logical page）的管理概念。
有了逻辑页的概念，就需要把单纯的cell根据存储级别划分为SLC/MLC/TLC,
SLC Cell存储1个bit，SLC很单纯，很靠谱，很少犯错，所以SLC Page又被称为Strong Page；
MLC Cell存储2个bit，MLC包含有Lower page和Upper page;
TLC Cell存储3个bit, TLC包含有Lower page, Middle page和Upper page;

#channel
一个 8 位总线，通常称为通道，用于将不同的存储器连接到控制器（图 2.32）。 需要强调的是，系统中的多个闪存既是提高存储密度和读/写性能的一种手段
在一个通道上的操作是可以有交错的（Interleaved)。当一个NAND闪存处在被占用状态Busy时，可以让第一个NAND闪存自己忙着，主控可以访问同一个通道上的第二个NAND闪存。