CY7C138AV/144AV/006AV/007AV

这份文件是关于Cypress Semiconductor Corporation生产的3.3V 4K/8K/16K/32K x 8/9 Dual-Port Static RAM（双端口静态随机存取存储器）的初步数据手册。该手册详细介绍了该系列存储器的特性、功能描述、引脚配置、操作范围、电气特性、数据保留模式、中断和信号量（Semaphore）操作以及订购信息等。

特性（Features）加粗样式

- 真正的双端口存储单元，允许同时访问同一存储位置。
- 存储组织为4K/8K/16K/32K x 8（CY7C0138AV/144AV/006AV/007AV）和4K/8K/16K/32K x 9（CY7C0139AV/145AV/016AV/017AV）。
- 使用0.35微米CMOS工艺，优化速度和功耗。
- 高速访问时间：20/25纳秒。
- 低功耗操作：活动模式下ICC = 115 mA（典型值），待机模式下ISB3 = 10 µA（典型值）。
- 完全异步操作。
- 自动功率下降。
- 可扩展的数据总线，使用主/从芯片选择时，可支持16/18位或更宽的数据总线。
- 芯片内仲裁逻辑。
- 包含信号量，以允许端口间的软件握手。
- 用于端口间通信的INT标志。
- 引脚选择用于主/从模式。
- 商业和工业温度范围。
- 可用的封装类型包括68引脚PLCC（所有型号）、64引脚TQFP（7C006AV & 7C144AV），以及80引脚TQFP（7C007AV）。
- 引脚兼容且功能等同于IDT70V05、70V06和70V07。

功能描述（Functional Description）

功能描述部分详细说明了CY7C138AV/144AV/006AV/007AV和CY7C139AV/145AV/016AV/017AV这些低功耗CMOS双端口静态RAM的基本工作原理和特性。这些存储器包含4K、8K、16K和32K x 8/9位的RAM单元，设计用于在多处理器系统中处理数据访问冲突。每个端口都提供独立的控制引脚，包括片选（Chip Enable, CE）、读/写使能（Read/Write Enable, R/W）和输出使能（Output Enable, OE）。此外，每个端口还有两个标志引脚：忙碌（Busy）和中断（Interrupt, INT）。忙碌标志表明端口正在尝试访问当前正被另一个端口访问的位置。中断标志（INT）允许通过所谓的“邮箱”机制在端口或系统之间进行通信。信号量用于传递一个标志或令牌，表明共享资源正在被使用。信号量逻辑由八个共享锁存器组成，任何时候只有一个端口可以控制锁存器（信号量）。控制信号量表明共享资源正在被使用。每个端口的自动功率下降特性可以独立控制。

引脚配置（Pin Configurations）

引脚配置部分提供了详细的物理引脚布局图，包括不同型号的存储器的引脚编号和功能。例如，对于CY7C138AV (4K x 8)，引脚配置如下：

- A0L-A11L: 地址线，用于选择存储器中的特定位置。
- INTL: 左端口的中断标志引脚。
- BUSYL: 左端口的忙碌标志引脚。
- I/O0L-I/O7L: 数据总线输入/输出引脚，用于读写操作。
- M/S: 主/从选择引脚，用于配置存储器在主/从模式下的工作。
- I/O0R-I/O7R: 右端口的数据总线输入/输出引脚。
- A0R-A11R: 右端口的地址线。
- INTR: 右端口的中断标志引脚。
- BUSYR: 右端口的忙碌标志引脚。

每个型号的存储器都有类似的引脚配置，但根据存储器的大小和组织方式（如x8或x9），地址线和数据总线的数量会有所不同。

操作范围（Operating Range）

操作范围部分定义了存储器在不同环境温度下可以正常工作的条件。例如，商业级存储器在0°C到+70°C的环境温度下，电源电压VCC应在3.3V ± 300mV范围内。工业级存储器则在-40°C到+85°C的环境温度下工作，电源电压同样为3.3V ± 300mV。这些参数确保了存储器在不同温度条件下的可靠性和稳定性。

电气特性（Electrical Characteristics）

电气特性部分列出了存储器在操作范围内的电气参数，包括但不限于：

- VOH（输出高电平电压）：在VCC = 3.3V时，输出高电平的最小值为2.4V。
- VOL（输出低电平电压）：输出低电平的最大值为0.4V。
- VIH（输入高电平电压）：输入高电平的最大值为2.0V。
- VIL（输入低电平电压）：输入低电平的最小值为0.8V。
- IOZ（输出漏电流）：输出漏电流的最大值为10 µA。
- ICC（操作电流）：在最大VCC下，输出禁用时的操作电流为120至175 mA（商业级）或140至195 mA（工业级）。
- ISB1-4（待机电流）：在不同待机模式下的电流参数，包括TTL电平、CMOS电平和单端口CMOS电平。

这些电气特性参数对于设计工程师在设计电路时确保存储器与系统的兼容性至关重要。

数据保留模式（Data Retention Mode）

描述了数据保留模式的设计，包括电池备份和数据保留电压及供应电流的保证。

中断和信号量操作（Interrupt and Semaphore Operation）

介绍了如何使用中断和信号量进行端口间通信和共享资源的分配。

图表解释

• 逻辑块图：展示了存储器的逻辑结构，包括双端口RAM阵列、地址解码、I/O控制、中断信号量仲裁和INT标志。
• 引脚配置图：展示了不同型号存储器的物理引脚布局和功能。
• 开关特性波形图：展示了读写操作、中断和信号量操作的时序波形。
• 消息传递示例：展示了如何使用存储器的最高两个位置进行消息传递。

整体而言，这份手册为设计工程师提供了必要的技术细节，以便在他们的系统中集成和使用这些双端口静态RAM存储器。