14纳米制程

14纳米制程

14纳米制程是半导体制造制程的一个水平。最早的14纳米器件是由英特尔于2014年制造。在14纳米中，使用了多重图形曝光模式。

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
10 µm – 1971 6 µm – 1974 3 µm – 1977  1.5 µm – 1981 1 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 90 nm – 2003 65 nm – 2005 45 nm – 2007 32 nm – 2009 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020 3 nm – 2022
未來 2 nm ~ 2024
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学

2014年9月，英特尔推出第一代14nm處理器，採用Broadwell微架構。

参考文献

1. ^  Shvets, Anthony. . CPU World. 7 September 2014 [18 March 2015]. （原始内容存档于2015-03-16）.

先前 22纳米制程

半导体器件制造制程

其後 10纳米制程

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.