模拟CMOS 基础知识2——偏置与跨导

最新推荐文章于 2025-01-09 15:40:42 发布
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分类专栏： # 模拟CMOS集成电路设计
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本文深入探讨模拟CMOS电路中的偏置和跨导概念。通过三极管和MOSFET的例子，阐述偏置电压如何影响电流变化和放大效果，以及跨导在电压到电流转换中的作用。偏置有助于调整电路性能，但会增加能耗；跨导则直接影响放大器的增益和线性范围。总结中强调了偏置和跨导在电路设计中的重要性。

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模拟CMOS 基础知识2——偏置与跨导

文章目录

  • 本文是基于Razavi的模拟CMOS视频所做笔记的整理，旨在讲清楚这俩概念
三极管的偏置
  • 视频中给了这么一个案列，说是一个麦克风的放大电路，如果只是用麦克风提供电压变化（假设VBT=10mV），若是指定放大倍数（Vout=100mV）为10倍，则由此带入公式可以得出需要的RL的大小，如下所示，这是不合理的区间。
    • image-2021022416 2732251
  • 但若是在麦克风边上加上750mV的恒定电压，根据Ic-VBE公式，我们可以得到右下图中的变化——d(Ic)变大了,带回计算RL的公式中可以得到RL为128欧姆即可，属于合理区间。
    • image-2021 0224163302494
  • 这里有个概念：Operating point：即偏置点
    • 下面三点解释了偏置，个人理解为，改变基础电压的大小，使得小信号（麦克风）所造成的电流变化更加明显
最低0.47元/天 解锁文章
集成电路基础知识笔记-器件-MOS管跨导及电阻做负载的共源级放大器
qq_38588825的博客
05-03 6018
VCCS的量纲时电导g **** 思考题 ■在MOS管跨导的三个不同表达式中，为何有时候跨导与过驱动电压成正比，有时候成反比呢? 当W/L为定值时,跨导gm与过驱动电压Vov成正比，此时电流Id是改变的。 当电流Id为定值时,跨导gm与过驱动电压Vov成反比，此时W/L是改变的。 ■如何提高一个MOS管的跨导? 通过改变W...
模拟CMOS 集成电路设计
椰子奶糖的博客
02-13 2060
文章目录模拟CMOS 集成电路设计杂记及外部参考链接 模拟CMOS 集成电路设计 说明：本目录后续会更新链接，频率由作者阅读速度决定 章节名称 链接 1 模拟电路基础设计 2 MOS器件物理基础 3 单级放大器 4 差分放大器 5 无源和有源电流镜 **6 ** **7 ** **8 ** **9 ** **10 ** **11 ** **12 ** **13 ** **14 ** **15 **
低供电电压CMOS偏置电路分析（有些类似于三支路电流源）
qq_46579389的博客
11-25 2377
1、偏置电路原理图以及仿真结果 电路电流分析：Ip=Ip1=Ip2=Ip3,那么 Ip=12μnCoxWL(IpR−VTH)2 I_p=\frac{1}{2} μ_nC_{ox}\frac{W}{L} (I_{p}R-V_{TH})^2 Ip​=21​μn​Cox​LW​(Ip​R−VTH​)2 解出方程式即可得到参考电流及参考电压 2、电路电源抑制比PSRR分析 这里为了方便，小信号前都不加△ 首先做一个近似，由于gmRo>>1，直接将VDD变化导致的P3管漏级电压变化与VDD变化量做相等
MOS器件的三个重要物理量：跨导、电阻和电容
最新发布
m0_72704327的博客
01-09 4458
一文详解MOS器件的三个重要物理量：跨导、电阻和电容
详细推导MOSFET的跨导、小信号模型、输出阻抗、本征增益
KS的博客
11-13 2万+
相信很多人在学习集成电路领域的时候 都对MOS管的一些概念理解模糊 包括跨导 小信号模型 MOS管的增益和输出阻抗等 本文将从跨导的定义开始引入 最后总结一些常见MOS电路拓扑的增益我们知道MOS管的抽象模型其实可以这样理解：在栅极给MOS管一个电压 这个电压会使MOS管中有电流流过 那么衡量电压转化为电流的能力 我们称之为跨导 根据这个定义 我们可以写出跨导的表达式如下我们已知漏源电流在MOS管饱和区的表达式如下（不考虑沟道长度调制效应）因此求导后可得跨导的具体表达式如下。
mos 电容 跨导总结
gtkknd的专栏
10-29 1万+
它们的值由Ciss（栅短路共源输入电容）、Crss（栅短路共源反向传输电容）、Coss（栅短路共源输出电容）间接给出，而且必须用下列公式计算：
模拟集成电路设计核心：跨导gm的关键角色与策略
本文详细探讨了跨导gm的理论基础、物理意义以及其在多种模拟电路中的应用，包括放大器、滤波器和振荡器。文章重点分析了跨导gm对增益、稳定性、功耗和效率的影响，并提出了优化策略，以理论模型和仿真为基础，结合...
模拟电子技术基础讲义
12-09
### 模拟电子技术基础讲义 #### 一、绪论与课程介绍 - **绪论**：模拟电子技术是研究模拟...以上是对模拟电子技术基础讲义的主要内容进行了详细的解析，希望能够帮助读者更好地理解和掌握模拟电子技术的基础知识。
【GC4663全解析】：电子工程新手必备的10项基础知识与应用技巧
[【GC4663全解析】：电子工程新手必备的10项基础知识与应用技巧](https://masterplc.com/wp-content/uploads/2023/09/Tipos-de-condensadores.webp) # 摘要 电子工程是现代技术发展的重要基础，涉及电子元件的原理...
CMOS跨导运算放大器课程设计报告
01-19
运算放大器是许多模拟系统和混合信号系统中的一个完整部分。各种不同复杂程度的运放被用来实现各种功能：从直流偏置的产生到高速放大或滤波。伴随者每一代CMOS 工艺，由于电源电压和晶体管沟道长度的减小，为运放的设计不断提出复杂的课题。 运算放大器的设计可以分为两个较为独立的两个步骤。第一步是选择或搭建运放的基本结构，绘出电路结构草图。一般来说，决定好了电路结构以后，便不会更改了，除非有些性能要求必须通过改变电路结构来实现。 一旦结构确定，接着就要选择直流电流，手工设计管子尺寸，以及设计补偿电路等等，这个步骤包含了电路设计的绝大部分工作。为了满足运放的交流和直流要求，所有管子都应被设计出合适的尺寸。然后在手工计算的基础上，运用计算机模拟电路可以极大的方便对电路进行调试和修改。但要记住，手算是绝对必需的！通过手算，可以深入的理解电路，对于设计多边形法则也可以更好进行权衡和把握。
MOS晶体管的跨导gm
12-09
MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力（VDS恒定）的参数，也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。 (忽略沟道长度调制效应，λ=0，在以下分析中，如未出现λ参数，均表示λ=0的情况)。   
【笔记：模拟MOS集成电路】偏置电路（基本原理+结构分析）
qq_45689790的博客
09-04 3万+
首先，对于一个单级双极性晶体管放大电路，为了使其可以将信号不失真的放大，我们必须将晶体管置于合适的工作条点。最基本的放大条件：“集电结正偏，发射结反偏”，当然如果想要其实现放大不失真，则需要更加精确的设置晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位。而这些外部电路就称为偏置电路。在大规模的电路设计中，为了使电路各部分处于合适的工作条件，从而达到预期性能，我们往往需要对电路的各部分都提供合适的偏置，因此，偏置电路很重要。
【IC618-偏置电路仿真】【要求电源电压2.7V~3.3V】【进行中】
Lennon_Code的博客
03-30 1843
参考https://blog.csdn.net/m0_51258866/article/details/130115911 这篇文章里的vth算出来好低，感觉不太对，应该是数据跨度太小了由考虑沟道长度调制效应的电流方程： W/L=1/0.8 将vgs作为parameter扫描，范围设置为-1.5至-0.5V，扫描6个点，vds作为自变量，扫描范围为-2.5V至0V，因变量为漏端电流。 插入Marker，选取vds=-1.4V和-2.0V 选取两组数据，代入公式计算： ID=−12μpCoxWL(VGS−V
MOS管-详解
啊维的博客
07-24 2万+
本文指在详对MOS管的应用、选型关键参数、工作过程的损耗做分析。一、MOS管的类型与应用MOS管属于电压驱动型器件，广泛应用于现代电子电路中，常作为电子开关、放大器等功能使用。箭头往里：NMOS箭头往外：PMOS箭头的方向代表了负电子的走向。1.1 应用例子控制信号G极为高电平时MOS管导通；低电平时，MOS管断开。控制信号G极为低电平时MOS管导通；高电平时，MOS管断开。注意Vgs(th)电压；
微电子新手入门之Cadence常用仿真——NMOS管的跨导
红豆布丁RFIC
12-11 1万+
gm的定义是输出电流和电压的比值， 其量纲是电阻的倒数。 因此只需要在输入端加一个电压， 测量输出端的电流即可。 简单的做DC直流仿真，然后在ADE界面中执行菜单栏命令【Tools】→【Results Browser】，选择mos管，将id取值到计算器当中： 同样的，将栅极电压源的电压值也取值到计算器当中： 接下来，在ADE界面中执行菜单栏【Outputs】→【Setup】，添加...
全面认识MOS管，一篇文章就够了
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不浮夸，不将就，认真对待学知识的我们
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低压自偏置共源共栅电流镜
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实验七、MOS管分压式偏置共源放大电路的静态和动态参数
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晶体三极管工作模式判断
一个博客
10-15 3469
晶体三极管 晶体三极管又称双极型器件（Bipolar Junction Transistor 简称BJT） 三种模式： 放大：发射结集电结均正偏 饱和：发射结正偏，集电结反偏 截止：发射结集电结均反偏 判断方法： 对于NPN型三极管，假定其工作在放大模式，根据回路方程计算出VCEQ，将VCEQ 与 VCE(sat)比大小。 若VCEQ > VCE(sat)，假设正确，工作在放大模式。 若VCEQ < VCE(sat)，则工作在饱和模式，此时的Ib*β会大于Ic。 注： VCE(sat) =
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