代码存储位置与执行位置

RT1052系统包含的存储器

存储器	容量	访问速度	访问方式	特性
SPI-NorFlash	标配32MB	5	FlexSPI外设	FLASH，板载外部存储器（掉电保存）
SDRAM	标配 32MB	4	SEMC 外设	DRAM，板载外部存储器
OCRAM	默认 256KB	3	32 位总线	SRAM， RT1052 芯片内部的通用缓存，使用 32 位总线访问
DTCM	默认 128KB	2	双 32 位总线	SRAM， RT1052 芯片内部的“数据紧耦合缓存”， 只可用于缓存数据
ITCM	默认 128KB	1	64 位总线	SRAM， RT1052 芯片内部的“指令紧耦合缓存”， 只可用于缓存指令（代码）

1.代码存储在外部NorFlash中并且执行

代码保存在 SPINorFlash 中， 内核通过 FlexSPI 外设从 SPI-NorFlash 中加载代码并执行，而 DTCM、
OCRAM、 SDRAM 存储器则用于存储 C 语言的堆栈、以及显存等内容，即内核从这些位置
加载运行的数据。
由于 SPI-NorFlash 掉电后能正常保存内容，所以在下一次上电后，系统仍然能正常执
行 NorFlash 中保存的程序，所以在发布应用的时候通常采用把代码保存到 NorFlash 的这种
方式。

2.代码存储在 RAM 中并执行

无论代码是存储在 ITCM、 OCRAM 或 SDRAM，它们相对于 NorFlash 的写入速度都
快得多，但由于掉电后代码会丢失，所以这种运行方式通常只用于开发阶段进行调试。

3.代码存储在 FLASH，在 RAM 中执行

系统平时把代码存储在 NorFlash，这能保证掉电后也能正常存储，
在上电后把代码从 NorFlash 复制到 ITCM、 OCRAM 或 SDRAM 中， 在正式运行时，内核
直接从这些 RAM 内加载代码并执行， 由于内核对 RAM 的访问速度更快，所以这能提高代
码的执行速度，尤其是与内核联系紧密、使用 64 位线宽的 ITCM，它是专门设计需要高速
执行代码的。