谈谈内部Flash模拟eeprom的一些问题

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《《《《《正文》》》》》

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《FLASH的缺点》

说到flash大家可能更加熟悉eeprom，典型的有24Cxx，eeprom的操作没有什么限制，想写就写，想读就读，不用擦除，数据都可以覆盖，而且支持字节操作，一般的擦写次数都达到了百万级别，下面是24Cxx的参数：

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而内部flash的操作限制就多了，写操作之前必须擦除操作，擦除操作也是有最小单位限制的；flash的擦写次数一般很少，而且因为是块擦除，擦除也很耗时间，例子参数如下图：

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《FLASH的操作规则》

（自己总结的白话，与官方冲突的，请以官方为准）

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1、读操作没有限制；支持字节、半字、字读操作。

不完全代码如下：

//读字data = *(__IO uint32_t*)Address;//读半字data = *(__IO uint16_t*)Address;//读字节data = *(__IO uint8_t*)Address;

 

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2、写操作只能将1写成0，不能将0写成1；支持字节、半字、字写操作。

不完全代码如下：

*((volatile uint8_t*)u32Addr) = u8Data;   //写字节*((volatile uint16_t*)u32Addr) = u16Data; //写半节*((volatile uint32_t*)u32Addr) = u32Data; //写节

也正是因为这条限制，所以我们的写操作，数据是不会被覆盖，只会按这条规则重叠数据，如下实例：

 

某一字节的地址上，从未操作过的FALSH 的值均为0xFF，内存图：

0xFF

1

1

1

1

1

1

1

1

写入0x55，得到0x55，内存图：

(红色为规则生效，黑色规则不生效）

0xFF	1	1	1	1	1	1	1	1
0x55	0	1	0	1	0	1	0	1
0x55	0	1	0	1	0	1	0	1

 

再写入0xAA，得到0x00，内存图：

(红色为规则生效，黑色规则不生效）

0x55	0	1	0	1	0	1	0	1
0xAA	1	0	1	0	1	0	1	0
0x00	0	0	0	0	0	0	0	0

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FLASH数据为0x00后，之后写任何数据根据该规则都会是0x00，除非擦除操作，也就是第3条规则；

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3、擦除操作的最小单位一般为块大小，大小有芯片自己决定，一般有512bit也有1k的，且擦除后均为0xFF，擦除之后就又可以操作了；这就是为什么写操作之前需要擦除操作的原因；

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《为什么还要使用flash》

主要因素有以下几个：

 

第一：有些项目的存储数据的改变频率并不频繁，这样flash在寿命上就会满足要求，eeprom的百万级别擦写次数优势就荡然无存；

 

第二、对于存储速度要求不是非常高的情况下，在硬件上稍作掉电处理的电路，在加上软件对掉电的处理，就能保证掉电的瞬间数据能够有足够的时间被正确存储，这样flash的擦除操作耗时的问题就解决了。

 

第三、成本问题；个人觉得这个还是主要原因，花了全部钱的MCU，多出来的flash干嘛不用？Eeprom的话就要增加成本了，FLASH从某种意义上讲，0成本；

 

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《FLASH在软件上的一些建议》

 

1、软件做备份，建议2分备份，一份使用，具体逻辑后续有机会分享；

 

2、软件做电源管理模块，电压不稳是导致擦写不成功的重要因素之一，因此需要在异常电压时，停止擦写，保证数据的正确性；

 

3、为了掉电存储速度，可以在上电时先做擦除操作，掉电的时候写操作，平时数据放在ram中，这样可以提高掉电时的存储速度；

 

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《《《《《END》》》》》