讲到晶体管的截止和饱和状态的条件,尤其是饱和状态时先计算饱和时的集电极电流,可以计算出来产生饱和的最小基极电流,特别注意的是电流控制型的器件,基极电阻不能太大,以免不能产生饱和导通的电流。
如下例3-16中,进入饱和导通状态后,增加基极电流IB将使得晶体管进入更深程度的饱和状态,但Ic不会增加了,也就是饱和了,这时IC/IB不满足200条件了(只有在线性区域有效)
摘自:《模拟电子技术基础:系统方法》
讲到晶体管的截止和饱和状态的条件,尤其是饱和状态时先计算饱和时的集电极电流,可以计算出来产生饱和的最小基极电流,特别注意的是电流控制型的器件,基极电阻不能太大,以免不能产生饱和导通的电流。
如下例3-16中,进入饱和导通状态后,增加基极电流IB将使得晶体管进入更深程度的饱和状态,但Ic不会增加了,也就是饱和了,这时IC/IB不满足200条件了(只有在线性区域有效)
摘自:《模拟电子技术基础:系统方法》