本文介绍了三极管的基本概念、发明历程、核心结构，包括PN结和电路符号，并详细阐述了三极管的放大和开关功能，以及温度对其性能的影响。此外，还讨论了三极管的封装和选用原则，强调了电流、功率和频率等关键参数的选择考虑。
目录
一、介绍
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件
在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。三极管之所以运用如此广泛，其主要原因在于它可以通过小电流控制大电流。形象地说就是基极其是一个阀门开关，阀门开关控制的是集电极到发射极之间的电流大小，而本身控制阀门开关的基极的电流要求很小。
广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:
二、三极管的发明
晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三、核心结构
核心是“PN”结，是两个背对背的PN结，可以是NPN组合，也或以是PNP组合。
由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！
1、结构示意图
硅NPN型三极管的制造流程：
管芯结构切面图：
2、工艺结构特点
发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;
基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;
集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！
工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
四、电路符号
1、电流控制原理示意图
五、基本电路
外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
六、集/基/射电流关系
IE = IB + IC
IC = β * IB
如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0
七、特性曲线
1、输入特性曲线
集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。
UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；
UBE＞BER时，三极管才会启动；
UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。
2、输出特性曲线
基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。
注意：饱和区是导通，放大区是放大。
当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开;
当IB>0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;
当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。
八、核心功能
1、放大功能
小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。
IC = β * IB （其中β≈ 10~400 ）
例：当基极通电流IB=50μA时,集极电流:
IC=βIB=120*50μA=6000μA
微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：
所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。
能放大多少？
哪要看三极管的放大倍数β值了！
首先β由三极管的材料和工艺结构决定：
如硅三极管β值常用范围为：30~200
锗三极管β值常用范围为：30~100
β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。
其次β会受信号频率和电流大小影响：
信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。
β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。
2、开关功能
以小电流控制大电流的通断。
九、主要性能参数
三极管性能参数较多，有直流、交流和极限参数之分：
十、温度对性能的影响
温度几乎影响三极管所有的参数，其中对以下三个参数影响最大。
1、对放大倍数β的影响
在基极输入电流IB不变的情况下，集极电流IC会因温度上升而急剧增大。
2、对反向饱和电流(漏电流)ICEO的影响
ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。
虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。
3、对发射结电压 UBE的影响
温度上升1℃，UBE将下降约2.2mV。
温度上升，β、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。
十一、分类
十二、命名
不同的国家/地区对三极管型号命名方式不同。还有很多厂家使用自己的命名方式。
1、中国大陆三极管命名方式
2、日本三极管型号命名方式
3、美国电子工业协会（EIA）三极管命名方式
4、欧洲三极管命名方式
十三、封装及管脚排列方式
1、封装
三极管设计额定功率越大，其体积就越大，又由于封装技术的不断更新发展，所以三极管有多种多样的封装形式。
当前，塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。
2、管脚排列
不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的，一般地，有以上规律：
规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；
规律二：对贴片三极管，面向标识时，左为基极，右为发射极，集电极在另一边；
十四、选用原则
考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。
1、集极电流IC
IC ICM 集极最大允许电流
当 IC>ICM时，三极管β值减小，失去放大功能。
2、集极功率PW
PW PCM集极最大允许功率。
当PW > PCM 三极管将烧坏。
3、集-射反向电压UCE
UCE UBVCEO基极开路时,集-射反向击穿电压
集/射极间电压UCE>UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。
4、工作频率ƒ
ƒ = 15% * ƒT
ƒT — 特征频率
随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。
此外，还应考虑体积成本，优先选用贴片式三极管。
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