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RSS订阅原创 储能设备的功率器件选型指南 ——基于矽普 30 V~1 200 V 全电压平台
750 V SiC MOSFET SP40N120CTK，Rdson 45 mΩ，Qg 61 nC，FOM 2 745（比 Cree 低 25 %），TO-247-4L 开尔文源极，dv/dt 50 V/ns 不开挂。选 150 V SGT TOLL 封装 SP015N03BGHTO，Rdson 3.3 mΩ，Qg 122 nC，FOM 402（竞品 407~412），实测 100 kHz 效率 97.3 %。Q：150 V SGT 能否直接替代 200 V 竞品？DC-DC 升压（48 V→400 V）
2025-12-18 15:00:18
305
原创 SP40P65NJ：一款高性能40V P沟道MOSFET深度解析
参数典型值条件漏源击穿电压-40V导通电阻（典型）65mΩ连续漏极电流（Tc=25°C）-12A栅极阈值电压-1.7V（典型）总栅极电荷9nC封装类型PDFN3X3-8L尺寸约3mm×3mmSP40P65NJ作为一款40V P沟道MOSFET，在导通电阻、开关速度、热性能等方面表现均衡，尤其适合中低压、中功率的电源转换场景。其PDFN3X3-8L封装也适合对空间要求较高的紧凑型设计。设计者在选型时可根据实际驱动电压、电流需求与散热条件，结合其RDS(on)与Qg曲线进行优化。
2025-12-16 16:32:51
653
原创 音频限幅器D2761使用手册
其输出限幅范围可通过外接电阻来调节， 适合使用在功放产品、音箱产品、个人电脑、 扩音喇叭（大声公）等音响产品中，有SSOP10、 MSOP10、 TSSOP14等形式封装。1、此芯片适应于左、右双声道音频系统，一般情况下INA/INB会接音频的左、右声道音频信号；不限幅状态：当SW引脚接高电平（>2V），或输入音频信号低于设定阈值时，压控放大器的增益为1,不放大不缩小，信号无损通过。限幅状态：当SW引脚接低电平(<0.5V)，且输入音频信号高于设定阈值时，压控放大器的增益小于1,从而衰减输出的信号幅度。
2025-11-20 09:52:18
279
原创 薄膜、MLCC和陶瓷片式电容：EMI 安规电容器
不过现实的情况往往比这个更为复杂：工程师会面对着不同种类的安规电容器选项，包括薄膜电容、MLCC、陶瓷片式电容等，虽然从性能参数上看它们之间有所区隔，但是还是有相当大的一部分“交集”(如图3 )。根据安规电容的具体应用，特别是其抗峰值脉冲电压的能力，X和Y电容又被细分为不同的等级，如图2所示。安规电容是在电子电路中用于抑制电源电磁干扰的电容器，其的作用有两方面：一是消除电源线路中的噪声，对共模，差模干扰进行滤波；图2：不同等级X和Y电容的特性。图1：安规电容的典型应用电路。
2025-11-10 16:43:08
293
原创 闭合图腾柱无桥PFC控制环路的三种方法
在 CCM 下运行的传统 PFC 采用平均电流模式控制器，如图 1 所示，其中VREF是电压环路基准，VOUT是检测到的PFC输出电压，Gv是电压环路，VIN是检测到的 PFC 输入电压，IREF是电流环路基准，IIN是检测到的 PFC 电感器电流，Gi是电流环路，d是脉宽调制占空比 (PWM)。由于升压电感器在线路频率下的阻抗非常低，占空比的微小变化即可在电感器上产生足够的电压，以生成所需的正弦电流波形，因此电流环路补偿器无需具有高带宽。8.在负交流周期内，电感器电流越高，霍尔效应传感器输出的值越低。
2025-10-28 13:50:14
1032
原创 SP010N04BGTH：100V N沟道功率MOSFET详解
是一款100V N沟道功率MOSFET，采用先进的，具备低导通电阻高开关速度和优良的散热性能，适用于高频开关电源、电机驱动、便携设备等场景。封装类型：TO-252（DPAK）引脚功能1Gate (G)2Drain (D)3Source (S)SP010N04BGTH 是一款性能均衡的，具备低导通电阻高电流承载能力和优秀的开关性能，非常适合高效率、高频率的功率转换应用。其TO-252封装也便于焊接与散热，是中小功率电源设计的优选器件。
2025-10-20 14:53:29
341
原创 GS016电动工具调速控制电路介绍
GS016是一款直流有刷电机调速电路，输出端内置14V钳位结构，具有电源电压范围宽、功耗小、抗干扰能力强等特点。通过桥接内部电阻网络，可以改变PWM占空比输出，达到控制电机转速作用。GS016中心点与各管脚组合输出频率及占空比。GS016采用SOP14的封装形式封装。l 电源电压范围宽(7V~24V)Vcc=24V, pin13悬空。l 输出幅值限压14V。l 占空比可调范围宽。
2025-10-15 09:24:35
408
原创 半导体器件领域里面场效应管和MOS管有何区别？
IGFET 是场效应管的主流分支，而MOS 管正是 IGFET 中的类型—— 二者可理解为 “IGFET 是父类，MOS 管是 IGFET 的商业化名称”，因早期 IGFET 的绝缘层多采用氧化硅（SiO），栅极采用金属层，故得名 “MOS 管”。栅极与沟道之间通过 “PN 结” 实现隔离，无绝缘层。简单来说：所有 MOS 管都是场效应管，但并非所有场效应管都是 MOS 管—— 场效应管是 “大类”，MOS 管是 “大类中的一个子类”，二者的区别本质是 “类别与子类” 的差异，而非 “并列关系” 的对比。
2025-09-15 10:18:11
1669
原创 取样电阻的原理_取样电阻的接法
电路复杂：测量端的共模电压很高（接近电源电压 VCCVCC），需要专门的共模电压范围高于电源电压的差分运放或检流放大器来处理这个信号。无法检测对地短路：如果负载对地短路，电流会剧增，但取样电阻两端的电压反而会变为0，导致检测系统无法察觉这一故障。它是一个阻值已知且非常、低阻值的电阻，串联在电路中。功率大：因为需要流过主电路的电流，功耗较大（P=I2RP=I2R），必须能承受相应的热量而不损坏或阻值突变。电路简单：测量端的共模电压低（接近地电平），对运放的要求低，可以使用普通的单电源运放或比较器。
2025-09-04 14:05:10
582
原创 D2538A：带ALC的单通道前置放大器芯片解析
D2538A是一款带有自动电平控制（ALC）功能的单通道前置放大器集成电路。该芯片专为立体声收录机和盒式录音机设计，提供SOP8和SOT23-6两种封装形式，具有低噪声、高增益和宽电压工作范围等突出特点。内置ALC回路的单通道均衡放大器；低噪声设计：典型输入噪声电压仅为1.0μV；高开环电压增益：典型值为80dB；宽电源电压范围：2.8V~10V；输入端无需耦合电容；内置电源静噪电路；外围元件少，系统设计简洁。D2538A提供两种封装：SOP8：含两个空脚（NC），引脚功能包括OUT、GND、ALC、Vcc
2025-08-28 09:34:05
444
原创 SP40D120CTT：1200V/40A碳化硅肖特基二极管的深度解析
该产品通过改进封装技术和优化芯片设计，在保持碳化硅器件固有优势的同时，显著提升了电流处理能力和热性能，是大功率电力电子应用的理想选择。：在150℃工作温度下仍能保持40A连续电流能力，25℃时更高达107A，满足大功率应用需求。：采用改进的TO-247-2L封装，热阻降低至0.27℃/W，比前代产品提升34%：TO-247-2L封装提供10.9mm宽引脚间距(e)，改善散热和安装可靠性。175℃时：7μA(典型)@1200V。25℃时：1.45V(典型)@40A。175℃时：2.2V(典型)@40A。
2025-08-13 13:57:14
377
原创 直流可编程电源串联或并联连接的优势
例如，串联连接仅允许在相同类型和制造商型号的电源之间进行，即具有相似电压、电流和输出阻抗额定值的电源。此外，两个或多个电源的串联操作只能在任一电源的输出隔离电压额定值范围内实现，以获得比单个电源更高的电压。分析数据显示，通过将电池电压提高到800V，与400V相比，为电动汽车电机和其他设备供电所需的电流要低得多，从而允许使用更细的电缆和更小的电子元件。相反，将它们串联连接会将各个电源的电压相加，从而获得更高的总输出电压，而电流保持不变。将所需的总电压除以串联电源的数量。每个电源的电压设置必须相同。
2025-08-05 15:00:52
562
原创 SP30D120CTT大电流碳化硅二极管全面解析：TO-247封装的高功率解决方案
这款TO-247封装的30A碳化硅二极管特别适合对功率密度和效率要求严苛的应用场景，其优化的封装设计和卓越的电气性能，为新一代高功率电源系统提供了可靠解决方案。：相比20A型号(SP20D系列)，电流承载能力提升至30A。：0.41℃/W的结壳热阻，比TO-220封装降低25%高温高湿测试(85℃/85%RH,1000h)相比Si-MOSFET体二极管：损耗降低70%1000次温度循环测试(-55℃↔175℃)175℃高温下VF仅2.2V(典型)相比硅FRD：效率提升3-5%工作结温范围-55至175℃。
2025-08-04 14:52:37
392
原创 SP20D120CTT碳化硅二极管：高性能与广泛应用的完美结合
SP20D120CTT是一款1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管，采用TO-247-2L封装，具有卓越的高压、高温性能和快速开关特性。这款二极管专为高效率电力电子应用设计，特别适合现代高功率密度系统。SP20D120CTT碳化硅二极管凭借其1200V耐压、20A电流能力和出色的高温特性，为现代电力电子系统提供了高效可靠的解决方案。其独特的SiC技术特性使其在效率、功率密度和可靠性方面显著优于传统硅基二极管，特别适合要求严苛的高性能应用场景。
2025-07-31 10:15:46
378
原创 GC8870刷式直流电机驱动器详解：3.6A高功率PWM控制芯片
GC8870是一款高性能刷式直流电机驱动芯片，专为打印机、电器、工业设备等机电一体化应用设计。该芯片采用ESOP8封装，集成了H桥驱动电路和多种保护功能，能够以高达3.6A的峰值电流双向控制电机。GC8870是一款功能强大、保护完善的刷式直流电机驱动芯片，特别适合需要精确电流控制和PWM调速的应用场景。其宽电压范围、高驱动能力和完善的保护机制使其成为工业设备和消费电子产品中电机驱动的理想选择。
2025-07-29 09:22:30
1118
原创 双极性电源生成方案解析：负载正负压同步使用之道
然而，要产生能让负载同时使用正电压和负电压的双极性电源，方法是将一个实验室通道的正端口连接到另一个通道的负端口，并将其称为 GND，另外两个端口（正和负）分别作为正负电源，这样就得到一个三端口双极性电源，可提供 GND、正和负电压电平。综上所述，基于降压转换器拓扑结构的双极性、双端子电源设计，作为现代电源电子的主力技术，能以各种形式提供，从带外部器件的简单控制器到完整模块应有尽有。在电子电路设计领域，电源的设计至关重要，尤其是双极性电源的产生，它能让负载同时使用正电压和负电压。双极性电源的基本产生方式。
2025-07-28 13:47:19
1292
原创 GC8871深度评测——免检流电阻+单电阻限流，一颗搞定打印机/工业电机
注1：持续电流受 ESOP8 封装热阻 θ<sub>=45 °C/W 限制，实测 2 A@25 °C 连续运行壳温 85 °C。PWM 20 kHz，电流 1.5 A，芯片表面温度 65 °C，EMI 通过 CISPR-22 Class B。I<sub> ≈ 22 kΩ / R<sub> （经验公式，官方建议 20 kΩ~100 kΩ）R<sub>=10 kΩ，电机堵转电流被限制在 2.2 A，芯片温升 35 °C，无外部散热片。，只需一颗下拉电阻即可设定 3.6 A 峰值电流限制，外围极简，成本极低。
2025-07-25 14:27:16
1023
原创 GC9110T：12V直流电机驱动的“小钢炮”，1.5A持续输出仅350 mΩ内阻
GC9110T 用一颗 SOP-8 就能搞定驱动、保护与省电，开发即插即用。GC9110T 是 12 V H 桥直流电机驱动芯片，主打低功耗、高集成、强保护三大卖点。SOP-8（4.9 mm×3.9 mm），一盘 4 K，一箱 64 K。• 保护：过温 169 ℃、欠压 3.64 V、过流 3 A、短路。摄像机、DSLR 镜头、玩具、机器人、共享单车锁、水表、医疗设备。• 内阻（25 ℃）：350 mΩ（HS+LS）• 逻辑兼容：3.3 V / 5 V。• 工作电压：3.8–12 V。
2025-07-24 13:37:57
216
原创 开关电源八大损耗全解析
图 4 所示 MOSFET 的漏源电压（VDS）和漏源电流（IDS）的关系图可以很好地解释 MOSFET 在过渡过程中的开关损耗，从上半部分波形可以看出，tSW (ON) 和 tSW (OFF) 期间电压和电流发生瞬变，MOSFET 的电容进行充电、放电。当反向电压加在二级管两端时，正向导通电流在二极管上产生的累积电荷需要释放，产生反向电流尖峰（IRR (PEAK)），极性与正向导通电流相反，从而造成 V × I 功率损耗，因为反向恢复期内，反向电压和反向电流同时存在于二极管。
2025-07-23 10:53:04
976
原创 GC9113低压单通道全桥驱动器芯片详解
GC9113是一款低压5V全桥驱动芯片，专为摄像机、消费类产品、玩具和其他低压或电池供电的运动控制类应用设计。该芯片采用ESOP8封装，具有高效、低功耗和多重保护功能等特点。GC9113是一款性能优异、功能齐全的低压全桥驱动芯片，特别适合电池供电和小型化设备应用。其多重保护机制和低功耗特性使其在各种消费电子和工业应用中都具有很高的可靠性。
2025-07-21 11:31:58
374
原创 锁存型霍尔 IC：定义、应用与优势全解析
这基本上只是将超高灵敏度霍尔元件（1）直流无刷电机的霍尔元件替换成霍尔IC，而使用霍尔IC后不再需要霍尔元件后段的放大电路，并且输出电压为高/低电平数字信号，具有很好的抗噪性能，尤其适用于电机与微控制器的接线较长的情况。例如，通过触发H1的上升沿和下降沿来进行两个输出信号的XOR逻辑运算，就可以得到H或L的结果，从而判断旋转的方向。当逆时针旋转时，两颗霍尔IC在位置(7)和(3)输出高电平，而在旋转1/4圈后的位置(6)和(2)，输出H1:H和H2:L，即H2先切换了输出信号，切换顺序发生了逆转。
2025-07-16 14:32:10
751
原创 三相固态继电器（SSR）工作原理及接线使用方法详解
三相固态继电器（Three-Phase Solid State Relay）是一种无触点电子开关，通过半导体器件（如晶闸管、MOSFET）控制三相交流负载的通断，具有响应快、寿命长、抗干扰强等优点，广泛应用于工业加热、电机控制等领域。由三组反向并联的晶闸管（Thyristor）或MOSFET组成，分别控制三相（L1、L2、L3）的通断。三相电源（L1、L2、L3）分别接入SSR的 输入端子（T1、T2、T3）。负载（如电机）的三相线连接SSR的 输出端子（L1'、L2'、L3'）。
2025-07-08 13:43:49
2763
原创 GC431：一款高精度可调参考源芯片
GC431 是一款三端可调分流稳压器，具有出色的温度稳定性。其典型动态输出阻抗仅为 0.2Ω，能够有效替代多种应用场景中的齐纳二极管。该芯片的输出电压可调节至 36V，支持 1 至 100mA 的捕获电流，适用于分流稳压器、高电流分流稳压器和精密电流限制器等多种应用。GC431 芯片以其高精度、低动态输出阻抗和广泛的电压调整范围，成为电子电路设计中的理想选择。无论是用于电源稳压还是精密电流控制，GC431 都能提供稳定可靠的性能，满足工程师在各种应用场景下的需求。
2025-07-02 14:03:13
423
原创 GC3909S：高性能直流电机驱动芯片解析
GC3909S 是一款双通道 12V 直流电机驱动芯片，专为摄像机、玩具、白色家电等低压或电池供电的运动控制类应用设计。它能驱动两个直流电机或一个步进电机，工作电压范围为 3.8~14V，每通道可提供 1.5A 持续输出电流和 2.5A 峰值电流，睡眠模式下功耗小于 1uA。GC3909S 芯片以其高性能和丰富的功能，成为电机驱动领域的理想选择。无论是专业工程师还是电子爱好者，都能从这款芯片中获得出色的性能和可靠的应用体验。
2025-06-30 11:27:25
432
原创 GC2803：八通道NPN达林顿管的高效驱动解决方案
GC2803是一款集成了8个NPN达林顿晶体管的芯片，专为逻辑接口电平数字电路设计，如TTL、CMOS或PMOS/NMOS。它能够驱动高电流和高电压负载，如继电器、电磁阀、打印机等，广泛应用于计算机、工业和消费类产品中。芯片提供QFN20、SOP18和SSOP24三种封装形式，满足不同的设计需求。
2025-06-25 10:03:27
486
原创 GC2904：工业级双运放芯片解析
GC2904是一款工业标准的双运算放大器，由两个独立的、高增益且经过频率补偿的运算放大器组成。它支持最高26V的单电源供电或±13V的双电源供电。每个运算放大器的最大偏移电压为7mV，典型电源电流为350μA，并可提供1MHz的增益带宽积。其工作环境温度范围为-40℃至125℃，适用于大多数应用和环境。GC2904凭借其高增益、低功耗和宽工作电压范围等特点，成为工业应用中的理想选择。其优异的电气性能和广泛的适用性，使其在多种电子设备中发挥重要作用。
2025-06-19 16:16:59
550
原创 什么是电极电势,电极电势的知识介绍
电极电势（Electrode Potential）是电化学中的一个重要概念，用于衡量电极在电解质溶液中得失电子的趋势，是电池电动势和氧化还原反应方向判断的基础。示例：计算 Zn2?/Zn 电极在 [Zn2?] = 0.1 mol/L 时的电势（�°=?电极反应：2H++2e?H2电极反应：2H++2e?3. 能斯特方程（Nernst Equation）E电极=Ecell(因为 ESHE=0)(1) 标准氢电极（SHE）(1) 判断氧化还原反应方向。2. 电极电势的测定。(2) 计算平衡常数。
2025-06-17 14:32:03
3065
原创 GC1267F：单相全波风扇电机预驱动芯片解析
在现代电子设备中，风扇电机的驱动控制是散热系统的关键组成部分。GC1267F 是一款由浙江新麦科技有限公司生产的单相全波风扇电机预驱动芯片，适用于需要大风量和大电流的服务器以及消费类电器风扇电机驱动。
2025-05-28 14:53:54
754
原创 开关模式电源检测电阻器违规问题深度剖析与纠正策略
在电子设备的电源设计领域，开关模式电源（SMPS）以其高效、紧凑的特点得到了广泛应用。然而，在实际设计过程中，SMPS 也面临着诸多复杂的问题。本文作为系列文章的第二篇，聚焦于 DC - DC 开关稳压器反馈级设计中的检测电阻器（RSENSE）元件，深入分析其可能出现的违规问题，并提供相应的纠正措施。检测电阻器在开关模式电源中扮演着关键角色。从电感器出来的电流通过一个较小的检测电阻器（RSENSE）转换为电压，该电压充当向反馈逻辑发送的信号，用于调整输出。
2025-05-21 13:34:30
671
原创 TS01S电容式触摸传感器芯片解析：单通道高灵敏度解决方案
TS01S是单通道电容式触摸传感器芯片，采用SOT23-6封装，可完美替代机械开关。该芯片基于CMOS工艺制造，具有超低功耗特性（3.3V时仅25μA），工作电压范围2.5-5.0V。
2025-05-19 14:19:32
411
原创 LM2902：一款高性能四运算放大器的解析
从电特性来看，在25℃环境下，Vcc=5V时，电源电流Icc典型值为1.2mA；转换速率SR为0.3V/μs。LM2902的封装外形为SOP14，尺寸精确，适合紧凑的电路设计。在实际应用中，LM2902凭借其高性能和稳定性，广泛应用于各种电子设备中，无论是信号放大还是滤波处理，都能表现出色。总之，LM2902是一款性能卓越的四运算放大器，其宽电源电压范围、低输入失调电压、高共模抑制比等特性，使其在众多运算放大器中脱颖而出，成为电子工程师的得力助手。：Vcc=3V~26V，使其在不同电源环境下都能稳定工作。
2025-05-15 13:58:03
797
原创 充电桩MOS的工作原理和对MOS有啥要求？
电网中的交流电通过交流充电桩直接给车载充电器 (OBC) 供电，OBC 把 AC 转换成 DC，然后通过配电 箱为车内的动力电池充电。直流充电桩则包含许多。AC-DC 电源模块，则是直接输出直流电给车载电池 进行充电。UIS 能力高，抗冲击能力要强。产品参数一致性要好，高可靠性。SJ-MOS：TO-247封装。电流能力强，短路能力好。
2025-05-12 10:10:11
282
原创 智能穿戴与TWS市场的MOS该如何选型
智能穿戴设备通常采用单节锂电池（3.7V），MOS的耐压（VDS）需≥5V，电流（ID）根据负载选择（通常0.5A~5A）。在DC-DC电路中，MOS需快速开关以减少切换损耗（如PWM频率1MHz以上）。穿戴设备空间受限，需选用超小封装（如DFN2×2、WLCSP、SOT-23）。部分PMIC（如TI的BQ25601）已内置MOS，可简化设计。TWS耳机中充电仓的MOS需支持更高电流（如2A以上）。：加快开关速度，降低动态损耗（适合高频DC-DC应用）。（如10mΩ以下），以减少导通损耗，提升续航。
2025-04-18 09:57:47
595
原创 D1521 USB DCP控制器：智能充电协议识别的核心技术解析产品定位与核心价值
D1521是一款专为USB专用充电端口(DCP)设计的智能控制器芯片，采用SOT23-6封装，支持BC1.2、YD/T 1591-2009等五大充电协议标准。该芯片通过自动检测D+/D-线电压，动态配置最佳充电模式，可显著提升智能手机、平板等设备的充电效率（最高支持1.5A快充），是车载充电器、墙插适配器等USB充电设备的理想选择。
2025-04-17 15:02:43
1286
原创 D55127漏电保护器芯片解析：高性能CMOS电路的设计与应用
D55127是一款高性能CMOS漏电保护器专用集成电路，采用SOP14封装形式。该芯片集成了稳压电源、放大电路、比较器、延时电路、计数器以及跳闸控制/驱动电路等完整功能模块，专为检测A型和AC型漏电信号而设计，适用于110V~220V(50~60Hz)交流供电系统。D55127以其高精度、高可靠性和良好的EMC性能，成为漏电保护器设计的理想选择。工程师在设计时应注意参考最新的技术文档(当前版本2.0，2024年8月)，并充分考虑实际应用环境的需求，以确保系统安全可靠运行。
2025-04-16 14:05:39
775
原创 D1084低功耗LDO稳压器：技术解析与应用设计
输出电流：高达5A。输出电压：可调或固定1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5.0V。低电压降：最大1.5V（在5A输出电流下）。快速瞬态响应：适合低电压微处理器应用。内置保护：电流限制和热限制功能，提供最大化的故障保护。封装形式：TO220-3、TO252-2和TO263-3封装，适合不同应用场景。D1084低功耗LDO稳压器凭借其优异的性能和灵活的应用设计，成为主板I/O电源、微处理器电源、高电流调节器等设备的理想选择。
2025-04-15 10:32:13
1282
原创 D3502C：一款高性能高压降压开关稳压器的深度解析
D3502C作为一款集成MOSFET的高压降压开关稳压器，凭借其优异的性能和丰富的保护功能，在汽车电子、工业电源和LED驱动等领域广受欢迎。D3502C凭借其高集成度、优异的保护功能和灵活的应用设计，为高压降压应用提供了可靠的解决方案。其150kHz的固定开关频率在效率和元件尺寸间取得了良好平衡，而滞环控制方式则确保了快速的动态响应。特别值得注意的是，D3502C还特别适合USB快充应用（文档第10页提及QC2.0/QC3.0支持），通过FB引脚连接电流检测电阻即可实现。：输出10-15V的扩展应用电路。
2025-04-14 10:29:08
490
原创 D2104M：一款600V高压高电流半桥驱动器的简要介绍
D2104M凭借其600V的高压支持、高电流输出和抗负压能力，成为高低边驱动应用的理想选择。其匹配的传播延迟、内置死区时间和关断功能，确保了系统的可靠性和稳定性。该芯片支持高达600V的工作电压，输出电流能力为±0.6A，适用于家电、工业驱动、电机控制和感应加热等应用。：高侧开启延迟680-820ns，低侧关闭延迟150-220ns。：工作电压范围为8-20V，支持高达600V的浮动通道电压。：高侧短路电流400mA，低侧短路电流600mA。：高低侧通道的传播延迟匹配，确保系统稳定性。
2025-04-09 13:52:46
205
原创 D211相位控制集成电路：电动工具马达转速控制的理想选择
D211是一款专为电动工具马达转速控制设计的相位控制集成电路，由绍兴芯谷科技有限公司研发生产。该芯片采用DIP18和SOP16两种封装形式，具有丰富的功能特性和稳定的性能表现。
2025-04-08 09:52:18
301
原创 2K02电动工具专用调速电路详解
2K02是我们推出的电动工具专用调速电路，采用SOP8封装，具有宽电源电压范围（4.5-48V）和优异的温度特性，广泛应用于小型电钻、割草机等工具。
2025-04-07 13:45:13
282
空空如也
空空如也
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