10纳米制程

10纳米制程是半导体制造制程的一个水準。

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
10 µm – 1971 6 µm – 1974 3 µm – 1977  1.5 µm – 1981 1 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 90 nm – 2003 65 nm – 2005 45 nm – 2007 32 nm – 2009 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020 3 nm – 2022
未來 2 nm ~ 2024
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学

歷史

三星電子與聯發科在2017年推出10纳米器件，三星電子的Exynos 9 Octa 8895與高通的Snapdragon 835是首批量產供貨的10nm晶片產品，於第一季問世。

蘋果公司於2017年尾發表的Apple A10X（第二代iPad Pro）和Apple A11（iPhone 8及iPhone X）均由台積電10nm FinFET製程生產。

英特尔於2018年推出了第一款10nm製程的處理器，採用Cannon Lake微架構。 但此微架構僅有一款筆電處理器——i3-8121U。由於預期性能及研發難度超越他廠的同名稱製程，因此桌上電腦和伺服器級處理器推遲至2020年以後。2019年第三季，英特尔推出了第二代10nm製程處理器，採用Ice Lake微架構。這次發表的處理器全部是筆電處理器。

三星將後續優化的製程命名為8奈米，以融入了部分7奈米製程繼續為特點，於2018年量產。

2021年7月，英特爾宣布新的節點命名方式，將其節點與物理尺寸脫勾，其中10nm Enhanced SuperFin製程更名為「Intel 7」，其表現不輸台積電的7奈米製程。

在10纳米中，金属的宽度为40至50纳米，其后继制程是7纳米。

参考文献

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3. ^  cnBeta. . 電腦王. [2021-07-27]. （原始内容存档于2021-07-27）.
4. ^  Andy Yang. . Engadget Chinese. 2021-07-27 [2021-07-27]. （原始内容存档于2021-10-29）.
5. ^  . [2016-11-21]. （原始内容存档于2016-06-14）.

先前 14纳米制程

半导体器件制造制程

其後 7纳米制程

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