二极管知识点

1.肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基二极管参数说明:
(1) VF 正向压降 Forward Voltage Drop。
(2) VFM 最大正向压降 Maximum Forward Voltage Drop 。
(3) VBR 反向击穿电压 Breakdown Voltage。
(4) VRMS 能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage 。
(5) VRRM峰值反复反向电压 Peak Repetitive Reverse Voltage。
(6) VRSM Non Repetitive Peak Reverse Voltage (halfwave, single phase, 60 Hz)非反复反向峰值电压(半波,单相,60Hz)
(7) VRWM 反向峰值工作电压 Working Peak Reverse Voltage 。
(8) VDC 最大直流截止电压 Maximum DC Blocking Voltage 。
(9) Trr 反向恢复时间 Reverse Recovery Time
(10) IF(AV) 正向电流 Forward Current
(11) IFSM 最大正向浪涌电流 Maximum Forward Surge Current
(12) IR 反向电流 Reverse Current
(13) TA 环境温度或自由空气温度 Ambient Temperature
(14) TJ 工作结温 Operating Junction Temperature
(15) TSTG 储存温度 Storage Temperature Range
(16) TC 管子壳温 Case Temperature

肖特基缺点
肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值最大可以到200V。也就是说肖特基最高做到200V。

2.半导体二极管的主要参数
(1).反向饱和漏电流IR
　　指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
(2).额定整流电流IF
额定整流电流指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值，目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。二极管的正向电流实际上分为额定整流电流IF、可重复峰值电流IFRM、不可重复峰值电流IFSM，IFSM是二极管可承受的最大浪涌电流。
(3).最大平均整流电流IO
　　在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值, 指整流后的直流电流，这是设计时非常重要的值。在规格书上通常小于IF。
(4).最大浪涌电流
　　允许流过的过量的正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
(5).最大反向峰值电压VRM
　　即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏，这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRM值可达几千伏。
(6).最大反向直流电压VR
　　上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值，用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.
(7).最高工作频率fM
　　由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。在高频线路中结电容过大会造成容抗很低，可能旁路二极管。
　　结电容大小和反向恢复时间共同影响二极管最高工作频率。
(8).反向恢复时间Trr（Trr与fM有什么关系呢？）
　　当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间，而这个时间可以用反向恢复时间Trr来衡量，即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR（反向饱和漏电流）时所需要的时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。若大功率开关管工作在高频开关状态时的Trr较大，一是会影响开关速度，二是管子可能会过热烧毁。
　　影响反向恢复时间的关键因素在于制成PN结时少数载流子的数量，当少子越少，反向恢复时间就越短。
(9).最大功率P
　　最大功率P就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。当二极管两端所加电压与流过电流的乘积大于P时，管子就会因为过热烧毁。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。

3 .二极管的选用
1、按主要参数选择

（1）额定正向工作电流
额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

（2）最大浪涌电流
最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。

（3）最高反向工作电压
加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。

（4）反向电流
反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。

反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

（5）反向恢复时间
从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。

（6）最大功率
最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。

（7）频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使 PN 结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN 结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

4、不同二极管的选用

（1）检波二极管
检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。

（2）整流二极管
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

（3）稳压二极管
稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50％左右。

（4）开关二极管
开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。

中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。

要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。

（5）变容二极管
选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。

5、TVS二极管选型
（1）最小击穿电压VBR和击穿电流I R 。 VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流（IR ）时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压V BR 。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VWM =0.85VBR；对于10％的VBR来说，V WM =0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV（接触）和15kV（空气）的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。

（2）最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。 VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。

（3）最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流I PP 。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。 V C 、IPP反映了TVS的突波抑制能力。 VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。 VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。

（4）Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

（5）电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小（如SAC（500W，50pF，±10%）、LCE（1.5KW，100pF）、低电容器TVS），而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。