嵌入式分享合集186

一、MOS管和IGBT管有什么区别

   在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？

    下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！

 什么是MOS管？

    场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

  MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

    MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

   如上图，MOSFET种类与电路符号。

    有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

关于寄生二极管的作用，有两种解释：

• MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

• 防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

    MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。

什么是IGBT？

    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

    IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

    IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

    同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。

    IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

    判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

    IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

MOS管和IGBT的结构特点

    MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

    IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。

    IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

    另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。

选择MOS管还是IGBT？

    在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：

 也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。

    总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。   whaosoft aiot http://143ai.com

    MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

二、常见的开关电源拓扑结构

主要讲述常见的开关电源拓扑结构特点和优缺点对比。

    常见的拓扑结构，包括Buck降压、Boost升压、Buck-Boost降压-升压、Flyback反激、Forward正激、Two-Transistor Forward双晶体管正激等。

上图是常见的基本拓扑结构。

基本的脉冲宽度调制波形

    这些拓扑结构都与开关式电路有关。

    基本的脉冲宽度调制波形定义如下：

常见的基本拓扑结构

1 Buck降压

• 把输入降至一个较低的电压。

• 可能是最简单的电路。

• 电感/电容滤波器滤平开关后的方波。

• 输出总是小于或等于输入。

• 输入电流不连续(斩波)。

• 输出电流平滑。

2 Boost升压

• 把输入升至一个较高的电压。

• 与降压一样，但重新安排了电感、开关和二极管。

• 输出总是比大于或等于输入(忽略二极管的正向压降)。

• 输入电流平滑。

• 输出电流不连续(斩波)。

3 Buck-Boost降压-升压

• 电感、开关和二极管的另一种安排方法。

• 结合了降压和升压电路的缺点。

• 输入电流不连续(斩波)。

• 输出电流也不连续(斩波)。

• 输出总是与输入反向(注意电容的极性)，但是幅度可以小于或大于输入。

• “反激”变换器实际是降压-升压电路隔离(变压器耦合)形式。

4 Flyback反激

• 如降压-升压电路一样工作，但是电感有两个绕组，而且同时作为变压器和电感。

• 输出可以为正或为负，由线圈和二极管的极性决定。

• 输出电压可以大于或小于输入电压，由变压器的匝数比决定。

• 这是隔离拓扑结构中最简单的。

• 增加次级绕组和电路可以得到多个输出。

5 Forward正激

• 降压电路的变压器耦合形式。

• 不连续的输入电流，平滑的输出电流。

• 因为采用变压器，输出可以大于或小于输入，可以是任何极性。

• 增加次级绕组和电路可以获得多个输出。

• 在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。

• 在开关接通阶段存储在初级电感中的能量，在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释放。

6 Two-Transistor Forward双晶体管正激

• 两个开关同时工作。

• 开关断开时，存储在变压器中的能量使初级的极性反向，使二极管导通。

• 主要优点：每个开关上的电压永远不会超过输入电压；无需对绕组磁道复位。

7 Push-Pull推挽

• 开关(FET)的驱动不同相，进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

• 良好的变压器磁芯利用率——在两个半周期中都传输功率。

• 全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

• 施加在FET上的电压是输入电压的两倍。

8 Half-Bridge半桥

• 较高功率变换器极为常用的拓扑结构。

• 开关的驱动不同相，进行脉冲宽度调制以调节输出电压。

• 良好的变压器磁芯利用率——在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推挽电路。

• 全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

• 施加在FET上的电压与输入电压相等。

9 Full-Bridge全桥

• 较高功率变换器最为常用的拓扑结构。

• 开关以对角对的形式驱动，进行脉冲宽度调制以调节输出电压。

• 良好的变压器磁芯利用率——在两个半周期中都传输功率。

• 全波拓扑结构，所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

• 施加在 FETs上的电压与输入电压相等。

• 在给定的功率下，初级电流是半桥的一半。

10 SEPIC单端初级电感变换器

• 输出电压可以大于或小于输入电压。

• 与升压电路一样，输入电流平滑，但是输出电流不连续。

• 能量通过电容从输入传输至输出。

• 需要两个电感。

11 C’uk(Slobodan C’uk的专利)

• 输出反相。

• 输出电压的幅度可以大于或小于输入。

• 输入电流和输出电流都是平滑的。

• 能量通过电容从输入传输至输出。

• 需要两个电感。

• 电感可以耦合获得零纹波电感电流。

电路工作的细节

    下面讲解几种拓扑结构的工作细节。

1 Buck-降压调整器-连续导电

• 电感电流连续。

• Vout是其输入电压(V1)的均值。

• 输出电压为输入电压乘以开关的负荷比(D)。

• 接通时，电感电流从电池流出。

• 开关断开时电流流过二极管。

• 忽略开关和电感中的损耗，D与负载电流无关。

• 降压调整器和其派生电路的特征是：输入电流不连续(斩波)，输出电流连续(平滑)。

2 Buck-降压调整器-临界导电

电感电流仍然是连续的，只是当开关再次接通时“达到”零。这被称为“临界导电”。输出电压仍等于输入电压乘以D。

3 Buck-降压调整器-不连续导电

• 在这种情况下，电感中的电流在每个周期的一段时间中为零。

• 输出电压仍然(始终)是v1的平均值。

• 输出电压不是输入电压乘以开关的负荷比(D)。

• 当负载电流低于临界值时,D随着负载电流而变化(而Vout保持不变)。

4 Boost升压调整器

    输出电压始终大于(或等于)输入电压。输入电流连续，输出电流不连续(与降压调整器相反)。

    输出电压与负荷比(D)之间的关系不如在降压调整器中那么简单。在连续导电的情况下：

 在本例中，Vin = 5, Vout = 15, D = 2/3.Vout = 15，D = 2/3.

5 变压器工作(包括初级电感的作用)

   变压器看作理想变压器，它的初级(磁化)电感与初级并联。

6 反激变压器

    此处初级电感很低，用于确定峰值电流和存储的能量。当初级开关断开时，能量传送到次级。

7 Forward 正激变换变压器

• 初级电感很高，因为无需存储能量。

• 磁化电流(i1)流入 “磁化电感”，使磁芯在初级开关断开后去磁(电压反向)。

总结

    本文回顾了目前开关式电源转换中最常见的电路拓扑结构。除此之外还有许多拓扑结构，但大多是这些拓扑的组合或变形。

    每种拓扑结构包含独特的设计权衡：施加在开关上的电压，斩波和平滑输入输出电流，绕组的利用率。

    选择最佳的拓扑结构需要研究：输入和输出电压范围，电流范围，成本和性能、大小和重量之比。

三、开关电源纹波、噪声的产生原因及测量方法

简单地介绍开关电源产生纹波和噪声的原因和测量方法、测量装置、测量标准及减小纹波和噪声的措施。

纹波和噪声产生的原因

    开关电源输出的不是纯正的直流电压，里面有些交流成分，这就是纹波和噪声造成的。纹波是输出直流电压的波动，与开关电源的开关动作有关。每一个开、关过程，电能从输入端被“泵到”输出端，形成一个充电和放电的过程，从而造成输出电压的波动，波动频率与开关的频率相同。纹波电压是纹波的波峰与波谷之间的峰峰值，其大小与开关电源的输入电容和输出电容的容量及品质有关。

    噪声的产生原因有两种，一种是开关电源自身产生的;另一种是外界电磁场的干扰(EMI)，它能通过辐射进入开关电源或者通过电源线输入开关电源。

    开关电源自身产生的噪声是一种高频的脉冲串，由发生在开关导通与截止瞬间产生的尖脉冲所造成，也称为开关噪声。噪声脉冲串的频率比开关频率高得多，噪声电压是其峰峰值。噪声电压的振幅很大程度上与开关电源的拓扑、电路中的寄生状态及PCB的设计有关。

    利用示波器可以看到纹波和噪声的波形，如图1所示。纹波的频率与开关管频率相同，而噪声的频率是开关管的两倍。纹波电压的峰峰值和噪声电压的峰峰值之和就是纹波和噪声电压，其单位是mVp-p。

上图1 ，纹波和噪声的波形。

纹波和噪声的测量方法

    纹波和噪声电压是开关电源的主要性能参数之一，因此如何精准测量是一个十分重要问题。目前测量纹波和噪声电压是利用宽频带示波器来测量的方法，它能精准地测出纹波和噪声电压值。

    由于开关电源的品种繁多(有不同的拓扑、工作频率、输出功率、不同的技术要求等)，但是各生产厂家都采用示波器测量法，仅测量装置上不完全相同，因此各厂对不同开关电源的测量都有自己的标准，即企业标准。

    用示波器测量纹波和噪声的装置的框图如图2所示。它由被测开关电源、负载、示波器及测量连线组成。有的测量装置中还焊上电感或电容、电阻等元件。

  上图2 示波器测量框图。

    从图2来看，似乎与其他测波形电路没有什么区别，但实际上要求不同。测纹波和噪声电压的要求如下：

　　● 要防止环境的电磁场干扰(EMI)侵入，使输出的噪声电压不受EMI的影响;

　　● 要防止负载电路中可能产生的EMI干扰;

　　● 对小型开关型模块电源，由于内部无输出电容或输出电容较小，所以在测量时要加上适当的输出电容。

    为满足第1条要求，测量连线应尽量短，并采用双绞线(消除共模噪声干扰)或同轴电缆;一般的示波器探头不能用，需用专用示波器探头;并且测量点应在电源输出端上，若测量点在负载上则会造成极大的测量误差。为满足第2点，负载应采用阻性假负载。

    经常有这样的情况发生，用户买回的开关电源或模块电源，在测量纹波和噪声这一性能指标时，发现与产品技术规格上的指标不符，大大地超过技术规格上的性能指标要求，这往往是用户的测量装置不合适，测量的方法(测量点的选择)不合适或采用通用的测量探头所致。

几种测量装置

1 双绞线测量装置

    双绞线测量装置如图3所示。采用300mm(12英寸)长、#16AWG线规组成的双绞线与被测开关电源的+OUT及-OUT连接，在+OUT与-OUT之间接上阻性假负载。在双绞线末端接一个4TμF电解电容(钽电容)后输入带宽为50MHz(有的企业标准为20MHz)的示波器。在测量点连接时，一端要接在+OUT上，另一端接到地平面端。

   上图3 双绞线测量装置。

    这里要注意的是，双绞线接地线的末端要尽量的短，夹在探头的地线环上。

2 平行线测量装置

    平行线测量装置如图4所示。图4中，C1是多层陶瓷电容(MLCC)，容量为1μF，C2是钽电解电容，容量是10μF。两条平行铜箔带的电压降之和小于输出电压值的2%。该测量方法的优点是与实际工作环境比较接近，缺点是较容易捡拾EMI干扰。

   上图4 平行线测量装置。

3 专用示波器探头

    图5所示为一种专用示波器探头直接与波测电源靠接。专用示波器探头上有个地线环，其探头的尖端接触电源输出正极，地线环接触电源的负极(GND)，接触要可靠。

上图5 示波器探头的接法。

    这里顺便提出，不能采用示波器的通用探头，因为通用示波器探头的地线不屏蔽且较长，容易捡拾外界电磁场的干扰，造成较大的噪声输出，虚线面积越大，受干扰的影响越大，如图6所示。

   上图6 通用探头易造成干扰。

4 同轴电缆测量装置

    这里介绍两种同轴电缆测量装置。图7是在被测电源的输出端接R、C电路后经输入同轴电缆(50Ω)后接示波器的AC输入端;图8是同轴电缆直接接电源输出端，在同轴电缆的两端串接1个0.68μF陶瓷电容及1个47Ω/1w碳膜电阻后接入示波器。T形BNC连接器和电容电阻的连接如图9所示。

 上图7 同轴电缆测量装置1。

    上图8 同轴电缆测量装置2。

上图9 T形BNC连接器和电容电阻的连接。

纹波和噪声的测量标准

    以上介绍了多种测量装置，同一个被测电源若采用不同的测量装置，其测量的结果是不相同的，若能采用一样的标准测量装置来测，则测量的结果才有可比性。近年来出台了几个测量纹波和噪声的标准，本文将介绍一种基于JEITA-RC9131A测量标准的测量装置，如图10所示。

  上图10 基于JEITA-RC9131A测量标准的测量装置。

    该标准规定在被测电源输出正、负端小于150mm处并联两个电容C2及C3，C2为22μF电解电容，C3为0.47μF薄膜电容。在这两个电容的连接端接负载及不超过1.5m长的50Ω同轴电缆，同轴电缆的另一端连接一个50Ω的电阻R和串接一个4700pF的电容C1后接入示波器，示波器的带宽为100MHz。同轴电缆的两端连接线应尽可能地短，以防止捡拾辐射的噪声。另外，连接负载的线若越长，则测出的纹波和噪声电压越大，在这情况下有必要连接C2及C3。若示波器探头的地线太长，则纹波和噪声的测量不可能精确。

    另外，测试应在温室条件下，被测电源应输入正常的电压，输出额定电压及额定负载电流。

不正确与正确测量的比较

1探头的选择

   上图11 AAT1121电路测量波形。

    上图12 用普通示波器探头测得的波形。

    上图13 用专用测量探头测得的波。

2 探头与测试点的接触是否良好

    以1W DC/DC电源模块IF0505RN-1W为例，采用专用探头靠测法，排除外界EMI噪声干扰，探头接触良好时，测出的纹波和噪声电压为4.8mVp-p，如图14所示。若触头接触不良时，则测出的纹波和噪声电压为8.4mVp-p，如图15所示。

    上图14 电源模块IF0505RN-1W测试波形(接触良好)。

    上图15 电源模块IF0505RN-1W测试波形(接触不良)。

    这里顺便再用普通示波器探头测试一下，其测试结果是纹波和噪声电压为48mVp-p，如图16所示。　

    上图16 电源模块IF0505RN-1W测试波形(普通探头)。

减小纹波和噪声电压的措施

    上图17 开关电源整流波形

上图18 开关电源PFC电路。

    开关电源或模块的输出纹波和噪声电压的大小与其电源的拓扑，各部分电路的设计及PCB设计有关。例如，采用多相输出结构，可有效地降低纹波输出。现在的开关电源的开关频率越来越高;低的是几十kHz，一般是几百kHz，而高的可达1MHz以上。因此产生的纹波电压及噪声电压的频率都很高，要减小纹波和噪声最简单的办法是在电源电路中加无源低通滤波器。

1减少EMI的措施

    可以采用金属外壳做屏蔽减小外界电磁场辐射干扰。为减少从电源线输入的电磁干扰，在电源输入端加EMI滤波器，如图19所示(EMI滤波器也称为电源滤波器)。　　

上图19 开关电源加EMI滤波。

2 在输出端采用高频性能好、ESR低的电容

    采用高分子聚合物固态电解质的铝或钽电解电容作输出电容是最佳的，其特点是尺寸小而电容量大，高频下ESR阻抗低，允许纹波电流大。它最适用于高效率、低电压、大电流降压式DC/DC转换器及DC/DC模块电源作输出电容。例如，一种高分子聚合物钽固态电解电容为68μF，其在20℃、100kHz时的等效串联电阻(ESR)最大值为25mΩ，最大的允许纹波电流(在100kHz时)为2400mArms，其尺寸为：7.3mm(长)×4.3mm(宽)×1.8mm(高)，其型号为10TPE68M(贴片或封装)。

    纹波电压ΔVOUT为：

    ΔVOUT=ΔIOUT×ESR (1)

    若ΔIOUT=0.5A，ESR=25mΩ，则ΔVOUT=12.5mV。

    若采用普通的铝电解电容作输出电容，额定电压10V、额定电容量100μF，在20℃、120Hz时的等效串联电阻为5.0Ω，最大纹波电流为70mA。它只能工作于10kHz左右，无法在高频(100kHz以上的频率)下工作，再增加电容量也无效，因为超过10kHz时，它已成电感特性了。

    某些开关频率在100kHz到几百kHz之间的电源，采用多层陶电容(MLCC)或钽电解电容作输出电容的效果也不错，其价位要比高分子聚合物固态电解质电容要低得多。

3 采用与产品系统的频率同步

    为减小输出噪声，电源的开关频率应与系统中的频率同步，即开关电源采用外同步输入系统的频率，使开关的频率与系统的频率相同。

4 避免多个模块电源之间相互干扰

    在同一块PCB上可能有多个模块电源一起工作。若模块电源是不屏蔽的、并且靠的很近，则可能相互干扰使输出噪声电压增加。为避免这种相互干扰可采用屏蔽措施或将其适当远离，减少其相互影响的干扰。

    例如，用两个K7805-500开关型模块组成±5V输出电源时，若两个模块靠的很近，输出电容C4、C2未采用低ESR电容，且焊接处离输出端较远，则有可能输出的纹波和噪声电压受到相互干扰而增加，如图20所示。

    如果在同一块PCB上有能产生噪声干扰的电路，则在设计PCB时要采取相似的措施以减少干扰电路对开关电源的相互干扰影响。

    上图20 K7805-500并联。

5 增加LC滤波器

    为减小模块电源的纹波和噪声，可以在DC/DC模块的输入和输出端加LC滤波器，如图21所示。图21左图是单输出，图21右图是双输出。

  上图21 在DC/DC模块中加入LC滤波器。

    在表1及表2中列出1W DC/DC模块的VIN端和VOUT端在不同输出电压时的电容值。要注意的是，电容量不能过大而造起动问题，LC的谐振频率必须与开关频率要错开以避免相互干扰，L采用μH极的，其直流电阻要低，以免影响输出电压精度。

6 增加LDO

    在开关电源或模块电源输出后再加一个低压差线性稳压器(LDO)能大幅度地降低输出噪声，以满足对噪声特别有要求的电路需要(见图22)，输出噪声可达μV级。

 上图22 在电源中加入LDO。

    由于LDO的压差(输入与输出电压的差值)仅几百mV，则在开关电源的输出略高于LDO几百mV就可以输出标准电压了，并且其损耗也不大。

7 增加有源EMI滤波器及有源输出纹波衰减器

    有源EMI滤波器可在150kHz～30MHz间衰减共模和差模噪声，并且对衰减低频噪声特别有效。在250kHz时，可衰减60dB共模噪声及80dB差模噪声，在满载时效率可达99%。

    输出纹波衰减器可在1～500kHz范围内减低电源输出纹波和噪声30dB以上，并且能改善动态响应及减小输出电容。

四、TVS管

对于工程师来说，浪涌保护不仅仅是选择合适的电源板或者拔下几根电缆，主要涉及在 PCB 布局中放置瞬态保护组件并应用明确的接地策略。

TVS 二极管是用于保护PCB布局中组件的常用组件，这些组件放置在数据线上，一旦电路中接收到ESD脉冲，就会通过将电流从受保护组件转移开来。确保 PCB 布局可以对瞬态保护进行优化，并且可以防止炸电路板并且保证一个功能良好的设备。

<1、什么是瞬态抑制二极管及其工作原理？

瞬态电压抑制 (TVS) 二极管是一种常用于保护设备免受与静电放电 (ESD) 相关的瞬态事件影响的组件。（不要将TVS管与齐纳二极管或肖特基二极管混淆。）

它由一个 pn 半导体结组成，该结在瞬态电压尖峰期间变为导通状态。在正常情况下，TVS 二极管具有高阻抗和极低的漏电流，实际上相当于开路。

当瞬态电压抑制器上的电压上升超过其阈值电压时，半导体中的雪崩效应会导致 pn 结开始导电，从而提供一条低阻抗路径，将过大的电流从受保护的设备中导出。

TVS 二极管的响应时间非常快，通常以皮秒表示，因此这些组件可以非常快速地转移强 ESD 脉冲，即使该 ESD 脉冲具有相对较快的上升时间。

<2、PCB设计选择合适的TVS二极管

所有的TVS二极管本质上都是二极管：如果你施加足够大的正向或反向偏置电压，TVS二极管就会开始导通，当然，并不是所有的TVS二极管都是一样的。

如果选择了错误的保护，可能会导致瞬态保护从一开始就失效。选择瞬态抑制二极管时，你需要了解一些参数：

1、反向偏置击穿电压 (VB)

这是 TVS 二极管开始导通时的反向偏置电压。一旦 TVS 二极管开始导通，它会将 ESD 脉冲从受保护的组件转移开。

2、钳位电压 (VC)

钳位电压是 TVS 二极管在超过反向偏置击穿后将显着导通的最小电压。该值定义在指定峰值电流的限制范围内。

通常，较低的 VC 值将为组件提供更多保护，因此应选择 VC，使其小于受保护组件的输入电压限制。

3、额定关断电压 (VWM)

这表示反向偏置电压限制，低于该限制 TVS 二极管将保持绝缘。在额定关断电压内，TVS 二极管具有高阻抗，只有少量泄漏电流。

4、峰值脉冲功率耗散 (PPP)

TVS 二极管需要能够安全地耗散由瞬态电压引起的过大电流，这由峰值脉冲功率耗散表示。

<3、TVS 二极管如何工作？

所有TVS二极管的工作原理都很简单：当电路接收到ESD脉冲时，该脉冲会很快超过二极管的反向偏置击穿电压值。

将其任何导体暴露于外部环境（例如通过连接器）的设备可以在这些导体上接收 ESD 脉冲。如果这些导体是通向组件的信号线的一部分，则接收到的 ESD 脉冲会将高电压/高电流脉冲传输到组件中，这可能会破坏组件。

当 ESD 发生在信号线上并且信号线上存在 TVS 二极管时，二极管将开始导通，脉冲可以通过二极管。这允许二极管将 ESD 脉冲从受保护电路转移开。

典型的连接方式是将阳极接地，这样 ESD 脉冲就会传到地里。只要接地区域存在低阻抗路径，脉冲就会从受保护的组件转移开。

TVS 二极管

<4、双向TVS二极管还是单向TVS二极管？

TVS 二极管有两种类型：双向和单向。这两种类型的 TVS 二极管具有不同的符号，如下所示：

双向和单向TVS二极管

在购买TVS二极管时，要注意一般来说，统称TVS二极管指单向型TVS二极管，如果你需要双向的TVS二极管吗，则需要说明。

那么应该选择哪种类型的TVS二极管？使用双向TVS二极管的主要原因是在电路承载正极性和负极性信号时提供保护。这就是为什么你有时候会在差分对或者在正负极性之间振荡的模拟线路上看到双先锋TVS二极管。

大部分人应该都会更喜欢用双向TVS二极管，以提供全面的故障保护和ESD保护，这是因为接地区域可以接受ESD脉冲，就像要保护的信号线一样。

如果接地故障导致接地路径具有高阻抗，那么阻抗最低的路径可能是通过单向TVS二极管和你要保护的组件。但是如果TVS二极管是双向的，即使存在接地故障，也会有机会保护元器件。

<5、TVS 二极管的 PCB 布局技巧

除了选择合适的 TVS 二极管外，保护的有效性还取决于 PCB 布局本身。下面这个示例中2个双向TVS二极管并联连接到下面的示意图中保护的电路。示意图显示了TVS二极管与MAX3485 收发器的典型连接：

TVS 二极管连接的典型示意图

在此示例中，如果在 D+ 和 D- 线路暴露于外部环境的位置发生 ESD ，并且产生相对于 GND 的正电压，则只要 ESD 电压达到，TVS 二极管就会开始导通超过了 TVS 反向偏置击穿电压。

如果发生导致电流开始在 GND 平面中流动的 ESD ，只要系统中存在低阻抗接地路径，电流就应该完全从组件转移开。

在接地导体接收 ESD 的情况下，最好使用双向 TVS 二极管，因为它仍会提供一些保护，而如果 TVS 二极管是单向的，收发器可能仍会暴露在某些电压下。

双向 TVS 二极管的首选转移发生，因为施加的脉冲需要上升到某个阈值（TVS 二极管上半部分的 VB 值）以上，然后才能从 GND 到迹线进行导通。

在 PCB 布局中，应遵循一些重要准则以使 TVS 二极管正常工作。这些包括放置、接地以及在屏蔽层上使用任何无源元件，如电阻或电容。

1、TVS 二极管的放置

由于 ESD 可能发生在电子设备中暴露的导体附近，因此最好将 TVS 二极管放置在这些导体暴露于外部环境的区域附近。下面显示了一个带有 2 针连接器的简单布局示例。

将 TVS 二极管放置在有接收 ESD 脉冲危险的裸露导体附近

PCB 走线具有一些 寄生电感，可能导致 TVS 二极管的钳位电压增加到其指定限值以上。TVS 二极管的走线也应相对于收发器的走线较短，以最大限度地降低阻抗并确保消散浪涌中的过多能量。这将最大限度地减少通向 TVS 二极管的路径中的寄生电感。

2、接地

如果可能，最好将 TVS 二极管连接到与受保护组件不同的接地网。这并不意味着应该拆分地平面。相反，最安全的连接类型是将 TVS 二极管连接到机箱接地中的金属元件（如果可用），通常通过连接到机箱螺钉或安装孔的迹线进行连接。

如果此连接不可用，则可以连接到内部平面。但是，在存在强 ESD 风险的环境中，设备应封装在具有安全金属底盘接地和接地连接的底盘中。

3、消除屏蔽无源

某些组件（如屏蔽连接器）将具有一些额外的金属屏蔽层来保护裸露的导体。连接器上的屏蔽并不意味着机械或热保护，它实际上是为了防止噪声接收和防止 ESD。

如果存在 ESD 危险，则可以将屏蔽连接器与 TVS 二极管一起使用。TVS 二极管连接到信号线，连接器上的屏蔽层直接接地。

数据线上两个 TVS 二极管的连接示例

上图中，在机箱和信号接地之间放置了一个直接连接。典型的方法是将此连接放在系统中的一个位置，以确保所有导体上的接地电位均匀，但仍然可以控制常规返回电流，使其不会通过机箱。

只要 GND 是低阻抗、低电感接地层，同样适用这个方法。如果这是系统的电隔离区域，最好将该连接置于更靠近连接器主体的位置，如上图所示。

在某些情况下，你可能会看到有人试图通过缓冲电路或并联 RC 电路将屏蔽层接地。这两者都破坏了使用屏蔽连接器的全部目的。

相反，在屏蔽和底盘接地（如果可用）或接地层之间建立直接连接，这将创建一个极低阻抗的接地路径，防止 ESD 事件中的能量到达受保护的组件。

在某些情况下，控制返回电流会遇到麻烦（例如浮动接地），适当的方法是在屏蔽层和接地层之间放置一个大电容，这确保可以分流快速 ESD 脉冲，并且不会由于两个接地之间的任何偏移而从系统辐射高频噪声。

五、在MOS管开关电路设计中使用三极管容易烧坏

MOS管作为一种常用的开关元件，具有低导通电阻、高开关速度和低功耗等优点，因此在许多电子设备中广泛应用。然而，在一些特殊情况下，我们需要在MOS管控制电路中加入三极管来实现一些特殊功能。然而，不同于MOS管，三极管在工作过程中会产生较大的热量，因此容易烧坏。接下来，我将详细解释为什么在MOS管开关电路设计中使用三极管容易烧坏，并提供一些解决方案来避免这个问题。让我们一起来探讨吧！

MOS管开关电路在现在电路设计中十分常见。三极管开关电路分为两大类，一类是经典的TTL三极管开关电路，一类是MOS管开关电路。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？

三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。

对于MOS管，我们在电路设计中都会遇到，那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢？

MOS管开关电路

我们一般会用一个三极管去控制，如下图！

MOS管开关电路

但是这个电路的缺点也是显而易见，由于MOS管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！电流路径如下：

后端电流路径

如何改善这个问题呢？

有两个方式，一种是在后端串联二极管。

防止后端电压电流串扰的电路

优点，电路简单，BOM成本低！缺点，二极管动态负载电阻大，特别不适合后盾负载变化大的！另外一种，便是后端串联一个同规格的MOS管！

防止后端电压电流串扰的电路

优点，MOS管开通电阻极小，对于后端负载电流变化不敏感。缺点，BOM成本高！