Onsemi 推出首款 TOLL 封装 650V SiC MOSFET

 

新器件封装尺寸缩小 60%，性能增强，损耗减少

Onsemi 在 PCIM Europe 上宣布了世界上第一个 TO-Leadless (TOLL) 封装的 SiC MOSFET。该晶体管满足了对适用于高功率密度设计的高性能开关器件快速增长的需求。直到最近，SiC 器件一直采用 D2PAK 7 引线封装，这需要更大的空间。

TOLL 封装的占位面积仅为 9.90 mm x 11.68 mm，与 D2PAK 封装相比，PCB 面积可节省 30%。它的外形仅为 2.30 毫米，占用的体积比 D2PAK 封装小 60%。

除了尺寸更小外，TOLL 封装还提供比 D2PAK 7 引线更好的热性能和更低的封装电感 (2 nH)。其开尔文源配置确保更低的栅极噪声和开关损耗 - 与没有开尔文配置的器件相比，包括开启损耗 (EON) 降低 60%，确保在具有挑战性的电源设计中显着提高效率和功率密度作为改进的 EMI 和更容易的 PCB 设计。

Onsemi 高级副总裁兼高级电源部总经理 Asif Jakwani 表示：“在小空间内提供高度可靠的电源设计的能力正在成为许多领域的竞争优势，包括工业、高性能电源和服务器应用。 . “将我们一流的 SiC MOSFET 封装在 TOLL 封装中不仅可以减少空间，还可以提高 EMI 等许多领域的性能并降低损耗。结果是高度可靠和坚固耐用的高性能开关器件，将帮助电源设计人员应对严格的电源设计挑战。”

第一款采用 TOLL 封装的 SiC MOSFET 是 NTBL045N065SC1，适用于要求苛刻的应用，包括开关模式电源 (SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能。该设备适用于需要满足最具挑战性的效率标准的设计，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium。

NTBL045N065SC1 的 VDSS 额定值为 650 V，典型 RDS(on) 为 33 mΩ，最大漏极电流 (ID) 为 73 A。基于宽带隙 (WBG) SiC 技术，该器件的最高工作温度为 175 °C 和超低栅极电荷 (QG(tot) = 105 nC)，可显着降低开关损耗。此外，TOLL 封装具有 MSL 1（湿度敏感度 1 级）等级 - 并得到保证 - 以确保降低批量生产中的故障率。

永霖光电-UVSIS-发布