电磁炉IGBT驱动电路中推挽驱动分析,重点是控制信号由高变为低电平时候,IGBT的G极的高电平没有立即消失或者有残留电压,这样就能实现推挽电路的PNP的基极比发射极电压低,而使发射极和集电极导通

本文详细解析了电磁炉的主回路主谐振电路、IGBT驱动电路的推挽设计,包括高电平驱动的控制策略,以及电流取样电路和干扰保护电路的作用。讨论了电路工作原理、保护机制和常见问题,如上电烧机和功率稳定性维护。

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电磁炉IGBT驱动电路中推挽驱动分析,重点是控制信号由高变为低电平时候,IGBT的G极的高电平没有立即消失或者有残留电压,这样就能实现推挽电路的PNP的基极比发射极电压低,而使发射极和集电极导通 

主板分成10大部分:

1、主回路的主谐振电路分析

2、IGBT驱动电路分析:(推挽式电路,高电平驱动有效)

3、电流取样电路

4、干扰保护电路

5、电压AD取样电路

6、同步电路和压控/自激电路

7、反压保护与PWM控制电路

8、炉面传感器与IGBT热敏电阻取样电路

9、风扇控制电路

10、开关电源电路

一、主回路的主谐振电路分析

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由电力电子电路组成的电磁炉(Inductioncooker)是一种利用电磁感应加热原理,对锅体进行涡流加热的新型灶具。主电路是一个AC/DC/AC变换器,由桥式整流器和电压谐振变换器构成,当电磁炉负载(锅具)的大小和材质发生变化时,负载的等效电感会发生变化,将造成电磁炉主电路谐振频率变化,导致电磁炉的输出功率不稳定,就会使功率管IGBT过压损坏。在此先分析电磁炉主谐振电路拓扑结构和工作过程是怎样的。

1)电磁炉主电路拓扑结构

电磁炉的主电路如图1所示,市电经桥式整流器变换为直流电,再经电压谐振变换器变换成频率为20~35kHz的交流电。电压谐振变换器是低开关损耗的零电压型(ZVS)变换器,功率开关管的开关动作由单片机控制,并通过驱动电路完成。

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电磁炉的加热线圈盘与负载锅具可以看作是一个空心变压器,次级负载具有等效的电感和电阻,将次级的负载电阻和电感折合到初级,可以得到图2所示的等效电路。其中R*是次级电阻反射到初级的等效负载电阻;L*是次级电感反射到初级并与初级电感L相叠加后的等效电感。                    

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2)电磁炉主电路的工作过程

电磁炉主电路的工作过程可以分成3个阶段,各阶段的等效电路如图3所示。分析一个工作周期的情况,定义主开关开通的时刻为t0。时序波形如图4所示。

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2.1 [t0,t1]主开关导通阶段 

按主开关零电压开通的特点,t0时刻,主开关上的电压uce=0,则Cr上的电压uc=uce-Udc=-Udc。如图3(a)所示,主开关开通后,电源电压Udc加在R*及L*支路和Cr两端。由于Cr上的电压已经是-Udc,故Cr中的电流为0。电流仅从R*及L*支路流过。流过IGBT的电流is与流过L*的电流iL相等。由图3(a)得式(1)。

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可见,iL按照指数规律单调增加。流过R*形成了功率输出,流过L*而储存了能量。到达t1时刻,IGBT关断,iL达到最大值Im。这时,仍有uc=-Udc,uce=0。iL换向开始流入Cr,但Cr两端的电压不能突变,因此,IGBT为零电压关断。

2.2 [t1,t2]谐振阶段

IGBT关断之后,L*和Cr相互交换能量而发生谐振,同时在R*上消耗能量,形成功率输出。等效电路如图3(b)及图3(c)所示,我们也将其分为两个阶段来讨论。波形如图4中的iL和uc。

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由图3(b)、图3(c)的等效电路可得到式(3)方程组。

L*(di/dt)+iLR*+uc=0

Cr(duc/dt)=iL   (3)

由初始条件iL(t1)=Im,uc(t1)=-Udc,

解微分方程组式(3)并代入初始条件,可得下列结果:

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IGBT上的电压

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式中:δ=R*/2L*为衰减系数;

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φ是由电路的初始状态和电路参数决定的初相角,β是仅由电路参数决定的iL滞后于uc的相位角。

由上面的结果可以看到,当IGBT关断之后,uc和iL呈现衰减的正弦振荡,uce是Udc与uc的叠加,它呈现以Udc为轴心的衰减正弦振荡,其第一个正峰值是加在IGBT上的最高电压。首先是L*释放能量,Cr吸收能量,iL正向流动,部分能量消耗在R*上。在t1a时刻,ω(t-t1a)=+β,iL=0,L*的能量释放完毕,uc达到最大值Ucm,于是,IGBT上的电压也达到最大值uce=Ucm+Udc。这时Cr开始放电,L*吸收能量,当ω(t-t1)=φ时,uc=0,Cr的能量释放完毕,L*又开始释放能量,一部分消耗在R*上,一部分向Cr充电,使uc反向上升,如图4所示。

然后,Cr开始释放能量,使iL反向流动,一部分消耗在R*上,一部分转变成磁场能。在uc接近0之前,ω(t-t1)=φ+2β之时,iL达到负的最大值。当ω(t-t1)=π+φ时,uc=0,Cr的能量释放完毕,转由L*释放能量,使iL继续反向流动,一部分消耗在R*上,一部分向Cr反向充电。由于Cr左端的电位被电源箝位于Udc,故右端电位不断下降。当ω(t-t1)=ω(t2-t1),即t=t2时,uc=-Udc,uce=0,二极管D开始导通,使Cr左端电位不能再下降而箝位于0。于是,uc不再变化,充电结束。但是,L*中还有剩余能量,iL并不为0,t2时刻iL(t2)=-I2。这时,在主控制器的控制下,主开关开始导通。因此,是零电压开通。

2.3 [t2,t3]电感放电阶段

如图3(d)所示,可得方程:L*+iLR*=Udc初始条件为:iL(t2)=-I2。

解此微分方程并代入初始条件,可得:

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 L*中的剩余能量,一部分消耗在R*上,一部分返回电源,iL的绝对值按指数规律衰减,在t3时刻,iL=0,L*中的能量释放完毕,二极管自然阻断。在uc=-Udc即uce=0时,主开关已经开通,在电源Udc的激励下,iL又从0开始正向流动,重复[t0,t1]阶段的过程。

二、IGBT驱动电路分析:(推挽式电路,高电平驱动有效)

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作用:保护IGBT可靠导通与关断。

IGBT驱动电压至少需要16V,Q1(PNP管)、Q2(NPN管)组成推挽式驱动电路,它们的工作原理是:

1、当输入信号为高电平时,Q2导通,Q1截止,18VDC电压流通,给IGBT的G极提供门极电压,IGBT导通。线盘开始储能。

2、当输入信号为低电平时,Q2截止,Q1导通,IGBT的G极接地,IGBT关断。此时线盘感应电压对谐电容放电,形成了LC振荡。

3、R6电阻在三极管截止时,把IGBT的G极残余电压快速拉低。C11电容作为高频旁路,另外作为平缓驱动电路波形作用,ZD1稳压管,稳定IGBT的G极电压,预防输入电压过高时,损坏IGBT。

在检锅时,如图2.1所示,波形不是很理想,有点变形。当检到锅工作后,如图2.2所示,控制推挽电路的波形与驱动IGBT波形很相似,功率越大,波形的高电平的宽度越大,B点的波形底部平,原因是LM339控制的一路内部三极管导通接地。而A点的波形底部比地略高一点。再回到零电压。

此电路容易出现的问题为上电烧机,为驱动电路输出高电平导致,温升高、瓷片电容有问题。

三、电流取样电路

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作用:判断有无锅具、恒定电流、稳定调节功率提供反馈输入电流

电流互感器T1的次级测得的交流(AC)电压.经D9~D12组成的桥式整流电路整流,EC3电解电容滤波平滑、由电阻R15、RJ41、RJ16分压后,所获得的电流电压送到CPU,该电压越高表示电源输入的电流越大,待机时电流取样基本为零,如图3.1所示, 电流越大,A点的电流电压波形幅值越高,B点的取样点就越高,表示功率越大。电容EC3选值时不应太大,如果太大了,会造成电容充放电时间太长,影响读取电流AD时间,从而会导致开机时,功率上升的时间很慢。

VR1电位器作校准功率用,通过VR1电阻的大小,就可以调节B点的输出电压,电阻越小,功率越大,反之就功率越小,一般调节电位器在中间位置。

CPU根据监测电压AD的变化,作出各种动作指令

1、判断是否放入合适的锅具。(锅具是否小于Φ80(或Φ60)、是否有偏锅,电流过小,再判PWM是否最大,两者满足则判为无锅)

2、限定最大电流,在低电压时保证电流恒定或不超过。保护关键器件工作在规格要求范围内,以及防止输入电源线或线路板走线过电流不够造成烧断。

3、配合电压AD取样电路及电调控PWM的脉宽,令输出功率保持稳定。

此电路易出现的现象:功率压死、功率飘移、无功率输出、断续加热

四、干扰保护电路

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1、电流保护电路 

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作用:浪涌保护电路,监控输入电网的异常变化,在有异常时,关断IGBT进行保护

1、正常工作时,LM339的1脚内部三极管截止,电阻R19把1脚电压变为高电平,当电源输入端出现大电流时,1脚内部三极管导通,输出低电平,CPU连接的中断口经过二极管D18被拉低,CPU检测到低电平时发出命令,让IGBT关断,起安全保护作用,此保护属于软件保护,另外还有硬件保护,当1脚内部三极管导通,输出低电平,直接拉低驱动电路的输入电压,从而关断IGBT的G极电压,保护了IGBT不被击穿,通常要判断是软件保护还是硬件保护方法是:通常软件保护时,软件会设置2秒才起动,硬件起动时间很快不超过2秒钟。 

2、C点电压由于选择的参考点是地,静态时,C 点的电压由RJ28、R27、R14电阻分压所得,当正常工作起来后,互感器感应输入端的电流,C点的电压会下降,电流越大,C点电压越低,如图4.1所示,所以A点电压也会下降,B点为LM339负端RJ29、RJ25分压后的基准电压,当A点电压下降到B点以下时,LM339反转,D点输出低电平拉低中断口。通过调节输入正负端的参数来改变干扰的灵敏。

用工具查看两输入端在最大功率工作时,比较电压越接近越好,但仿止出现太过灵敏而导致中断间隙。(变频器上(不一定,但是比较能体现)一般干扰比较大,在最大档功率最大电流时(190~210V之间电流最大)最容易出现,)

3、CPU根据中断口检测电源输入端的浪涌电流,程序检测到有低电平,停止工作,起保护IGBT不受浪涌电流所击穿。

此电路异常出现:检锅不工作、不保护爆机。

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