MOS管中有体二极管(也就是寄生二极管)原因,衬底不和S极短接,DS可以互换。如短接则不可互换

MOS管中有体二极管原因

大家工作中经常会很讨厌一种情况,就是MOS管它是单方向截至的,如图1所示。

NMOS关闭后,D极到S极关断,但是S极到D极是关不断的,从我们画原理图时,可以从MOS原理图模型里面看到DS之间有一个二极管,S极通过二极管导通到D极。如果我们要做到双方向截止,就需要用两个MOS管背靠着背,每个MOS管负责关断一边。如图2所示。

 

 

MOS管的结构图中有多种,如图3典型的来自我们课本的结构图,Nmos有个P型的衬底,D极是P型衬底上做的N型反型区,这样就简单的形成了一个PN结,如果从沉底B极加一个电压,那么电流会顺着这个PN结流入D极。

一般情况下,单体的MOS管B极是不独自引出来的,通过把它接到S极上,也就是和S极短路,那么自然而然这个PN结就相当于是S极到D极了

同理Pmos也是一样,Pmos是在N型衬底上反型出两块P型半导体的区域地盘。衬底B与漏极D之间同样有这个PN结,P端在D极,N端在B极。当把B极连接在S极上时,就出现了从DS之间的二极管了。

 

总之,这个体二极管是衬底B与漏极D之间的PN结。由于把B极和S极短路了,因此出现了SD之间的体二极管。值得留意的是,并非所有的情况都需要把B极与S极连接。芯片设计内部,是把B极接到电压最低或者最高,并非一定是S极。

如果B极悬空,那么S极和D极之间就没有这个二极管了,这种情况下,D极和S极是对称的,可以互相换一换身份的。

我们通常用的大功率MOS管,TO92,TO252等系列封装的MOS,它们的D极是在衬底下方引出来的,D极可以躺下直接焊接在PCB板上,起到很好的散热效果,它们的结构图可以从网上找,感兴趣可以去看一看。

这种结构的体二极管也是一样,Pbody区域与N衬底区形成PN结,Pbody连接S极,形成与D极之间的体二极管。

为什么(大功率,TO92,TO252等系列封装的MOS,它们的D极是在衬底下方引出来的,D极可以躺下直接焊接在PCB板上,不加这个条件就和上面的问题看起来重复了2022.12.4)MOS管内部会存在寄生体二极管(也就是体二极管)?和工艺也有关系。

上面的标注有问题,应该是N沟道增强型的N-MOSFET结构,衬底是P型2022.12.4

如图所示,S极和衬底是连在一起的,那么P型衬底和S极之间的PN结就相当于被短路了,不予考虑,只考虑SD之间的寄生体二极管。

而且,MOSFET还有下面这样子的。从图就很容易看出P-MOSFET里寄生二极管的来源了,源极(Source)和漏极(Drain)之间存在一个PN结,等效为寄生体二极管(实际就是p沟道的体二极管)。

可以看出和实际工艺是有关系的。

<think>嗯,用户想了解MOS管的寄生二极管相关知识,特别是它的工作原理电气特性。首先,我需要回忆一下之前学过的MOS管结构。记得MOS管内部有一个二极管,这是寄生二极管的关键。根据引用[4],NMOS的源极漏极是N型区域,中间隔着P型衬底。当源极正电,漏极负电时,二极管会导通,反之则截止。这说明寄生二极管的方向与MOS管的结构有关。 下来,要解释寄生二极管形成原因。根据引用[2][4],MOS管的衬底通常与源极连,所以在构造上形成了PN结。当衬底(P型)源极(N型)相连时,自然形成一个二极管,这就是寄生二极管的来源。需要确认这个结构在NMOSPMOS中的同表现,比如NMOS二极管方向是源极到漏极,而PMOS相反。 关于电气特性,用户可能想知道导通压降反向恢复时间。根据引用[5],当MOS管用于开关电路时,寄生二极管会影响开关速度,因为二极管的反向恢复时间可能导致延迟。此外,在电源防反电路中,寄生二极管能起到保护作用,如引用[4]提到的二极管在特定电压下导通,防止反向电流损坏电路。 另外,用户可能关心实际应用中如何处理寄生二极管的影响。比如在同步整流电路中,寄生二极管可能导致额外的损耗,因此需要设计死区时间,如引用[5]所述。同时,在开关电源中,寄生二极管的恢复时间会影响效率,需选择快速恢复二极管或优化驱动电路。 还要注意用户可能存在的误区,比如认为所有MOS管都有寄生二极管,实际上这是集成在结构中的,无法去除。此外,应用中的保护措施需要结合二极管特性,比如防反时利用其单向导电性,但也要注意反向击穿电压的限制。 总结一下,回答需要涵盖寄生二极管的结构成因、工作原理、电气参数以及实际应用中的影响处理方法。要引用提供的资料,特别是关于结构工作原理的部分,确保信息准确。同时生成相关问题,帮助用户深入理解,比如应用场景、如何影响电路设计、与普通二极管的区别等。</think>### MOS寄生二极管原理及特性分析 MOS寄生二极管MOS管结构中自然存在的二极管,其工作原理电气特性直影响器件的实际应用场景。 #### 一、寄生二极管的结构成因 1. MOS管本结构中,源极(S)与衬底之间形成**PN结**(以N沟道MOS管为例): - NMOS管源/漏极是N型半导衬底为P型半导形成源极-衬底PN结[^2] - 生产工艺中将衬底与源极短形成源极-漏极间寄生二极管[^4] 2. 结构示意图: $$ \begin{array}{ccc} & \text{N+} & \text{P} & \text{N+} \\ \text{S} & \longleftrightarrow & \text{衬底} & \longleftrightarrow & \text{D} \\ & \uparrow & & \\ & \text{G} & & \end{array} $$ #### 二、工作原理特性 1. **单向导电性**: - NMOS寄生二极管方向:源极→漏极[^4] - PMOS管方向相反:漏极→源极 - 导通条件:源漏极电压超过二极管正向压降(约0.7V) 2. **电气参数特性**: | 参数 | 典型值 | 影响要素 | |-------------|-------------|----------------------| | 正向压降 | 0.6-1.2V | 材料、工艺、电流大小 | | 反向恢复时间| 10-100ns | 结电容、载流子寿命 | | 最大反向电压| 同MOS管V_DS | 结构设计参数 | 3. **动态特性影响**: - 在开关电源中,二极管反向恢复时间(trr)会产生额外损耗[^5] - 同步整流电路需设置死区时间避免直通电流[^5] #### 三、实际应用影响 1. **保护作用**: - 防止源漏极反向击穿(如电感负载续流) - 电源防反保护(利用二极管单向导通特性)[^4] 2. **电路设计注意事项**: ```text MOSFET选型需考虑: 1. 寄生二极管耐压 ≥ 系统最大反向电压 2. 反向恢复时间与开关频率匹配 3. 正向导通损耗计算(P=VF×I) ``` 3. **特殊应用场景**: - 在桥式电路中用于电流续流 - 作为ESD保护元件使用 - 反向并联实现双向电流控制 #### 四、与普通二极管的差异 1. 寄生二极管MOS管制造工艺的副产品,无法单独去除 2. 反向恢复特性较差(相比快恢复二极管) 3. 正向导通压降较大,适合作为主功率二极管使用 [^1]: 三极管与MOS管控制原理差异 [^2]: MOS管结构特征与衬底关系 [^4]: 寄生二极管导通条件分析 : 开关电路中的二极管动态特性
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