NAND FLASH基础知识总结

1. NAND Flash简介

   Flash全称为Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)。Flash主要分两种，NAND Flash和NOR Flash。

   NOR的成本相对高，容量相对小，优点是读写数据时候，不容易出错。NAND Flash成本相对低，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。但优点是，相对来说容量比较大。

2. 基础原理

   2.1 NAND 布局

   NAND Flash内部由几个芯片（chip）组成，每个chip包含了几片（Plane），每一片中包含很多块（Block），每一块又包含很多页（Page），如图 21所示。常见的NAND Flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane。

   每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），一般叫做OOB（Out Of Band），这个区域，是最初基于NAND Flash的硬件特性：数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction,或者Error Checking and Correcting），所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。

    

   

   图 2-1 NAND Flash结构

   老的NAND Flash，页大小是256B，512B，这类的NAND Flash被称作small block，地址周期只有4个。对于现在常见的NAND Flash多数是2KB，被称作big block，对应的发读写命令地址，一共5个周期(cycle)，更新的NAND Flash是4KB。NAND Flash擦除操作的基本/最小单位为块，写入操作的基本/最小单位为页。 

   对于NAND Flash读取和编程操作来说，一般最小单位是页，所以，NAND Flash在硬件设计时候，就考虑到这一特性，对于每一片（Plane），都有一个对应的PAGE Buffer，专门用于存放，将要写入到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的一页数据。只有写到了这个页缓存中，你发了对应的编程第二阶段的确认命令0x10之后，实际的编程动作才开始，才开始把页缓存中的数据，一点点写到物