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前言
介绍一份英飞凌的防反电路文档,写的非常好。在这里给大家做一个分享。我也做个简单的笔记分析,记录下来,深刻理解,也能节省大家的时间。
英飞凌除了介绍了电路设计的思路外,并且分析了静态反极性电路响应、动态反极性在无负载和有负载下的响应。
一、设计防反电路的必要性
1.为什么要设计防反电路
维修时,可能会把电源的正、负极接反,造成电路损坏。
2.电路损坏的分析
此电路的应用是驱动电机,这里以两个 NMOS 组成的半桥驱动为例。如果电路正负极接反,由于NMOS 体二极管的存在,将会直接导通,相当于短路。电流过大、功率过大超过了 NMOS 的承受能力,NMOS 就会损坏。
二、防反电路设计
1.设计思路
放一个反极性保护元件在半桥驱动电路上,串联,电源反接时相当于断路。
满足要求的元件有:二极管、PMOS、NMOS。
1)二极管
优点:不需要驱动电路
缺点:正向压降大,功率损耗大
2)PMOS:
优点:不需要驱动电路
缺点:导通电阻大,发热会比较严重
3)NMOS:
优点:导通电阻低,功率损耗小,价格便宜
缺点:需要电荷泵,或者相似的驱动电路使得 VGS > VGS(th)。
(当电源正向时,S 极接在电源正极,G 极的电压需要比电源电压还高,才可以将 NMOS 打开)
英飞凌的这款嵌入式电源 IC 自带升压电路可以驱动 NMOS,所以也就不会造成电路复杂了。
英飞凌讲的非常详细,就很棒!
2.用 NMOS 初步设计防反电路分析
到这一步并没有完成防反电路的设计。
请看分析:
当电源接反时,给栅极供电的 VCP 的内部电路通过二极管接地。 VG = VCP = Vbat - 0.7V,VS = 0V,此时 VGS >VGS(th),NMOS 打开。H 桥电路就会导通,造成短路,损坏电路。
(内部电路这个二极管是TVS,防静电的。不能取消)
3.完善 NMOS 设计防反电路
思考:
电源反接时需要将 VCP / VG 的电压拉到地,NMOS关闭,保护电路。需要再补充新的电路设计。
电源正接时,VCP / VG 不会被拉到地,NMOS 打开,电路导通正常工作。
分析:
新设计的电路会有两种状态,相当于也是一个开关。
电源反接时,开关导通,VG 被拉到地。
电源正接时,开关闭合,VGS 打开MOS,电路正常导通。
这个开关就是 NPN三极管,电路上在加上一些分立器件。
4.防反电路中的元件功能
我做了一个简要的笔记,英飞凌描述的非常仔细了。感觉掌握了这个文档,基本可以入门硬件了。
5. 电荷泵的作用
想一想,要是没有这个电荷泵 VCP 引脚,电路照样正常工作。而且正因为没有VCP 引脚,电源反接时,NMOS 时关断的,也就不用这么复杂的设计防反电路了。
是不是?我一开始是这么想的,理论上可行,工程上有问题的。
正向导通时,要是没有 VCP 引脚电荷泵的作用,那一直纯靠 NMOS 里面的体二极管进行工作,会有严重的发热和功率损耗。
加了 VCP 引脚这个电荷泵,NMOS 只是在导通一开始是用体二极管导通的,后面VCP电压上来了,就靠 N沟通导通了。
这样发热小,损耗少,这其实回到了文章开头。
三、防反电路的电源反极性响应情况
英飞凌做了三个实验:1、静态的反极性响应,2、动态的无负载反极性响应, 3、动态的有电机负载的反极性响应(有反电动势)。这几个实验中防反电路都可以起到及时切断电路的作用。
1. 静态的反极性响应
每当电源反接的一瞬间,NMOS 会VGS弹跳一下关断。是因为三极管导通立马把 NMOS 的栅极G 拉到地,从而把NMOS 关断。VDH、Ibat都是0,因为没有回路,从而保护了内部电路。
现在通过示波器看看 VBE 有多大,会不会这一瞬间就关断。
经过测量VGS=V反接=1.46V<VGS(TH) ,min≈ 2.2V, 防反电路起到了保护作用。VBE=0.5V=1.46-0.96
所以总结下起到防反作用的关键是
1、VGS(TH) 要大,VBE(ON)要小。当 VGS(TH) ,min≈ 2.2V 时,VBE(ON) ≤ 2.2-1.
2、虽然三极管将NMOS的栅极拉到地,但是VGS≠0。还需要VCE,SAT<2.2V
2. 动态无负载的反极性响应
1)电源正接时,NMOS 打开, 三极管关断。电路正常工作,VDH = Vbat
2)当电压开始下降时,Ibat <0,这是由 CVDH1 放电产生的。
3)Vbat 降到0,VGS = 3.6V 小于 VGS(TH),max = 3.8V,NMOS 即将关断。Vbe=0.7V, 三极管即将打开。
4)三极管打开,NMOS 关断,Ibat 也就没有回路了 ,电流为0。
3. 动态有电机负载的反极性响应
1)电源正接时,电机电流为正,NMOS 打开, 三极管关断,Ibat 为正。
2)电源在减小的过程中,电机有转动惯量,在电源还是正极性时,电机的电流减小至0,Ibat = 0,但是由于电机时感性的,内部线圈还存储着磁场能量。此时电机相当于一个电源,开始放电。电流从0变成负数。此时 Vbat 还是大于0,只是比电机的电压要小,所以会有一个负的电流。Vbat 越来越小,与电机的电压差越来大,负向的电流越来越大。
3)当 Vbat = 0 时,电机的电流也达到了最大(也有可能电流也快放完了),此时 NMOS 还是打开的。这时看 VCP 和 VGS 的电压基本持平,原因是电机的电流在增加,使得VSD电压增加,VCP电压增加,抵消了Vbat的减小。这时NMOS 仍是开启的,电流是负, 三极管仍关断。
4)直到电源反接电压增加,把三极管打开,将NMOS 关断。
总结
在设计这个防反电路时,要遵守以下两条规则:
1)VBE(ON) ≤ VGS(TH) ,min-1.
2)VCE,SAT<VGS(TH) ,min