2453全桥驱动电路_大功率IGBT驱动电路及串并联特性研究

近年来 ，IGBT 在电路中的应用越来越广，同时，诸如轨道交通等行业对兆瓦级大功率变流器的需求也增加 ，也就更需要大功率的IGBT 。直接选用大功率等级的 IGBT虽然满足要求 ，但会增加成本和驱动电路的复杂性，因此，驱动电路简单而市场货源充足的串联或并联小功率等级的IGBT的方法就受到了人们的青睐 ，有关人员对此实行了研究。

一、IGBT简介

传统的高压直流输电是以晶闸管作为换流阀，用相控换流器 (PCC ) 技术为核心。但是，晶闸管具有单向导电性， 导致 PCC 技术只能控制阀的开通 ，只有通过交流母线电压过零，把阀电流减 d,N 阀的维持电流以下，才能实现阀的自然关断。IGBT 就是在这种情况下发展而来的 。

IGBT 的全称是 Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管。与传统晶闸管器件相比，它的开关损耗和驱动功率都比较小 、通态压降也明显降低 ，但开关速度和输入阻抗则比较高，因此在高压固态开关、柔性直流输电等需要大功率的设备和场合更为适用。但这些大功率的设备同时也需要较高的电压，通常能达到数十甚至数百千伏 ，然而目前单个IGBT 最高只能达到 6．5 千伏电压 ，因此急需提升容量的方法 。研究人员要兼顾经济性和器件的可靠性 ，因此就需要对多只 IGBT 采取串联或并联的措施 ，以实现大功率的需要 。