MTK PE+ 1.1快充协议详解

MTK PE+ 1.1快充协议详解
本文的实验基于某款MTK平台的4G手机，电池充电芯片是TI的BQ24261MRGER。
手机端通过I2C控制充电芯片的充电电流在100mA-500mA之间跳变，从而在VBUS上产生电流脉冲信号。
充电头从VBUS上检测到电流脉冲信号，解读指令，做出VBUS升压或降压动作。

上图是手机端BQ24261M充电电路。

上图的通讯协议“两短三长一停止”是升压指令。
在充电头电压调整切换的暂态过程中，充电电流会先变为零(有一个短暂跌落)，电压调整升上去之后充电电流又会恢复。所以电流波形“两短三长一停止”后面会多一个“一低一高”电流脉冲。
上图到了第三个电压台阶（VBUS为9V）之后，电流波形在“两短三长一停止”+“一低一高”后面又来一个“一低一高”，这最后多出来的“一低一高”是因为最后调整为大电流充电，电流调整过程是先把电流调整为0，然后设置为需要的电流，最后就出现了0A/1.6A的跳变。

上图是VBAT充电电流脉冲（100mA/500mA跳变）导致的VSYS电压变化。
从上图可以看出来，正常情况下VSYS电压波动在200mV以内。

上图是VBUS端电压变化，从5V跳变到7V，然后再跳变到9V。
从通讯协议“两短三长一停止”可知VBUS和VSYS的通讯电压波形是反向的，因为给电池充电会使负载端（VBAT和VSYS）电压升高，但会使源端（VBUS）电压拉低。

上图是一款支持MTK PE+ 1.1快充协议的芯片iW1788参考电路图。VBUS从VOUT拉电流脉冲，辅助线圈Naux因为100mA/500mA的电流脉冲跳变而产生电压跳变，从iW1788的Vsense脚检出，然后通过MOS管Q1去控制原边线圈Npri的占空比从而改变副边线圈Nsec的电压输出5V/7V/9V。

MTK PE+ 1.1的缺点是100mA/500mA电流脉冲跳变会导致VSYS和VBAT电压波动，在电池低电量的情况下更甚。某款MTK平台的手机因为用的电池是4000mAh带大屏LCD，在屏幕调到最大亮度时功耗非常大，这个时候再进行2G/3G/4G网络信号检测，就会导致网络信号不稳。
2G/3G/4G的前端功放芯片是用VBAT或VSYS电压供电的。VBAT电压比VSYS更稳定一些，该款手机的射频功放是采用的VBAT电池端供电，但也抵不住供电能力不足和MTK PE+1.1电流脉冲干扰的双重影响。

2G天线最大传导发射功率为33dBm（辐射功率TRP要小一些，GSM900的TRP要求做到27dBm以上，相差小于6dBm，也就是相差小于4倍，天线的辐射效率要大于25%），对应功率为2W。而射频功放的效率并不高，只有40%左右，那么实际需要的电功耗为2/0.4=5W，折算到低电量3.6V的电池电流为5/3.6=1.39A。
这个1.39A是手机网络检测导致的可能最大脉冲电流。再加上充电芯片导致的500mA脉冲电流，总脉冲电流接近2A。而大屏LCD高亮情况下耗电超过1A，加上系统其他电流消耗，DC电流大概能有2A左右。
4000mAH电池在3.6V低电量的情况下电量已经很少，2A DC电流+2A脉冲电流导致VBAT电压相当不稳，波动比较大，导致射频功放信号不稳定，手机网络检测动作认为是网络信号不好，出现信号跳水（5格到1格之间信号跳变）。

该款手机在电池电压3.8V以上插入充电器充电是不会出现网络信号不稳现象的，3.8V是恒流充电阶段，充电电流也很大，信号不稳并非充电芯片电路PCB布局或Layout没画好。
归根结底是方案没做好，整机功耗没核算好，用了平板电脑的屏幕做手机屏，电池容量不匹配，然后充电芯片的供电和充电能力也仅适用于当时常见的普通4G手机。某厂家标新立异想做一个介于手机和平板电脑之间的一个产品，做了这么一个尝试，最后该款手机没有推向市场，仅做了一些实验样机。