永霖光电_UVLED-CSDN博客

原创 WIN Semis揭幕耐湿砷化镓pHEMT技术

PP10-29的心脏是一颗多功能的0.1µm栅极D型芯片，其ft/fmax分别高达145GHz和180GHz，宛如一位高效的舞者，在4V的舞台上尽情挥洒。PP10-29，这一技术的璀璨明珠，根植于久经考验的PP10平台之上，汲取了WIN半导体公司第二代防潮工艺EMRII的精华。EMRII如同为晶体管量身打造的铠甲，它在晶圆级上形成了一层机械保护，抵御潮湿的侵袭，同时巧妙地利用局部气腔设计，将附加寄生电容的影响降至最低，确保了放大器在增益、噪声系数和输出功率上的卓越表现。

2024-06-24 09:24:15 216

原创 Lynred在欧洲防务展上将展出新品——“HOT”红外传感器Seegnus。

谈及这款新品，Lynred产品经理Alain Manissadjian难掩激动之情：“Seegnus不仅融合了当今相机制造商所需的所有顶级红外成像性能标准，其紧凑的大型阵列格式、150K‘HOT’设计以及低重量和低功耗优势，更是彰显了我们在III-V半导体技术领域的深厚实力。Seegnus的应用场景广泛，无论是无人机（UAV）万向节、战术护目镜，还是装甲车瞄准具、遥控武器瞄准具（RCWS）以及潜艇光电桅杆，它都能凭借其出色的红外成像能力，为各类战术任务提供精确而稳定的视觉支持。

2024-06-21 08:43:54 265

原创 1200V GaN HEMT 在科技前沿的征途上

尽管受限于GaN层的厚度，其阻断电压目前尚停留在650V，但研究团队通过不断优化材料及其加工技术，已成功将静态阻断电压提升至超过1200V，展现了巨大的潜力。总之，弗劳恩霍夫国际应用科学院在GaN HEMT的研发领域取得了令人瞩目的成果，不仅为电动汽车双向充电等应用提供了更经济高效的解决方案，还为整个电力电子行业的发展注入了新的动力。这款新型的GaN HEMT，其阻断电压高达1200V以上，堪称电力电子领域的翘楚，尤其适用于电动汽车双向充电等前沿应用场景。

2024-06-20 07:22:19 322

原创 Trumpf将携其用于光学传感的VCSEL紧凑型激光器精彩亮相

值得一提的是，预计在2024年晚些时候，Trumpf将进一步拓展其偏振VCSEL产品组合，推出具备2 mW输出功率的偏振控制、单发射器、单模VCSEL组件，这将为工业光学编码、光谱学等领域注入新的活力。Trumpf公司表示，VCSEL技术的光学传感之所以能在测量领域大放异彩，得益于其极窄的光谱线宽，能够敏锐捕捉微小变化，实现高度精确的测量。ToF测量技术巧妙利用VCSEL发射的短脉冲光，通过精确测量光从发射到物体反射回来的时间，结合光速的恒定特性，实现距离的精准计算。

2024-06-15 09:26:42 290

原创 GaN VCSEL：工艺革新引领精准波长控制新纪元

更令人瞩目的是，它们所展现出的壁插效率峰值已超越20%的界限，这对于氮化镓垂直腔面发射激光器而言，无疑是一项令人叹为观止的成就。日本工程师们凭借精湛的技艺，开创了一种革命性的生产工艺，让VCSEL的制造达到了前所未有的高效与精准。这类激光器独特的结构，包括由交替的AlInN和GaN层形成的电介质顶部镜和底部镜，不仅简化了制造过程，更在性能上实现了质的飞跃。这种特殊方法的应用，不仅体现了工程师们的智慧与勇气，更为氮化镓基VCSELs的未来发展奠定了坚实基础。这一改进的成功实施，极大地提升了器件的性能稳定性。

2024-06-13 09:27:15 540

原创 GaN VCSEL：改进生产工艺

由于该团队的VCSEL设计采用了4l腔结构，两个氧化物层的厚度仅为0.3l，因此由这对氧化物层引起的实际厚度偏差相对较小，约为GaN基3.7l腔的一半。在壁插效率方面，直径为5mm的设计展现出了令人瞩目的性能，效率峰值高达21.3%，在驱动电流为8.44mA的条件下，产生的输出功率接近10mW。上图展示了该团队研发的VCSEL产品中的5纳米高台面设计，它如同精密的光学舞台，确保横向电流和光学限制得以完美实现，为未来的光学通信和显示技术开辟了崭新的道路。

2024-06-12 08:28:49 600

原创三菱电子推出16W GaN PA，用于大规模MIMO

在发射端与接收端，MIMO巧妙地运用了多个发射天线和接收天线，如同一位技艺高超的指挥家，引导信号在多个天线间穿梭，编织出一幅幅清晰流畅的通信画面，从而显著提升了通信质量。MIMO技术的魅力在于其空间资源的充分利用。通过多个天线的协同工作，实现了多发多收的通信模式，不仅在不增加频谱资源和天线发射功率的前提下，大幅度提升了系统信道容量，更展示了其独特的优势，成为下一代移动通信的核心技术。这款PAM如同一位高效的指挥家，通过减少所需的PAM数量，巧妙地扩大了5G mMIMO基站的通信范围，并降低了制造成本。

2024-06-11 09:02:12 415

原创 Silanna UV光荣推出了一款革命性的高功率远紫外线LED

这款名为SF1-3M1FWL1的高功率远紫外线发射装置，凭借其235nm的峰值波长，在紧凑的LED封装中脱颖而出，预示着它将开启一系列崭新的应用市场和潜在商机。更令人惊喜的是，这款UV LED的ESD保护已经巧妙地集成在6.8平方毫米的小尺寸封装中，充分展现了Silanna UV在技术创新方面的实力。值得一提的是，Silanna UV的这款新组件已经获得了美国专利保护，其典型视角达到125度，在30mA下的典型输出功率更是超过3mW，展现出了卓越的性能。

2024-06-10 05:36:22 458

原创剑桥GaN与台湾工研院缔结合作之约，携手共筑USB-PD适配器新篇章

根据世界银行集团分析师、Yole集团的数据，氮化镓市场预计将超过10亿美元，主要增长点在于通信电源、汽车DC/DC转换器和车载充电器的应用。具体而言，该协议涵盖了140-240瓦范围内的电源解决方案的开发，其功率密度超过30瓦/立方英寸，适用于电动交通、电动工具、笔记本电脑和手机应用。我们很高兴将这些优势纳入我们的新电源设计中。剑桥GaN器件公司（CGD）与台湾工业技术研究院（ITRI）签署了一份谅解备忘录，以巩固双方在开发用于USB-PD适配器的高性能GaN解决方案方面的合作伙伴关系。

2024-06-03 08:58:58 279

原创 Luminus推出新型高性能 UV-A LED

Luminus Devices推出的SST-08H-UV，作为SST-08-UV的升级版，以其独特的高功率UV-A LED系列，犹如一道璀璨的光束，照亮了众多领域。这款LED的卓越之处在于，它巧妙地利用了365nm、385nm、395nm和405nm的峰值波长选项，从而最大化地提升了“每美元的光输出”，实现了光效与成本的双重优化。总而言之，Luminus Devices的SST-08H-UV以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了一款备受瞩目的高功率UV-A LED产品。

2024-06-02 23:20:32 248

原创阿贡实验室将领导MoS2芯片项目

直到不久之前，微电子才开始大肆消耗地球上的电力资源，”埃兰博士感慨道，“现今的计算机，竟将90%以上的能量耗费在存储器和逻辑功能之间的数据传输上，而这些功能却分散在各自独立的芯片之上。斯坦福大学的埃里克·波普将专注于开发二维场效应晶体管器件，西北大学的马克·赫尔萨姆则致力于研发使用原子层沉积二硫化钼的存储晶体管，而博伊西州立大学的埃尔顿·格劳格纳德则将对原子层沉积二硫化钼涂层进行高级表征，以全面评估材料的质量。据预测，至2030年，微电子将占据全球能源消耗的庞大份额，高达20%。

2024-05-31 08:28:27 379

原创 EPC将在PCIM上演示GaN应用

在即将于2024年6月11日至13日盛大举行的纽伦堡PCIM Europe 2024博览会上，EPC将以其卓越的GaN功率转换解决方案为核心，为观众呈现一场科技盛宴。届时，现场将充满科技氛围，机器人、无人机、太阳能优化器和人工智能服务器将成为展示的明星产品。在此次展览中，EPC不仅将展示其独特的GaN功率转换技术，更将在现场为观众呈现精彩的技术演示。此次EPC在PCIM Europe 2024的展示活动将是一场科技与智慧的盛宴，不仅为观众带来视觉与听觉的双重享受，更将激发人们对未来科技发展的无限遐想。

2024-05-30 07:52:46 322

原创 Rohm公司参展欧洲PCI盛会

而功率级IC BM3GxxMUV-LB系列，更是集成了650V GaN HEMT和栅极驱动器，通过更高集成的PFC和QR（准谐振）反激式转换器，实现了更为出色的性能提升。此外，公司还将举办一系列专注于宽带隙器件的海报会议，与参会者分享其在该领域的最新研究成果与心得。在这个为期三天的盛会中（6月11日至13日），Rohm公司将以璀璨之姿，特别聚焦宽带隙（WBG）设备的璀璨光芒。此次欧洲PCI展览会，Rohm公司以其卓越的技术实力和前瞻性的战略布局，再次展现了其在功率产品领域的领先地位。

2024-05-29 07:32:06 276

原创 Brewer Science将在CS Mantech进行展示

Brewer Science业务运营执行董事亚历克斯·史密斯 (Alex Smith) 先生，作为行业的佼佼者，他将以丰富的经验和深刻的见解，向我们阐述化合物半导体制造中材料属性的关键要素：诸如缺陷控制、蚀刻选择性、热管理以及最终图案化的精准实现等。在风景如画的亚利桑那州图森市举办的CS Mantech盛会上（2024年5月20日至23日），杰出化合物半导体材料企业Brewer Science，将带来一场名为“化合物半导体制造的创新材料解决方案”的演讲盛宴。

2024-05-28 08:05:47 193

原创 MicroLED：苹果对知识产权的影响

最近的专利成果不仅解决了最后阶段的诸多挑战，还显示出多步转移过程的普及趋势，其中激光和压印方法的应用日益广泛，而流体自组装技术也重新焕发生机。苹果公司，作为微LED领域的先行者，早在2014年便敏锐地捕捉到Luxvue这家初创公司的潜力，将其纳入麾下，引发了业界的广泛关注。然而，时光荏苒，至2024年2月，尽管苹果公司倾注了长达十年的心血与30亿美元的巨资，却终究未能将其智能手表微LED项目推向成功，这一消息在Yole Group的最新报告《2024年微LED显示屏知识产权格局》中得以披露。

2024-05-27 07:42:11 400

原创匠心独运的掺Si量子势垒策略，显著提升了AlGaN基深紫外LED出光率

然而，QW中强大的极化诱导电场（高达MV/cm）一直困扰着研究人员，它如同一道无形的屏障，削弱了电子-空穴波函数的重叠，进而降低了AlGaN基DUV LED的量子效率。但遗憾的是，过度依赖Si掺杂层可能导致表面凹陷的风险增加，进而损害MQW的界面质量，不仅阻碍了器件光电性能的提升，还加速了操作过程中的可靠性劣化。周胜俊教授在谈及这一成果时表示：“我们惊喜地发现，三明治状的Si掺杂方案犹如一把魔法棒，有效改善了多量子阱（MQW）的界面质量，成功抑制了因重度Si掺杂量子势垒诱导的MQW表面凹陷现象。

2024-05-26 09:39:57 230

原创 Lumines推出RGBL彩色混合LED

Yves Bertic，Luminus Devices的高级业务线总监，兴奋地分享道：“我们崭新的四合一 RGBL LED技术，赋予了客户们无限的设计与升级空间，让他们能够打造出具备高流明输出与卓越可靠性的灯具。特别值得一提的是，我们采用了Luminus陶瓷基转换绿色技术，让Lime通道在超高电流驱动下仍能保持无与伦比的性能，为40W混色市场树立了崭新的标杆。更令人振奋的是，这些LED的CRI值超过85，确保在3000K至8000K的广阔色温范围内都能提供明亮而真实的照明效果。

2024-05-24 07:52:02 311

原创 Cree LED增加便携式照明的输出

我们的性能和成本要求得到了满足，使我们能够将这些LED纳入我们的创新产品中，并为我们的客户提供最佳的闪光灯体验。据说XFL LED系列具有无与伦比的性能，以更小的发光表面产生竞争解决方案的光输出，转换为更精确的光束形状、更小的颜色变化和更长的投射距离。在现有的手电筒设计中，XFL LED比现有的LED增加了54%的投射距离，使其能够点亮近6个足球场或644米外的物体。最明亮的XFL LED XFL10K能够产生高达2万流明的光，这是汽车远光灯在闪光灯中的光输出的三倍。

2024-05-22 07:26:19 307

原创一款新的、低成本的、高效的PIC？

如今，EPFL的托拜厄斯·J·基彭伯格与上海微系统与信息技术研究所的辛欧联手，引领科学家们攻克难题，成功开发出基于钽酸锂的新型PIC平台。钽酸锂，作为铌酸锂的近亲，不仅继承了其优异的电光特性，更在可扩展性和成本方面展现出明显优势。然而，高昂的成本和复杂的生产要求，使得铌酸锂在商业化道路上步履维艰。这一突破性的成果，在《自然》杂志的“使用铌酸锂集成光子的超快可调激光器”一文中得以彰显。EPFL的领导团队，以其卓越的智慧和精湛的技术，成功打造了一款基于钽酸锂的PIC平台，为光子学领域带来了前所未有的突破。

2024-05-21 07:43:05 412

原创 GaN-on-GaN加深沟槽结构，提高器件的击穿电压

使用10mTorr的腔压力，团队评估了在100W和20W的射频功率下蚀刻、150W和250W的电感耦合等离子体功率、300V、200V和95V的直流偏置条件以及TMAH处理的使用和不使用的影响。「在先前研究结果的基础上，我们的工作不仅探索了拐角形态和电场分布之间的关系，而且更深入地探讨了TMAH处理的各向异性，包括沟槽结构和a/m平面侧壁表面形态的差异，」团队发言人李艳君指出，之前的研究只是集中于TMAH处理如何产生更光滑的沟槽底部拐角，从而提高了器件的击穿电压。

2024-05-20 08:04:51 307

原创 VueReal推出ColorFusion微型显示屏

通过将我们尖端的微型LED技术与LCOS系统集成，我们已经实现了一定程度的视觉逼真度和能量效率，这将改变增强现实的未来。VueReal的专利工艺可以传输数以百万计微米大小的LED，具有无与伦比的吞吐量、可扩展性和高产率。使用VueReal的MicroSolid印刷平台构建的ColorFusion microDisplay集成了全色microLED技术、图像质量增强算法和LCOS（硅上液晶）系统，通过节能算法和可变帧速率提供高分辨率、高灰度和色深、高对比度和低功耗。

2024-05-19 14:37:26 229

原创 Inseto现在在欧洲提供晶片切割刀片

作为切割锯和多种加工设备的供应商，Inseto还可以在项目早期就模具之间的最佳“街道”宽度等问题向客户提供建议，因为在晶片上尽可能多地获得模具和能够在不造成损坏的情况下在模具之间进行切割之间进行权衡是可以理解的。“在这些国家，我们的技术专家已经为人们所熟知，并支持活跃在半导体制造业的客户。“我们被K&S公司任命在欧洲另外四个国家分销带颈叶片，这本身是一个好消息，”Brown总结道，“但它也更广泛地承认，Inseto在半导体制造的各个方面都拥有内部专业知识，我们能够帮助客户实现巨大的规模经济和投资回报。

2024-05-19 14:04:51 269

原创英国CSConnected任命新董事总经理

CSconnected董事长Wyn Meredith评论说：“我们正进入南威尔士半导体产业簇扩张的新阶段，这是由我们的工业合作伙伴的快速增长以及全球半导体产业预测到2030年将超过每年1T美元所驱动的。霍华德的任命预示着CSconnected团队的扩大，以支持威尔士在英国半导体项目中的地位，如1.6亿英镑的南威尔士投资区和10亿英镑的英国半导体战略。CSconnected代表与化合物半导体相关技术的研究、开发、创新和制造直接相关的组织，以及其产品和服务由化合物半导体实现的供应链沿线的组织。

2024-05-19 13:46:18 270

原创西兰纳紫外线公司将推出新的235nm辐射源

澳大利亚的Silanna紫外线公司，将在2024年国际紫外线协会（IUVA）美洲会议上，向全球展示其研发的最新远紫外线近距离照射模块。而Silanna紫外线公司的这款远紫外线近距离照射模块，无疑将成为会议的一大亮点，引领消毒技术迈向新的未来。在模块的核心，是Silanna UV引以为傲的专有SF1-3U8P3L1技术，这是一项革命性的高效抛物面透镜235nm LED阵列。它集合了硬件与参考设计的精髓，通过发射235nm紫外线，迅速而高效地中和空气、水和表面上的病原体，将消毒技术推向了新的高峰。

2024-05-19 13:33:21 147

原创英飞凌SiC模块为小米电动车提供动力

小米电动汽车副总裁兼供应链部门总经理黄振宇激动地表示：“英飞凌，作为我们小米电动汽车的坚实后盾，在功率半导体领域拥有举世瞩目的技术与制造实力，其微控制器产品组合更是高度可扩展，充满无限可能。作为汽车行业的领军者，我们凭借丰富的产品组合、对系统深刻的理解以及遍布各地的制造基地，已做好充足准备，共同塑造未来出行的美好蓝图。英飞凌，这家业界翘楚，将倾其所能，为小米SU7 Max提供两颗HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模块，如同给电动汽车的心脏注入了强大的动力源泉。

2024-05-15 23:08:08 425

原创 SEMI启动SiC专有技术项目

而我们SemiQ所推出的已知良好尺寸的SiC MOSFET，凭借其近乎恒定的结电容、极低的插入损耗以及在高频应用中展现出的高度隔离性能，为客户带来了显著的性能优势。此外，这些KGD设备还可根据客户需求，在多种载体介质上进行灵活翻译，包括蓝胶带、预固化紫外线胶带以及胶带和卷筒等，以便更好地与客户的生产工艺相集成。该公司进一步强调，此项筛选程序不仅确保了电气参数的稳定性，更使得客户能够信赖其可重复的性能，从而打造出诸如高压电源、牵引逆变器和功率调节系统等各类高端设备。

2024-05-12 16:50:03 288

原创 NREL概述了串联电池的前进方向

阿尔贝里是NREL材料科学中心的主任，他说，大型制造商和初创公司正在开发使用更具可扩展性的光伏技术的较新型混合串联模块，“但我们不知道有任何正在大规模生产和销售的模块。“事实证明，现有的联盟在单结光伏技术的发展和商业化方面非常有帮助，因为它们可以帮助信息共享，倡导有助于整个领域的跨领域研究，并促使更多的利益相关者共同努力解决影响整个领域的问题，”阿尔贝里说。正如研究人员在最近发表在《焦耳》杂志上的一篇文章中所指出的那样，除了目前安装的1太瓦的容量外，全球必须增加更多的太阳能。

2024-05-10 07:49:51 887

原创微型显示器可以实时监测大脑活动

戴耶和他的团队利用他们在氮化镓方面的专业知识，开发了一种高效LED的制造技术，这种LED在点亮时不会发热，也不会损伤脑组织。该团队计划构建定制的硬件来改变打开LED的脉冲频率，以便更容易地筛选出与大脑电活动无关的信号。来自加州大学圣地亚哥分校和马萨诸塞州总医院的工程师和医生开发了一种薄膜显示设备，该设备结合了电极网格和特殊的GaN LED，可以在手术过程中实时跟踪和产生大脑活动的视觉表现。这将允许外科医生在可折叠的部分内进行手术，并监测手术的影响，因为微型显示器的另一个展开的部分实时显示大脑的状态。

2024-05-09 21:54:51 350

原创 VueReal将在Display Week上推出microLED创新技术

在2024年显示周（5月12日至16日在圣何塞举行）上，VueReal将展示其MicroSolid打印平台，并展示其在推动微LED显示器和其他微型半导体器件在智能手机显示器和AR/VR解决方案等一系列应用中的广泛采用方面的多功能性。VueReal使用其专有的LED传输技术，推出了一种优化的用于显示器的倒装芯片microLED，消除了后处理的复杂性和资本支出，同时为智能手表提供充满活力、节能的显示器。永霖光电-UVSIS-UVLED紫外线应用专家-独家发布。

2024-05-08 22:00:30 212

原创通过氧气退火增强β-Ga₂O₃二极管.中国科技大学和河北半导体研究所的研究人员在这一特定领域取得了最新重大进展

为了研究氧气退火的影响，Wu及其同时使用来自Novel Crystal Technology的外延晶片制造了一系列尺寸未公开的器件，但明显小于3毫米乘3毫米，该外延晶片具有10微米厚的轻硅掺杂漂移层，该漂移层通过HVPE沉积在载流子浓度为5 x 1018 cm-3的锡掺杂β-Ga2O3基板上。该团队已经证明，通过β-Ga2O3的HVPE生产的样品的氧气退火降低了这些薄膜的表面粗糙度和位错密度，从而提高了肖特基势垒二极管的击穿电压。“此外，我们的目标是研究氧气退火对台面终端的影响，”吴说。

2024-05-07 21:51:40 390

原创 Guer完成对Gallium Semi的GaN产品组合的收购

两家公司都有共同的GaN和GaAs产品代工厂合作伙伴，并瞄准类似的应用和细分市场。Guerrilla RF将继承各种已发布和抽样产品，包括简单的、无与伦比的晶体管，以完全集成的不对称Doherty PA。这些产品的额定峰值功率水平从5W到400W不等，与Guerrilla RF现有的InGaP HBT和GaAs pHEMT放大器产品组合相辅相成，这些产品适用于2W及以下的功率水平。通过整合这些资产，该公司打算显著加强其正在进行的开发和商业化专为无线基础设施、军事和卫星通信应用而定制的新型GaN器件的努力。

2024-05-06 21:43:07 216

原创仲夏公司，宣布太阳能超级工厂的选址

这符合该市的战略计划，将成为该市最大的工作场所之一，并将促进当地商业的发展。仲夏公司将于今年 9 月接管该工厂，因为欧盟批准了名为 DAWN 的项目，该项目将在该工厂内开始，并开始改造该工厂和安装机器，预计将于 2026 年开始生产。该工厂部分由欧盟创新基金资助，将拥有200兆瓦CIGS薄膜太阳能电池的最大年产能，这种电池薄、轻、柔韧，对气候的影响极小。瑞典中部弗伦市被瑞典薄膜太阳能电池制造商仲夏公司选中，作为其新的200兆瓦大型工厂的所在地，该工厂将为欧洲市场生产薄膜太阳能电池。

2024-05-05 21:46:40 163

原创安赛米Q1超出预期

其他业绩包括 GAAP 毛利率和非 GAAP 毛利率分别为 45.8% 和 45.9%。GAAP 营业利润率和非 GAAP 营业利润率为 28.2% 和 29.0%。在当前环境下，我们仍然专注于执行，同时为我们的长期增长进行投资。随着电力在世界日益增长的能源需求中继续发挥关键作用，效率至关重要，我们将继续凭借我们行业领先的电力和传感技术组合获得市场份额。“尽管市场条件充满挑战，但我们在过去三年中对业务所做的结构性调整使我们能够维持毛利率，”Onsemi总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury说。

2024-05-05 21:42:33 310

原创 Transphorm和Weltrend释放更多的GaN SiP

Transphorm的SuperGaN平台所提供的全面封装解决方案，无疑为各类设备提供了卓越的性能和简便的设计方案，无论是低功率的30瓦特USB-C PD电源适配器，还是高功率的近200瓦特充电器，都充分展现了Transphorm GaN的独特优势。这两款新型的SiPs——WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，不仅集成了Weltrend的高频多模（QR/谷切换）反激PWM控制器，还分别装备了Transphorm的150mΩ和480mΩ SuperGaN FET。

2024-05-04 23:42:16 378

原创一种制造高效GaN基VCSEL的新方法

为了校准附加层的厚度，研究团队在利用原位腔控制生长的GaN测试结构上，沉积了不同厚度的ITO电极和Nb2O5间隔层。竹内教授总结道：“精确控制GaN层的原位厚度，并结合ITO电极和Nb2O5间隔层的厚度校准，就像使用高度精确的天平构建详细的架子一样，能够实现对VCSEL制造过程的高度控制。”这一突破性的研究成果，无疑为光电器件领域的发展注入了新的活力。最后，研究人员将调谐后的ITO电极和Nb2O5间隔层应用于通过原位腔控制生长的VCSEL腔中，成功制造出了孔径尺寸为5至20µm的GaN-VCSEL。

2024-05-02 19:39:25 405

空空如也

空空如也