什么是PSRAM

Pesudo Static Random Access Memory 伪静态随机内存

这样看，它是一个内存，和我们熟悉的DRAM，SRAM是一回事。但是，它是伪静态的。说明它不需要像DRAM那样，需要自刷新。

DRAM是完全用电容构造的，因此存在漏电流，要持续保存数据的话，需要不断地自刷新，一般要求32ms或者64ms刷新一次。

PSRAM使用了晶体管和电容来构造，因此可以不需要自刷新，没有DSRAM这个矫情的毛病！它使用一个晶体管和一个电容来存储一个bit的数据。而SRAM需要六个晶体管来存储一个bit的数据。因此，PSRAM有成本低，或者相同成本比SRAM有更大容量的优势。

PSRAM具有SRAM接口协议，外部只要给地址，发读写命令，就可以实现存取，无需DRAM那样要memory controller来控制refresh。

下面这些都可以当作内存使用：

SRAM	读取速度快，容量小，可读写，无需自刷新，掉电后数据丢失
PSRAM	读取速度稍慢，容量稍大，可读写，无需自刷新，掉电后数据丢失
DRAM	读取速度慢，容量大，可读写，需自刷新，掉电后数据丢失
FLASH(XIP模式)	读取速度最慢，容量最大，仅可读，无需自刷新，掉电后数据不丢失

这里说下，Flash闪存的1个存储单元存储多位数据，这是DRAM和SRAM都做不到的。根据浮栅层中电子的多少，每个存储单元可以表达1比特（SLC）、2比特（MLC）、3比特（TLC）或4比特（QLC）数据。

很多PSRAM芯片是SPI接口的(串口)，支持QSPI四倍速或者更高，以提升访问速度。也有并口的的。

使用SPI接口的PSRAM芯片，需要SOC有PSRAM控制器。

当CPU访问一个地址的时候，会通过自己的地址映射表，判断是访问哪块设备的。如果这个地址是PSRAM区域的，那么CPU是直接访问PSRAM控制器，然后控制器再通过SPI与PSRAM芯片交互，拿到数据。最后控制器再给出数据到CPU。在CPU眼里，就和直接访问SRAM是一样的。

PSRAM控制器把SPI的交互细节隐藏起来了。

使用PSRAM控制器，一般要先初始化，会有如下一些参数，要提前设置好：

unsigned int base; ///< SPI 接口基地址unsigned int cs_base; ///< SPI 接口基地址unsigned int rcmd; ///< 读操作命令unsigned int rcmd_len; ///< 读操作命令长度(bit)unsigned int rcmd_line; ///< 读操作命令总线宽度unsigned int raddr_len; ///< 读操作地址长度(bit)unsigned int raddr_line; ///< 读操作地址总线宽度unsigned int rwait_cycles; ///< 读操作等待时钟数unsigned int rspi_mode; ///< 读 SPI 操作模式 unsigned int wcmd; ///< 写操作命令unsigned int wcmd_len; ///< 写操作命令长度(bit)unsigned int wcmd_line; ///< 写操作命令总线宽度unsigned int waddr_len; ///< 写操作地址长度(bit)unsigned int waddr_line; ///< 写操作总线宽度unsigned int wwait_cycles; ///< 写操作等待时钟数unsigned int wspi_mode; ///< 写 SPI 操作模式unsigned int qpi_en; ///< QPI 作模式使能unsigned short clk_div; ///< 时钟分频
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// 读操作,0x30000000地址是PSRAM区域 volatile uint8_t *data_8 = (uint8_t *)0x30000000; uint8_t n = data_8[0];​​​​

// 写操作,0x30000000地址是PSRAM区域volatile uint8_t *data_8 = (uint8_t *)0x30000000;   data_8[0] = 0xa5;