专业名词解析（待更新）

1、电参数类（总大类，包括电子，电气，电路等）

A、大杂烩

B、运放

C、MOS管

D、滤波器

2、开关电源类

3、磁电类（包括磁参数、电感、变压器等）

4、EMC类

5、数学类（包括控制理论等）

一、电参数类

A、大杂烩

有源元件和无源元件：

无源元件：不需要外加电源就能工作的元件叫无源元件，如电阻、电容、电感。

有源元件：需要外加电源才能工作的元件叫有源元件，如双极管（三极管）、单极管（FET管）、集成运放。

电导：电阻的倒数 G = 1/R   电阻：阻碍电流的能力。    电导：导电的能力 （电导对应电阻）

导纳：电路总阻抗的倒数 Y=1/Z  导纳：总的导电能力。单位是西门子S 。

电纳：电抗的倒数（1/X）称为电纳， B = 1/X  电纳：元件容许流过电流的度量。单位是西门子S。

三极管：

双极性晶体管，全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管， 晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。双极性晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。

每度百万分数 ( PPM /℃ )：

由于电阻的电阻值会随温度的变化而变化，为了在产品说明上表示这种变化，人们定义了一种规范。这种规范不使用电阻变化的百分数，而是使用百万分数（PPM，1/10^6）。用温度每变化1℃时电阻相对变化的百万分数来表示电阻的相对变化情况，单位是PPM /℃。显然，这种规范直接表明了电阻随温度变化的灵敏程度。对于一个电阻，5000PPM的变化（相当于0.5%）一般认为是很大的；而20PPM的变化则是相当小的。如果电阻的温度特性是1000 PPM /℃，则说明温度每变化1℃，导致的电阻的相对变化是1000PPM，或1000/1000000=1‰，用它乘以电阻的标称值就是电阻的变化量。对大多数应用来说，这不算是明显的变化。据此推算，温度若变化10℃，电阻的相对变化可达到1%，这时的变化就比较显著了。人们关心的不能仅仅是PPM值，还应关心产生PPM值所对应的温度变化范围。

有了每度百万分数的概念，电阻的变化量便可用下面的方程给出：

式中，R标称代表室温时电阻器的标称值。△T代表相对室温20℃的温度变化量。

示例：1kΩ的碳膜电阻，60℃时电阻相对变化的PPM数是2500，求它在60℃时的电阻。

解：根据公式得

零点漂移：就是温漂，当输入信号为零时，由于温度的影响，导致电源电压的不稳定，改变了原来的静态工作点，使输出信号偏离原定的值。

共模抑制比：就是放大器对差模信号的电压放大倍数和共模信号的电压放大倍数之比

噪声干扰：

噪声干扰的产生原因有许多,如雷击、周边负载设备的开关机、发电机、无线电通讯等.它对精密或计算机设备造成故障或者是程序与档案的执行错误等

线性失真:

因为信号本来就是多频信号，由于放大器对不同的频率有不同的电压增益，不同的相位有不同的相移，前者为幅度失真，后者为相位失真，统称为频率失真，也叫线性失真。（是由于电路上的电抗元件造成的）

非线性失真:

由于电子元器件的非线性区域( 如二极晶体管的饱和和截止区 )产生的，导致输出信号有不同的谐波成分。

例如晶体管工作点设置不当和输入信号过大而造成的失真，这种失真是晶体管进入非线性区引起的，所以是非线性失真。

什么是竞争与冒险现象？怎样判断？如何消除？：

在组合逻辑中，由于门的输入信号路径中经过了不同的延时，导致到达该门的时间不一致叫竞争。

还有一种定义是两个输入信号同时向相反的逻辑电平跳变的现象称为竞争。

产生毛刺叫冒险。

判断：如果布尔式中有相反的信号（例如：Y = A + A'或Y = A.A'）则可能产生竞争和冒险现象。

解决方法：一是添加布尔式的（冗余）消去项，但是不能避免竞争冒险，二是在芯片外部加电容，但输出波形的上升和下降时间增加。三是增加选通电路，但输出波形跟选通信号一样的脉宽了。

B、运放

C、MOS管

场效应晶体管(FET):

FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。

场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成了漏极电流。只涉及到一种载流子的漂移作用，所以也叫单极性晶体管。

FET有三个电极分别是栅极（ Gate ）、源极（ Source ）和漏极（ Drain ）。

跨导：

跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。

在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。 单位是 S （西门子），一般用mS。

MOS管的转移特性曲线

耗尽特性FET：对于N沟道JFET，当VGS在负电压范围时，有ID流动称为耗尽特性。

增强特性FET：对于N沟道MOSFET，当VGS不在正的电压范围时就没有ID流过（P沟时VGS的极性相反）。

JFET都是耗尽型的；MOSFET既有耗尽型也有增强型。

D、滤波器

滤波器的插入损耗：滤波器是有损耗的（它不是放大器，所以，输出功率一定小于输入功率）。称为插入损耗。

二、开关电源类

电阻：

电阻表示在电路中对电流的阻力大小。

产生阻力的基本原理是：在电荷运动的路径上，自由电子之间或自由电子与离子和原子之间存在碰撞与摩擦，结果将施加的电能转换成热能，并使器件温度和周围介质温度升高。人们从电加热器中感受到的温暖，简单地说，就是来自电流通过较高阻值的电阻材料，经过上求碰撞与摩擦所产生的热量。

不同原子结构的材料在通过电流方面，对所施加的电压有不同的反应。导体允许大量的电荷在其中流动而只需施加很小的电压，因而导体具有很低的电阻；而绝缘体则不同，它具有很高的电阻。

具有均匀横截面积的任何材料的电阻由四种因素决定：材质、长度、横截面积和温度。

电阻的公式为：

ρ表示温度为20度时材料的电阻率，单位为CM*Ω/ft；ι表示导体的长度，单位为英尺（ft）,1ft=304.8mm；A表示导体横截面积，单位为圆密耳（circular mil , CM ）；电阻R单位为欧姆Ω。

理解：

导体的电阻率越大，则导体的电阻越大。

导体越长，则导体的电阻越大。

导体的横截面积越大，则导体的电阻越小。

圆密耳：

电感：

电感的定义，如果1A/s的电流变化在电感中产生1V的压降，那么该电感为1H。

注：这是一个非常重要的公式，开关电源的分析及公式推导都起源于这个公式。

由上式可以看出电感中的电流不能发生突变。如果电流发生突变，电感上的电压将为无穷大。根据上式当电压已知时，可以求得电感中的电流。

电容：

电容的定义，如果1C的电量在电容上产生1V的电压，那么该电容为1F。

电容的公式：

或者

V是电容上的电压，单位是V；Q是极板上的电荷，单位是C，库仑； C是电容值，单位是F。

从公式中可以看出，电压V相同时，极板上的电荷Q越大，电容值C就越大。

电容越大、电压越高，则极板上的电荷就越多。

注：这也是一个非常重要的公式，电容的设计以及MOS管驱动的设计都离不开这个公式。

下面两个式子描述了电容和电压、电流之间的关系

开关电源中滤波电容的电流一般为锯齿波，滤波电容的目的是限制电压变化（即限制电压纹波）。式一中有两个变量可以控制输出电压的变化。可以通过加大电容或者减小dt控制电压纹波。开关电源的一大优点就是dt值可以相当小（即高转换频率），故电容可以选取很小的值。

X电容X Capacitors:

RFI电容用在确保失效后任何接触机箱的人不会收到伤害的地方.X电容跨接在线路电感的两端.有三种子级别的X电容:X1,X2和X3.最常见的是X2子级别的,用于IEC-64安装目录II.X2电容额定用于小于或等于2.5KV的峰值脉冲电压.

Y电容Y Capacitors:

RFI电容用在确保失效后任何接触机箱的人不会收到伤害的地方.Y电容在电力线和地/公共端之间跨接.有四种子级别的Y电容.Y1,Y2,Y3和Y4.最常见的是Y2子级别,用于基本或辅助的绝缘.Y2电容额定用于额定工作电压低于或等于250Vac且疲劳实验之前的峰值脉冲电压小于或等于5KV.因为安全标准规定了不同应用的对地的最大电流,因此Y电容的电容值必须限制于特定值,这取决于电容应用的设备类型.

零电压切换Zero Voltage Switching:

开关电源中的开关在其电压为零时导通的技术,目的是尽量减少开关瞬间噪声和开关损耗. 

动态负载响应时间：当加上阶跃负载时，电源系统响应需要的总时间。

电压调整率( Voltage Regulation )：输入电压变化时，输出电压的变化率，即

负载调整率( load Regulation )：负载电流从半载到额定负载时，输出电压的变化率，即

时间比率控制：

由公式UO = D*Ui中，改变占空比D，输出直流电压UO也随之改变。因此，当输入电压或者负载变化时，可以通过闭环负反馈控制回路自动调节占空比D来使输出直流电压UO保持稳定。这种方法就叫时间比率控制。

改变占空比的方法有三种：

1、保持开关频率f不变，改变ton，称为脉冲宽度调制 ( Pulse Width Modulation , PWM ) 。

2、保持ton不变而改变f,称为脉冲频率调制（Pulse Frequency Modulation, PFM）。

3、既改变ton,也改变f，称为脉冲宽度频率混合调制。

电流传输比CTR:

光耦的一个重要指标就是电流传输比（CTR）,定义为：CTR = IC/IF*100%。它用于衡量电流增益，CTR的范围通常在20%~300%之间，CTR是非线性的数值，会随IF大小及外界温度变化而改变。

总效率：总效率决定系统有多少热量产生，以及在结构设计时考虑是否要使用散热器。

能效：

开关电源的能效等于额定输出功率（Po）与空载功耗（Pk）之比: K = Po/Pk*100%

瞬态响应（Transient Response）：

瞬态响应是指在输出阶跃电流的条件下，输出电压的最大允许变化量。瞬态响应与输出滤波电容的容量及等效串联电阻（ESR）、旁路电容、最大允许负载电流等有关。瞬态响应时间越短，说明开关电源对负载变化的调节速度越快，这对于某些瞬变负载（例如高速逻辑电路和射频/微波发射机）至关重要。

电源抑制比（ Power Supply Rejection Ratio, PSRR ）：

电源抑制比也称纹波抑制比（ Ripple Rejection Ratio ,RRR ），它表示输入纹波电压与输出纹波电压的比值，常用分贝（dB）表示。选择大容量、低等效串联电阻的输出滤波电容器，能改善电源抑制比。

交叉调整量:

交叉调整量是指电源一个或多个输出端负载变化时，对其他输出端电压的影响。

交叉调整性能差的电源表现为：当参与输出反馈的输出端加载时，没有参与反馈测量的输出端电压将出现较大增加。

在正激式变换器中，为了提高交叉调整的性能，可以采用相互耦合的输出滤波电感。在输出电压互补（如+5/-5V时）端，把两个输出滤波电感做在同一磁心上。这就大大改善了这两个输出端的交叉调整性能，同时输出电压的纹波也比较小。

功率因数（ Power Factor，PF ）:

功率因数包括两个部分，一个称之为相移因数（这里用cosΦ）；一个称之为畸变因数。用数学公式表达为

注意：PF的符号是希腊字母λ，而不是cosΦ。

相移因数cosΦ的定义为：固定在某一参考点下，电压与电流之间的相位差，即电流与电压不同步，这是从时序上去看的，所以它是有正负向之分的。

畸变因数的定义为：电流与电压的波形形状不同，按设定电压为完美的正弦曲线，电流由于接在电网上的负载不同，导致汲取的电流波形形状与电压波形不同。

相移因数为-1~1，畸变因数永远≤1,所以PF的数值范围为-1~1，且不会超过1。

PF反映了设备接入电网后，电网受到的影响程度，PF会受到负载的不同影响进而不同。

功率三角形如下：

则

相移因数的影响：相移因数可以通过电力隔离传输变压器，返回到发电厂，会降低输电以及配送电的效率。

THD的影响：谐波不能够通过电力隔离传输变压器返回到发电厂，所以对发电系统没有影响。但是谐波会影响三相四线制中的中线，使中线电流不为0，导致中线或地线过热。

三、磁电类

磁通：n根磁力线就叫磁通。

磁感应强度（B）又叫（磁通密度）：

理解一：B = φ/A ; 在一个平面上所通过的磁力线的总量叫磁感应强度。也可以理解为磁通强度或磁力线强度。

理解二：B = φ/A ; 表示垂直穿过单位面积的磁力线的多少。既然这里提到了磁通密度，我们就需要了解一下什么是磁通，它是磁通量（magnetic flux）的简称。磁通量的定义就是磁感线穿过平面S的数量。需要注意的是，一个闭合曲面：球体，穿过其的磁通量为零。

磁场强度（H）：

磁场强度H代表了在磁导率为μ的介质中的磁感应强度B，于是有

B = μ*H

关于磁场强度H有很多解释，我比较偏向于把它类比于电场强度，它是一个废弃的量，至于为什么废弃，就是因为人们先前假设有磁荷这种东西，但是后来发现磁场只是电流的另一面，无需深究。

趋肤效应：

由电磁原理可知，流经电流的导体周围存在磁场，如下图所示。由于交流电路中电流是随时间变化的，因此电流周围的磁场也是变化的。根据法拉第电磁感应定律，处于交变磁场中的导线两端将产生感应电压。交变的频率越高，感应电压越大。

图示：趋肤效应对有效电阻的影响

对于载有交变电流的导线，导线周围变化的磁场与导线自身交链，这样在导线内部便产生了感应电压，且感应电压阻止内部电荷的流动。因为导线的中心部分既与导线内部的磁通交链，还与导线外部周围的磁通交链，所以越靠近导线中心部分，导线两端的感应电压就越大，也就是说，磁场变化对导线中心的影响比对表面的影响更显著。当电流的频率增加，使得与导线交链的磁通也以更大的频率变化时，则导线中心处的感应电动势也增加，以此来阻止电流的变化，当频率增加到一定值时，电流便向导线表面集中，因为导线表面的感应电压相对较小。这就是趋肤效应。

频率为60Hz时，趋肤效应便可察觉，而在无线电频率下，趋肤效应几乎使导线内部不导电，所以可将导线制成中空的。因此，趋肤效应减少了电流流经导线的实际横截面积，根据公式R=ρ*（ι/A）可知，这时导线产生的有效电阻要比直流电阻来得更大，因为直流工作时不存在趋肤效应。

漏感：

漏感是指没有耦合到磁心或其他绕组的可测量的电感量。它的影响就像一个独立的电感串接在绕组的引线上一样。它是导致功率开关管漏极或集电极和输出二极管阳极上的尖峰的原因。这是由于它的磁通无法被二次绕组所匝链。下面是估算漏感的公式：

控制漏感的主要因素是选择磁心中柱长的磁心。绕组越宽，漏感就越小。把绕组的匝数控制在最少程度，对减小漏感是有很大帮助的，因为匝数对漏感的影响是二次方关系。另外，一次二次耦合的好坏对一次漏感也有很大的影响。这点可以从把一次绕组分成两半，二次绕组夹在中间或交错在中间的绕法中看出来。

电流密度:

指单位横截面积通过的电流，国际单位是“安培/平方米”，用方程表达为Jd=Irms/S。Jd由变压器的允许温度、磁芯温度特性及所使用的绝缘材料的最高使用温度决定。

Ae, 有效区域:

对于给定几何尺寸的磁芯,是指具有同样磁性的同种原料的圆柱形磁芯的横截面积.

le, 有效长度Effective Length:

对于给定几何尺寸的磁芯,是指具有与之同样磁场的假设的螺旋管芯的磁路的长度.

C1, 磁芯常数(Core Constant):

同一个截面面积划分的各部分电路的磁路长度的总和.

居里温度(Curie Temperature):

1、指一个转变温度,铁磁体高于磁温度时变为反磁性体.

2、是指材料可以在铁磁体和顺磁体之间改变的温度，即铁磁体从铁磁相转变成顺磁相的相变温度，也可以说是发生相变的转变温度。低于居里点温度时该物质成为铁磁体，此时和材料有关的磁场很难改变。当温度高于居里点温度时，该物质成为顺磁体，磁体磁场很容易随围磁场的改变而改变。不同的磁导率对应的居里温度也不同。

四、EMC类

EMC:

Electro Magnetic Compatibility    ----  EMC  电磁兼容

是指电子、电气设备或系统在预期的电磁环境中，按设计要求正常工作的能力。是电子、电气设备或系统的一种重要的技术性能，它包含EMI和EMS。

EMI:

Electro Magnetic Interference     ----  EMI  电磁干扰

即处在一定环境中的设备或系统，在正常运行时，不应产生超过相应标准所要求的电磁能量，相对应的测试项目根据产品类型及标准的不同而不同。

EMI基本测试项目有：

A、电源线传导骚扰（CE）测试；

B、信号、控制线传导骚扰（CE）测试；

C、辐射骚扰（RE）测试；

D、谐波电流（Harmonic）测量；

E、电压波动和闪烁（Fluctuation and Flicker）测量。

EMS:

Electro Magnetic Susceptibility     ----  EMS  电磁抗扰度

即处在一定环境中的设备或系统，在正常运行时，设备或系统能承受相应标准规定范围内的电磁能量干扰，相对应的测试项也根据产品类型及标准的不同而不同。

EMS基本测试项目有：

1. 静电放电抗扰度（ESD）；
2. 电快速瞬变脉冲群抗扰度（EFT）；
3. 浪涌（SURGE）；
4. 辐射抗扰度（RS）；
5. 传导抗扰度（CS）；
6. 电压跌落与中断（DIP）。

静电放电抗扰度ESD:

静电放电（Electro Static Discharge,ESD）是指不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移。也就是说，静电放电耦合到电子设备主要有两种方式：直接传导和空间耦合，耦合又分为电场耦合和磁场耦合。

五、数学类

什么是奇函数和偶函数：

奇函数（对称于坐标原点）：如果一个波形在+t时间的值是-t时间值的负数，即f( t ) =  - f( - t )，则称为奇函数或称是原点对称函数。

偶函数（对称于Y轴）：如果一个波形在+t时间的值与-t时间的值相同，即f( - t )=  f( t )，则称为偶函数或称是Y轴对称函数。

鲁棒性：

鲁棒性的英文是robustness，其实是稳健性或稳定性的意思，个人认为反映为稳定性更好，但大家都这么叫，可能是音译。
鲁棒性一般用来描述某个东西的稳定性，就是说在遇到某种干扰时，这个东西的性质能够比较稳定。
举个例子，比如统计里面的均值和中位数，均值很容易受到极端值的影响，如果数据里面有很大或很小的数值，均值会偏大或偏小。

而中位数就稳定的多，即使数据里面有很大或很小的数值，中位数也不会发生很大变化。所以，中位数这个统计量便具有鲁棒性。

导数在电路中的应用：

伯德图:

傅立叶分析Fourier analysis:

利用傅立叶级数计算复杂波形的谐波分量.

傅立叶级数Fourier Series:

一种数学级数,显示了任何一个周期函数都是正弦和余弦函数的组合.

（等待更新）