直流电机驱动方案一

MOS管选用的是IRF9540和IRF540，封装均为TO263。IRF9540的等效电阻为0.2欧姆，根据公式P=I*I*R,可以计算出芯片上产生的热量，IRF9540允许通过的最大电流是19A,当电路中电流为19A时，消耗的功率是72.2W,大于常用的电烙铁功率。因而该方案适用于小电流电机驱动方案，3A是没有明显的发热现象（没加散热片）。可以驱动飞思卡尔比赛上的电机。IRF9540为P沟道MOS管，导通条件是VGS <　０，即栅极电压小于源极电源，电流从源极流向漏极，关断条件是VGS>=0。IRF540为N沟道MOS管导通条件是VGS>0,即栅极电压大于源极电压，电流流向是从漏极流向源极。