电子技术基础

模拟电路

半导体

多子： 多数载流子

$I-V$ 特性： $i=I_s(e^{v_D/n{V}_T}-1)=I_s(e^{v_D/26\mathrm{mV}}-1)$

稳压管（齐纳二极管）： 在反向击穿时，电压为 $V_z$ ，电流区域为 $I_{z(min)}\sim I_{z(max)}$

二极管参数：

	硅管	锗管
门槛电压	0.5V	0.1V
导通电压 (0.1mA)	0.7V	0.2V

小信号模型： $r_d=V_T/I_D=26\mathrm{mV}/I_D$

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BJT（NPN型）

结构：
集电极c，基极b，发射极e
集电极反偏（即c的电压高于b），发射极正偏（b的电压高于e）， $V_c>V_b>V_e$

公式： $I_c+I_b=I_e$ ， $I_c=\beta I_b$

（注： 温度升高， $\beta$ 增大）

特性曲线：

• 输入特性：输出 $v$ 一定，输入 $i$ 与输入 $v$ 的关系
• 输出特性：输入 $i$ 一定，输出 $i$ 与输出 $v$ 的关系

共射极 e 特性曲线：

• 输入特性： $i_b\sim v_{be}$ 类似二极管
• 输出特性： $i_c$ 与 $v_{ce}$ 无关（恒流区、放大区）， $I_c=\beta I_b$ ，$v_{ce}$ 很小时为饱和区
• 截止区： $i_b<0$ ，均反偏；饱和区： $v_{be}>v_{ce}>0$ ；放大区：$V_c>V_b>V_e$

“共xx极”的判断： 先找输入和输出分别是哪一极，剩下的就是“共xx极”

极限参数： 各个极之间的电压的最大值，电流 $i_c$ 的最大值

小信号模型：

$$\begin{array}{rl}{r}_{be}& =r_{b{b}^{\prime }}+(1+\beta )\frac{V_T}{I_{eQ}}\\ & =200\mathrm{\Omega }+(1+\beta )\frac{26\mathrm{mV}}{I_{eQ}}\end{array}$$

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MOSFET（金属-氧化物-半导体 场效应管）

分类：

• N 型： 沟道是 N 型，即电子（箭头指向内）； P 型： 沟道是 P 型，即空穴（箭头指向外）
• 增强型： 没有外加电压时，就没有沟道（虚线）， $v_{gs}>V_{TN}$ 时，产生沟道，输出特性类似于 BJT
• 耗尽型： 没有外加电压时，就有沟道（实线）， $v_{gs}<-V_{TN}$ 时，不再产生沟道

结构： 漏极d（集电极c），栅极g（基极b），源极s（发射极c）

转移特性曲线： 输出 $v_{gs}$ 随输入 $i_d$ 的变化，二次曲线

夹断点 $I-V$ 特性曲线： $i_D＝K_n（v_{GS}-V_{TN}{）}^2$

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放大电路

定义

五个增益 $A$ ：

$$\begin{array}{rl}{v}_0& =A_v{v}_i\\ i_0& =A_i{i}_i\\ v_0& =A_r{i}_i\\ i_0& =A_g{v}_i\\ v_0& =A_{vs}{v}_s\end{array}$$

【注： $v_s$ 表示电源电压；电压、电流增益会使用分贝表示， $20\lg |A|(\mathrm{dB})$】

等效电路：

• 输入电阻：输入端换为测试交流电压 $v_t$ ，产生电流 $i_t$ ，则 $R_i=v_t/i_t$
• 输出电阻：信号源短路但保留内阻，去掉负载，输出端换为测试交流电压 $v_t$ ，产生电流 $i_t$ ，则 $R_o=v_t/i_t$

非线性失真： 输出电压与输入电压不线性（例如，二极管没有工作在线性区）

多级放大电路： 总增益 = 每一极增益乘积（后一级输入电阻作为上一级负载）

运算放大器

公式： $v_0=A_{vo}(v_P-v_N)$

特性： $v_P=v_N$ ， $i_P=i_N$ ，输入电阻为0，输出电阻无穷大

几个电路：

• 同相放大电路、反相放大电路
• 电压跟随器
• 求和电路、求差电路
• 积分电路、微分电路

差分放大电路

镜像电流源： （电路图见书）左右完全对称，求静态基准电流

$$\begin{array}{rl}& I_{REF}=\frac{V_{CC}-V_{BE}-(-V_{EE})}{R}\\ & I_o=\frac{I_{REF}}{1+2/\beta }\approx I_{REF}(\beta \gg 1)\end{array}$$

微电流源： 镜像电流源的右下角多了个电阻，产生 $\Delta V_{BE}=V_T\ln (I_{REF}/I_O)$

差模信号与共模信号（只考虑交流小信号）：

• 差模信号： $v_{id}=v_P-v_N$
• 共模信号： $v_{ie}=(v_P+v_N)/2$
• 差模增益： $v_{od}=A_{vd}{v}_{id}$
• 共模增益： $v_{oe}=A_{ve}{v}_{ie}$
• 总电压： $v_o=A_{vd}{v}_{id}+A_{ve}{v}_{ie}$
• 共模抑制比： $K_{CMR}=|A_{vd}/A_{ve}|$ ，越大越好

结构： 完全对称的元件，两个输入口 $i_1,i_2$ ，两个输出口 $o_1,o_2$ 。单端输入时，另一个输入口接地；单端输出时，输出两个口的差值。

差分放大电路的分析：

• 静态分析时，将两个基极接地即可
• 动态分析时，分为差模信号和共模信号
  • 差模信号：左边输入 $+v_{id}/2$ ，右边输入 $-v_{id}/2$
  • 共模信号：两边均输入 $v_{ie}$

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反馈

定义：

• 开环： 无反馈；闭环： 有反馈
• 级内反馈： 在同一级内部的反馈；级间反馈： 跨级的反馈
• 直流反馈： 直流通路中的反馈；交流反馈： 交流通路中的反馈
• 正反馈： 增大输入量、增大输出量；负反馈： 减小输入量、减小输出量
  • 判断方法：穿过运放，P不变号，N变号；穿过BJT，从b到c变号
• 并联反馈： 反馈网络与输入端接在一个地方；串联反馈： 反馈网络与输入端接的地方不一样
• 电压反馈： 输出电压为0时，反馈就为0；电流反馈： 输出电压为0时，反馈仍存在

过程： 输入 $x_i$ ，结合 $x_f$ ，净输入 $x_{id}$ ，输出 $x_o$ ，产生反馈$x_f$

反馈系数： $x_f=F{x}_o$

开环增益： $x_o=A{x}_{id}$

闭环增益： $x_o=A_f{x}_i$

$$A_f=\frac{A{x}_{id}}{x_{id}+AF{x}_{id}}=\frac{A}{1+AF}$$

（注： $AF$ 称为环路增益， $1+AF$ 称为反馈深度）

稳定性： $\frac{\mathrm{d}{A}_f}{A_f}=\frac{1}{1+AF}\frac{\mathrm{d}A}{A}$

深度负反馈： $\mathrm{d}{A}_f=0$ ，即 $1+AF\gg 1$ ，此时 $A_f=1/F$。此时虚短、虚断成立。

输入输出电阻变化：

• 串联并联 - 输入电阻
  • 串联： $R_i\ast (1+AF)$
  • 并联： $R_i÷(1+AF)$
• 电压电流 - 输出电阻
  • 电流： $R_o\ast (1+AF)$
  • 电压： $R_o÷(1+AF)$