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74AHC373 八路D型透明锁存器（3态输出）技术解析与应用指南

每个MOSFET由 栅极（Gate）、源极（Source）、漏极（Drain） 和衬底（Bulk）组成。任一输入高（1,X或X,1）：至少一个NMOS导通，PMOS截止 → 输出低电平（GND）。或非门（NOR） 由两组并联的PMOS（上拉网络）和两组串联的NMOS（下拉网络）构成。NMOS：栅极施加高电压（>阈值电压 Vth）时，源漏间形成导电沟道（电子导电）。输入全低（0,0）：PMOS导通，NMOS截止 → 输出高电平（VCC）。PMOS：栅极施加低电压（< Vth）时，源漏间形成空穴导电沟道。

通过这些测试，可以评估集成电路在不同工作条件下的性能，确保其在实际应用中的可靠性和稳定性。此外，这些参数还有助于评估和优化电路的整体性能。功能图部分提供了74LV00A四路2输入NAND门的逻辑表示和符号图，这些图表有助于理解集成电路的工作原理和如何在电路设计中使用它。波形和测试电路部分提供了74LV00A四路2输入NAND门在实际测试中的波形图和用于测量动态特性的测试电路图。这些特性和优势使得74LV00A成为适用于各种数字逻辑应用的理想选择，特别是在需要高速操作、低功耗和宽电压兼容性的场合。