EPC Space 增加 40V Rad Hard GaN 功率芯片-CSDN博客

EPCSpace推出了40V、4mΩ的EPC7019G GaN晶体管，专为星载和其他高可靠性环境的电源转换设计。这款器件具有出色的抗辐射性能，总剂量等级超过1Mrad，LET的SEE抗扰度达到85MeV/(mg/cm²)，并且在尺寸和成本上优于传统RH硅MOSFET。其双栅极紧凑封装占地小于45mm²，适用于卫星、机器人和深空探测等应用，提供更高效率和功率密度。

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超低导通电阻晶体管针对关键星载和其他高可靠性环境中的电源转换解决方案

EPC Space 宣布推出 EPC7019G，这是一款 40 V、4 mΩ、530 Apulsed 抗辐射 GaN 晶体管，与最接近的抗辐射 (RH) 硅 MOSFET 相比，它成本更低，效率更高。 EPC7019G 的总剂量等级大于 1 Mrad，LET 的 SEE 抗扰度为 85 MeV/(mg/cm2)。这些器件采用全新紧凑型密封封装，具有双栅极，占位面积小于 45 mm2。该器件的芯片级版本可从 EPC 获得。

凭借更高的击穿强度、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更好的导热性和更低的导通电阻，基于 GaN 的功率器件显着优于基于硅的器件，并且能够实现更高的开关频率，从而带来更高的功率密度、更高的效率等用于关键星载任务的紧凑和重量更轻的电路。

受益于这些产品性能的应用包括卫星和太空任务设备的电源、机器人的电机驱动器、仪器仪表和反应轮以及深空探测器。

“EPC7019G 是目前市场上所有封装的 rad hard 晶体管中导通电阻最低的，”EPC Space 首席执行官 Bel Lazar 说。 “与替代的抗辐射硬硅解决方案相比，该器件为空间和其他高可靠性市场提供了具有卓越品质因数、显着更小尺寸和更低成本的关键任务组件。”