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1.FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef
FSMC简介
FSMC-SRAM引脚分析
1.地址线 FSMC_A 和数据线 FSMC_D 是所有控制器都共用的。
接 SRAM
| FSMC_A[18:0] | A[18:0] | 行地址线 |
| FSMC_D[15:0] | I/O[15:0] | 数据线 |
2.FSMC_NE 接 SRAM CE#
| FSMC_NE[1:4] | CE# | 片选信号 |
是用于控制 SRAM 芯片的片选控制信号线， STM32 具有
FSMC_NE1/2/3/4 号引脚，不同的引脚对应 STM32 内部不同的地址区域。例如，当 STM32 访
问 0x6C000000-0x6FFFFFFF 地址空间时， FSMC_NE3 引脚会自动设置为低电平，由于它连接
到 SRAM 的 CE# 引脚，所以 SRAM 的片选被使能，而访问 0x60000000-0x63FFFFFF 地址时，
FSMC_NE1 会输出低电平。当使用不同的 FSMC_NE 引脚连接外部存储器时， STM32 访问 SRAM的地址不一样，从而达到控制多块 SRAM 芯片的目的。
3.地址译码器UB# 或 LB
| FSMC_NBL[1:0] | LB#、 UB# | 数据掩码信号 |
访问时，使用 UB# 或 LB# 线控制数据宽度，例如，当要访
问宽度为 16 位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把 UB# 和 LB# 线都设置为低电平，那
么 I/O0-I/O15 线都有效，它们一起输出该地址的 16 位数据 (或者接收 16 位数据到该地址)；当要
访问宽度为 8 位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把 UB# 或 LB# 其中一个设置为低电平，
I/O 会对应输出该地址的高 8 位和低 8 位数据，因此它们被称为数据掩码信号。
4.读写使能
| FSMC_NWE | WE# | 写入使能 |
| FSMC_NOE | OE# | 输出使能 (读使能) |
SRAM读写时序
SRAM读写步骤
(1) 主机使用地址信号线发出要访问的存储器目标地址；
(2) 控制片选信号 CS1# 及 CS2# 使能存储器芯片；
(3) 若是要进行读操作，则控制读使能信号 OE# 表示要读数据，若进行写操作则控制写使能信
号 WE# 表示要写数据；
(4) 使用掩码信号 LB# 与 UB# 指示要访问目标地址的高、低字节部分；
(5) 若是读取过程，存储器会通过数据线向主机输出目标数据，若是写入过程，主要使用数据
线向存储器传输目标数据
上面不同类型的引脚是连接到 FSMC 内部对应的存储控制器中的。
1、NOR/PSRAM/SRAM 设备使用相同的控制器
2、NAND/PC 卡设备使用相同的控制器
不同的控制器有专用的寄存器用于配置其工作模式
FSMC寄存器
控制 SRAM 的寄存器
1、FSMC_BCR1/2/3/4 控制寄存器
•FSMC_BCR 控制寄存器可配置要控制的存储器类型、数据线宽度以及信号有效极性能参数。
2、FSMC_BTR1/2/3/4 片选时序寄存器
• FMC_BTR 时序寄存器用于配置 SRAM 访问时的各种时间延迟，如数据保持时间、地址保
持时间等
3、FSMC_BWTR1/2/3/4 写时序寄存器。
• FMC_BWTR 写时序寄存器与 FMC_BTR 寄存器控制的参数类似，它专门用于控制写时序
的时间参数。
FSMC时钟控制逻辑（时钟信号）
1、FSMC 外设挂载在 AHB 总线上，时钟信号来自于 HCLK(默认 168MHz)
2、NOR 控制器的 FSMC_CLK 的时钟频率可通过 FSMC_BTR 寄存器的 CLKDIV 位配置，可以配置为 HCLK 的 1/2 或 1/3。
原文：NOR 控制器的 FSMC_CLK 引脚输出的时钟，它可用于与同步类型的SRAM 芯片进行同步通讯，它的时钟频率可通过 FSMC_BTR 寄存器的 CLKDIV 位配置，可以配置为 HCLK 的 1/2 或 1/3，也就是说，若它与同步类型的 SRAM 通讯时，同步时钟最高频率为84MHz。
本示例中的 SRAM 为异步类型的存储器，不使用同步时钟信号，所以时钟分频配置不
起作用。
FSMC 的地址映射
FSMC 连接好外部的存储器并初始化后，就可以直接通过访问地址来读写数据，这种地址访问与
I2C EEPROM、 SPI FLASH 的不一样，后两种方式都需要控制 I2C 或 SPI 总线给存储器发送地址，然后获取数据；在程序里，这个地址和数据都需要分开使用不同的变量存储，并且访问时还需要使用代码控制发送读写命令。而使用 FSMC 外接存储器时，其存储单元是映射到 STM32 的内部寻址空间的；在程序里，定义一个指向这些地址的指针，然后就可以通过指针直接修改该存储单
元的内容， FSMC 外设会自动完成数据访问过程，读写命令之类的操作不需要程序控制。
图中左侧的是 Cortex-M4 内核的存储空间分配，右侧是 STM32 FSMC 外设的地址映射。可以看到FSMC 的 NOR/PSRAM/SRAM/NAND FLASH 以及 PC 卡的地址都在 External RAM 地址空间内。
正是因为存在这样的地址映射，使得访问 FSMC 控制的存储器时，就跟访问 STM32 的片上外设
寄存器一样 (片上外设的地址映射即图中左侧的“Peripheral”区域)。
FSMC 把整个 External RAM 存储区域分成了 4 个 Bank 区域，并分配了地址范围及适用的存储器
类型，如 NOR 及 SRAM 存储器只能使用 Bank1 的地址。在每个 Bank 的内部又分成了 4 个小块，每个小块有相应的控制引脚用于连接片选信号，如 FSMC_NE[4:1] 信号线可用于选择 BANK1 内部的 4 小块地址区域，见图 26_8，当 STM32 访问 0x6C000000-0x6FFFFFFF 地址空间时，会访问到 Bank1 的第 3 小块区域，相应的 FSMC_NE3 信号线会输出控制信号。
FSMC控制SRAM时序
FSMC-SRAM结构体
1.FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef
这个结构体成员定义的都是 SRAM 读写时序中的各项时间参数，这些成员的的参数都与
FSMC_BRT 及 FSMC_BWTR 寄存器配置对应
(1) FSMC_AddressSetupTime
本成员设置地址建立时间，即 FSMC 读写时序图 26_9 中的 ADDSET 值，它可以被
设置为 0-0xF 个 HCLK 周期数，按 STM32HAL 库的默认配置， HCLK 的时钟频率为
168MHz，即一个 HCLK 周期为 1/168 微秒。
(2) FSMC_AddressHoldTime
本成员设置地址保持时间，它可以被设置为 0-0xF 个 HCLK 周期数
(3) FSMC_DataSetupTime
本成员设置数据建立时间，即 FSMC 读写时序图 26_10 中的 DATAST 值，它可以被设
置为 0-0xF 个 HCLK 周期数。
(4) FSMC_BusTurnAroundDuration
本成员设置总线转换周期，在 NOR FLASH 存储器中，地址线与数据线可以分时复用，
总线转换周期就是指总线在这两种状态间切换需要的延时，防止冲突。控制其它存储
器时这个参数无效，配置为 0 即可。
(5) FSMC_CLKDivision
本成员用于设置时钟分频，它以 HCLK 时钟作为输入，经过 FSMC_CLKDivision 分频
后输出到 FSMC_CLK 引脚作为通讯使用的同步时钟。控制其它异步通讯的存储器时
这个参数无效，配置为 0 即可。
(6) FSMC_DataLatency
本成员设置数据保持时间，它表示在读取第一个数据之前要等待的周期数，该周期指
同步时钟的周期，本参数仅用于同步 NOR FLASH 类型的存储器，控制其它类型的存
储器时，本参数无效。
(7) FSMC_AccessMode
本成员设置存储器访问模式，不同的模式下 FSMC 访问存储器地址时引脚输出的时
序不一样，可选 FSMC_ACCESS_MODE_A/B/C/D 模式。一般来说控制 SRAM 时使用
A 模式。
这个 FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef 时序结构体配置的延时参数，将作为下一节的 FSMC
SRAM 初始化结构体的一个成员。
1.FSMC_NORSRAMInitTypeDef
这个结构体，除最后两个成员是上一小节讲解的时序配置外，其它结构体成员的配置都对应到
FSMC_BCR 中的寄存器位。各个成员意义介绍如下，括号中的是 STM32HAL 库定义的宏：
(1) NSBank
本成员用于选择 FSMC 映射的存储区域，它的可选参数以及相应的内核地址映射范
围见表 26‑4。
表 26‑4 可以选择的存储器区域及区域对应的地址范围
| 可以输入的宏 | 对应的地址区域 |
| FSMC_Bank1_NORSRAM1 | 0x60000000-0x63FFFFFF |
| FSMC_Bank1_NORSRAM2 | 0x64000000-0x67FFFFFF |
| FSMC_Bank1_NORSRAM3 | 0x68000000-0x6BFFFFFF |
| FSMC_Bank1_NORSRAM4 | 0x6C000000-0x6FFFFFFF |
(2) DataAddressMux
本成员用于设置地址总线与数据总线是否复用 (FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE
/DISABLE)，在控制 NOR FLASH 时，可以地址总线与数据总线可以分时复用，以减
少使用 STM32 信号线的数量。
(3) MemoryType
本成员用于设置要控制的存储器类型，它支持控制的存储器类型为 SRAM、 PSRAM
以及 NOR FLASH(FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM/PSRAM/NOR)。
(4) MemoryDataWidth
本 成 员 用 于 设 置 要 控 制 的 存 储 器 的 数 据 宽 度， 可 选 择 设 置 成 8 或 16 位
(FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_8/16/32)。
(5) BurstAccessMode
本成员用于设置是否使用突发访问模式 (FSMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE
/DISABLE)，突发访问模式是指发送一个地址后连续访问多个数据，非突发模式下
每访问一个数据都需要输入一个地址，仅在控制同步类型的存储器时才能使用突发
模式。
(6) AsynchronousWait
本 成 员 用 于 设 置 是 否 使 能 在 同 步 传 输 时 使 用 的 等 待 信 号
(FSMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE /DISABLE)，在控制同步类型的 NOR 或
PSRAM 时，存储器可以使用 FSMC_NWAIT 引脚通知 STM32 需要等待。
(7) WaitSignalPolarity
本成员用于设置等待信号的有效极性，即要求等待时，使用高电平还是低电平
(FSMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW /HIGH)。
(8) FSMC_WrapMode
本成员用于设置是否支持把非对齐的 AHB 突发操作分割成 2 次线性操作
(FSMC_WRAP_MODE_DISABLE /ENABLE)，该配置仅在突发模式下有效。
(9) WaitSignalActive
本成员用于配置在突发传输模式时，决定存储器是在等待状态之前的一个
数据周期有效还是在等待状态期间有效 (FSMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS /
FSMC_WAIT_TIMING_DURING_WS)。
(10) WriteOperation
这个成员用于设置是否写使能 (FSMC_WRITE_OPERATION_DISABLE /ENABLE)，禁
止写使能的话 FSMC 只能从存储器中读取数据，不能写入。
(11) WaitSignal
本成员用于设置当存储器处于突发传输模式时，是否允许通过 NWAIT 信号插入等待
状态 (FSMC_WAIT_SIGNAL_ENABLE /DISABLE)。
(12) ExtendedMode
本成员用于设置是否使用扩展模式 (FSMC_EXTENDED_MODE_ENABLE /DISABLE)，
在非扩展模式下，对存储器读写的时序都只使用 FSMC_BCR 寄存器中的配置，即下
面的 FSMC_ReadWriteTimingStruct 结构体成员；在扩展模式下，对存储器的读写时序
可以分开配置，读时序使用 FSMC_BCR 寄存器，写时序使用 FSMC_BWTR 寄存器的
配置，即下面的 FSMC_WriteTimingStruct 结构体。
对本结构体赋值完成后，调用 FSMC_NORSRAMInit 库函数即可把配置参数写入到 FSMC_BCR
及 FSMC_BTR/BWTR 寄存器中。
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