碳化硅MOS器件界面碳研究进展_碳化硅界面态陷阱密度为什么比硅大-CSDN博客

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碳化硅（SiC）MOS器件因其优异的物理电学特性（如高热导率、高击穿场强等）成为大功率电力电子领域的研究热点。然而，SiC/SiO₂界面态密度比传统Si/SiO₂界面高两个数量级，导致载流子迁移率降低，严重影响器件性能。研究表明，界面附近残留的碳元素是界面态密度升高的关键因素。以下从理论角度综述碳的存在形式及其对界面态的影响机制：

一、高界面态密度的成因

碳残留的必然性
在SiC氧化过程中，Si和C分别与氧反应生成SiO₂和CO/CO₂气体。但碳无法完全以气体形式逸出，部分残留于界面区域，形成碳团簇、悬挂键或过渡层（如SiOxCy）。
例如，氧化反应式如下：
SiC+O2 →SiO2 +CO(部分C未完全氧化)
碳相关缺陷的电子特性
碳团簇（如C=C二聚物）和碳悬挂键在界面处引入深能级缺陷，成为载流子俘获中心，导致界面态密度显著升高（可达10¹³ cm⁻²∙eV⁻¹），直接降低沟道迁移率。

二、碳的存在形式与理论模型

单碳原子缺陷
- Si₂-C=O构型：碳原子与两个Si原子及一个O原子结合，形成稳定结构。
- O₃-Si-C-O₃构型：碳原子嵌入SiO₂网络中，与多个O原子配位。
  这两种构型在密度泛函理论（DFT）计算中显示较高的稳定性，可能成为界面陷阱的主要来源。
碳二聚物（C=C）
在氧化层或界面过渡区，碳原子可能形成二聚物。例如，Si₂-C=C-Si₂构型在优化后能量最低，其能级位置与实验观测的界面态分布吻合。
界面过渡层中的复合缺陷
包含SiCxOy、C-C=C等复杂结构的过渡层模型更接近真实界面。这些缺陷通过局域态影响载流子输运，需通过第一性原理模拟其能带结构以指导工艺优化。

三、理论研究的进展与争议

碳扩散与固定机制
- Knaup模型：提出碳团簇是界面态的主要来源，并通过DFT计算验证了其电子态分布。
- Massimiliano Di Ventra的CO扩散机制：指出CO分子扩散需较低活化能（≈1.5 eV），但部分碳原子可能被氧化层俘获形成间隙缺陷。
界面模型构建的挑战
- 早期研究采用突变界面模型（如Devynck的分子动力学模型），但因忽略过渡层而存在误差。
- 大连理工大学团队提出包含过渡层的非晶SiO₂/4H-SiC界面模型，发现Si-O-C键合和碳团簇共存，更贴合实际实验结果。

四、优化方向与工艺指导

钝化碳缺陷的途径
- 氮退火：通过引入氮原子钝化碳悬挂键，降低界面态密度。
- 氧化条件调控：优化氧化温度与气氛（如湿氧氧化），促进碳的完全逸出。
未来研究重点
- 结合原位表征技术（如高分辨率透射电镜）与多尺度模拟，精确解析界面原子构型。
- 探索新型氧化工艺（如等离子体氧化）以减少碳残留。