【STM32】内部Flash掉电数据处理策略

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1、原因

由于FLASH的擦除和写入的特性，如果在擦除中掉电或者写入时掉电或者复位（以下简称为掉电），有可能会出现失败的情况，下次再上电读取就会出错。

擦除的时候掉电：不能保证擦除完全，但是已经擦除的部分，肯定是0xFF了。

写入的时候掉电：已经写入的就是正确的，电平掉到最低极限工作电压附近时，写入的就无法保证了，地址无法保证，写入的值也无法保证。没有写到的，肯定还是 0xFF，因为写之前肯定是进行擦除的。

2、解决方式

2.1、软件方式解决思路

1）要改写某扇区内容，先把该扇区内容备份到一个特殊的扇区； 
2）在某个地方写一个特殊的标记； 
3）完成该扇区的改写操作，清除标记； 
4）系统每次上电或复位，都去检查下标记，就跟windows下的“磁盘扫描程序”一样，即使最坏情况，也可以恢复改写之前的数据。

这个过程“备份->置标记->写->清标记”的办法，是个可行的办法，也是目前比较通行的办法。

示例：

如下图所示：

具体实现方式和基本思想是这样的，使用两个sector互为备份，首先判断valid，如果数据都有效，比较version看谁的数据比较新，使用最新的数据。我们来分析下一下几种情况的处理逻辑。

正常的情况下：

1）初始化，sector 0和sector 1的valid值都为0xff，使用sector 0擦写，version为0，valid为0x5a。

2）第二次擦写，sector 0的valid为0x5a，sector 1的valid为0xff，表明sector 1为无效数据，使用sector 1擦写，vesion在上次的基础上加1，valid为0x5a。

3）第三次擦写，sector 0和sector 1的valid值都为0x5a，比较version，sector 1的version比sector 0大，所以使用sector 0擦写，sector 1为备份数据，version加1，valid为0x5a。 （总是使用旧数据扇区进行擦写操作）

4）依此类推，擦写数据的过程中，version高的为最新数据，version低的为备份数据。

掉电的情况下：

1）如果在擦除sector 0的过程发生掉电，前半部分数据为0xff，后半部分数据是旧数据；重启后比较valid都为0x5a，进而比较version，因为最新数据的version没有写进去，所以sector 1的versoin较高，使用sector 1的旧数据。（擦除过程发生掉电）

2）如果在擦完sector 0的时刻掉电，所有数据都为0xff；重启后sector 1的valid为0x5a，使用sector 1的旧数据。 （擦除完成的时刻发生掉电）

3）如果在写sector 0的时刻掉电，前半部分数据为新数据，后半部分数据为0xff；重启后sector 1的valid为0x5a，使用sector 1的旧数据。（写过程发生掉电）

相对网络上搜索到的掉电备份方法（写备份区-备份标志-写目标区-清备份标志），优点是每次修改数据只需要擦写一次，速度较快；缺点是存储一个sector的数据需要两个sector的空间。

注意：
 
这只能保证数据能恢复到之前的状态，不能确保数据结构的完整性。

譬如你有一个数据结构有16字节（它们之间是有逻辑关系的），跨两个扇区保存，现在要全面更新这16个字节的数据，如果发生某个扇区没有成功更新（即恢复到之前的数据），就会发生新旧数据同时存在的情况，程序利用这些数据来操作，就有可能发生错误。

所以，还需进一步的机制来保证“整体数据结构”的完整性，譬如某个文件的一部分数据坏掉了，那么就把整个文件无效掉。

2.2、具体实现过程（数据读取操作）

2.2、具体实现过程（数据写入操作）