NAND FLASH （一）存储布局及存储操作特点

Nand flash芯片型号为Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理。8个I/O

引脚充当数据、地址、命令的复用端口。

一、芯片内部存储布局:

    一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为:
    1 (Device) = 4096 (Blocks)
    1 (Block)  - = 32   (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样
    1 (Page)   = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes)
     在每一页中,最后16个字节(又称OOB)用于Nand Flash命令执行完后设置状态用,剩余512个字节又 分为前半部分和后半部分。可以通过Nand Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位通过 Nand Flash内置的指针指向各自的首地址。

二、存储操作特点:

    1. 擦除操作的最小单位是块。
    2. Nand Flash芯片每一位(bit)只能从1变为0,而不能从0变为1,所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1)。
    3. OOB部分的第六字节(即517字节)标志是否是坏块,如果不是坏块该值为0xFF,否则为坏块。

    4. 除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码。