7纳米制程

最新推荐文章于 2024-05-07 14:25:15 发布

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7纳米制程是半导体制造制程的一个水準。

半导体器件制造

金屬氧化物半導體場效電晶體
10 µm – 1971 6 µm – 1974 3 µm – 1977 1.5 µm – 1981 1 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 90 nm – 2003 65 nm – 2005 45 nm – 2007 32 nm – 2009 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020 3 nm – 2022
未來 2 nm ~ 2024
晶體管數量互補式金屬氧化物半導體半导体器件（多閘極電晶體）摩尔定律晶體管數量半导体半导体产业纳电子学

在2015年7月，IBM宣佈以矽鍺製程做出第一個可運作的7纳米電晶體。台积电在2017年年中推出试验产品，並於2018年第2季首先量產第一代7纳米晶片。

第一個問世量產的7nm晶片是台積電製造的Apple A12 Bionic，用於2018年末推出的iPhone XS和iPhone XR智慧型手機。2019年末發表的Apple A13 Bionic使用台積電第二代7nm制程生產，用於iPhone 11及iPhone 11 Pro。

高通Snapdragon 855和华为海思的麒麟980芯片也都采用了台积电的7纳米工艺。

AMD於2019年推出采用了台积电7nm FinFET製程的RX 5700系列 GPU和Zen 2微架構 Ryzen CPU。而Intel預計2023年推出。

富士通與理化學研究所共同開發的超級電腦「富岳」，採用之ARM架構處理器A64FX，也以7纳米制程生產。

台積電在第三代7nm才引入極紫外光刻，而三星與Intel则计划直接量产采用極紫外光刻工艺的7nm芯片。

Intel的10nm的預期性能最差也僅略輸台積電的7nm，但Intel的10nm產品在台積電量產第一代7nm量產時仍未完全量產，且產品未達預期性能（甚至未明顯超越Intel改良多年的14nm產品）；因此台積電的第一代7nm、是第一個讓Intel失去領先地位的量產製程。

台積電和三星皆將後續改善的製程命名為6奈米，於2019年量產。

2020年8月台積電在官方部落格宣布，7nm製程晶片於2018年4月正式投入量產，直至2020年7月已生產出第10億顆功能完好、沒有缺陷的晶片，達成新的里程碑。

2021年7月，英特爾宣布新的節點命名方式，將其節點與物理尺寸脫勾，其中該公司首次應用EUV技術的7nm FinFET製程更名為「Intel 4」，預定於2022年下半年投產、2023年出貨。

7纳米的后继制程计划是5纳米。

先前
10纳米制程

半导体器件制造制程

其後
5纳米制程

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