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本研究的主要目的是系统地研究β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD）在205 MeV锗离子辐射下的单事件烧毁机制。通过实验和TCAD（技术计算机辅助设计）模拟，探讨SEB的阈值电压、敏感烧毁位置及其背后的物理机制。文章强调了对β-Ga₂O₃ SBD在辐射环境下的可靠性评估的重要性，为未来的器件级硬化提供理论和实验依据。

文章中使用Silvaco TCAD模拟器来分析p-GaN HEMTs的SEB特性。模拟中考虑了重离子撞击对器件的影响，特别是关注了栅极区域，因为这是器件最敏感的部分。模拟中重离子的入射位置被设定在栅极边缘，这与图1中的红色箭头所示的位置一致。GaN缓冲层：厚度为4.5微米，这是器件结构的基础部分，对电子迁移率有重要影响。GaN通道层：厚度为200纳米，是载流子传输的主要区域。Al0.15Ga0.85N势垒层：厚度为25纳米，用于限制载流子的流动，提高器件的控制能力。p-Al0.15Ga0.85N层。

本研究探讨了不同缓冲层结构对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）射频性能的影响。通过对比三种不同缓冲层结构的GaN HEMT设备，研究了缓冲层质量和陷阱效应对射频增益的影响。实验采用了详细的直流和脉冲IV测量，以及温度依赖的低频S参数测量，来评估缓冲层陷阱的激活能。研究结果表明，低掺杂碳（C）的缓冲层显示出更好的射频性能，并且较薄的缓冲层结构能够减少陷阱的影响，从而提高设备性能。

这篇文章研究了氮化镓（GaN）中碳相关缺陷和本征点缺陷的迁移机制和扩散势垒。通过使用第一性原理计算，特别是攀爬图像Nudged Elastic Band（CI-NEB）方法和二聚体方法，作者计算了碳间隙原子在wurtzite GaN晶体中的迁移势垒，并探讨了可能的扩散路径。研究发现，碳间隙原子在中性状态下通过第一近邻平面外机制（机制A）具有最低的迁移势垒。对于带电的碳间隙原子，+1和-1电荷状态下的迁移势垒较低，而+2电荷状态下的平面内迁移更为有利。此外，文章还讨论了碳间隙原子与氮间隙原子和空位的相互作用，

本研究探讨了具有混合边缘终止设计（Hybrid Edge Termination, HET）的同质结氮化镓（GaN）垂直PIN二极管在重离子辐射下的单粒子烧毁（Single-event Burnout, SEB）现象。研究发现，这些器件在12-MeV氧离子和16-MeV氯离子辐射下表现出优异的耐受性，但在Cf-252裂变碎片辐射下，约50%的器件在电气击穿电压下发生SEB。通过光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）分析，SEB引起的损伤主要位于器件中心而非阳极边缘。研究结果表明，HET设计能有效管理电场，减少

这篇论文研究了电离总剂量（Total-Ionizing-Dose, TID）辐射对高压p-GaN门高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistors, HEMTs）栅极损伤的影响。

本文献《Influence of dislocations on electron energy-loss spectra in gallium nitride》由C. J. Fall等人撰写，发表于2002年。研究团队通过第一性原理计算，探讨了位错对氮化镓（GaN）电子能量损失谱（EEL）的影响。研究发现，未装饰的全核心位错导致低损耗EEL光谱中低于块体起始能量的吸收。此外，边缘位错附近的氮原子的静电势变化显著，对核心损耗光谱的简单解释提出了质疑。

使用3 MeV质子对器件进行辐照，辐照剂量分别为5×10^13 H⁺/cm²、1×10^14 H⁺/cm²和5×10^14 H⁺/cm²，辐射剂量率约为6×10^9离子/(cm²·s)，在室温下进行辐照实验。研究结果表明，质子辐照和正向栅极偏置应力的综合效应对界面陷阱的影响比对AlGaN层中的体陷阱更为复杂。文章还讨论了质子辐照和电应力对AlGaN/GaN异质结构界面陷阱影响的机理，包括质子辐照引起的位移损伤、正向栅极偏置应力导致的漏电流路径的生成，以及这些因素如何影响界面陷阱的特性。

文章讨论了一种基于栅漏肖特基二极管正向电压降的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）结温和热阻的电测方法。在测量这个温度敏感参数时，源极被置于浮动状态，而漏极接地。研究表明，GaN HEMTs的热点位于靠近漏极的栅侧。使用栅漏肖特基二极管的正向电压降相对于使用栅源肖特基二极管的正向电压降能够得到更高和更一致的温度读数。这种方法可能为基于氮化镓的HEMTs的热管理和可靠性分析提供更准确的数据。

本研究探讨了在沟道栅MOSFETs中，镁（Mg）激活退火步骤对p型氮化镓（GaN）体的通道迁移率和阈值电压（VT）稳定性的影响。

三星公司的研究人员介绍了一种高阈值电压、低导通电阻和高速的GaN-HEMT功率器件，该器件在栅极堆叠中使用了p-GaN层。文章提出了三个创新点：首先，首次在200毫米GaN on Si衬底上使用无Au且完全与CMOS兼容的工艺制造了p-GaN栅HEMT；其次，通过采用p-GaN和W栅堆叠，实现了良好的电气特性，包括阈值电压高于2.8V、低栅极漏电流、无迟滞和快速开关；最后，展示了可以承受高达20V栅偏压的TO-220封装的p-GaN栅HEMT器件

本文献深入研究了带有p-GaN栅极的正常关断型(normally-off)高电子迁移率晶体管(GaN-HEMTs)在恒定电压应力下的时序退化行为。通过直流特性分析和温度依赖性分析，研究了故障时间(TTF)与应力温度和器件几何结构的依赖性。结果显示，p-GaN栅极晶体管在7.2V的栅偏压下可达到20年的使用寿命，表明了良好的稳定性。故障时间与应力电压呈指数关系，且退化主要发生在栅极边缘而非中心。此外，TTF与温度有关，具有0.48-0.50 eV的激活能。

这项研究通过低频1/f噪声测量方法，探究了在关态（OFF-state）应力作用下，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中由应力引起的损伤的定位。研究中结合了电致发光（EL）分析，以更准确地确定损伤的位置和性质。研究发现，除了栅极边缘击穿之外，随着时间的推移，还会在栅极下方以及可能扩展到栅极-漏极区域的高电场区域逐渐产生捕获态。1/f噪声行为表明，除了与栅极边缘击穿有关的缺陷外，应力诱导的缺陷产生也发生在AlGaN势垒中。

这篇论文介绍了一项为期6年的空间实验结果，该实验研究了在地球静止轨道上辐射对氮化镓（GaN）电子元件的影响。实验使用了四个GaN晶体管，以Colpitts振荡器配置搭载在Alphasat通信卫星的组件技术测试床上。通过监测振荡器的功率输出随任务期间累积的总电离剂量的变化，进行了启发式分析。实验结果表明，GaN是一种强大的技术，可以用于地球静止轨道上的空间辐射环境中。

本文研究了氮化镓（GaN）肖特基型p-栅高电子迁移率晶体管（GaN SP-HEMT）的栅极鲁棒性和可靠性，通过一种新的电路方法评估了在实际转换器中栅极电压（VGS）过冲波形的栅极电压应力。研究发现，栅极的单脉冲失效边界（动态栅极击穿电压，BVDYN）和开关寿命在硬开关（HSW）和漏源接地（DSG）条件下表现出显著差异，并且与温度和VGS峰值有关。研究结果为p-栅GaN HEMTs的栅极可靠性和鲁棒性提供了新的定性方法，并揭示了栅极退化行为背后的物理机制。

研究团队通过在Schottky型p-GaN栅极HEMTs中将传统的p-GaN转换为类似绝缘体的全耗尽p-GaN，实现了在正向栅极偏压（VGS）下的栅极电流显著降低，并改变了正向VGS分配机制，从而显著降低了器件在高温下的热载流子生成。然而，这些器件的正向栅极击穿电压（VGBD）通常受到较高的栅极电流（IG）和靠近p-GaN表面的电场限制。本研究旨在通过不充分激活（IA）Mg掺杂剂来减少p-GaN中的自由空穴浓度，从而实现全耗尽的p-GaN层，以降低正向栅极偏压下的栅极电流，并探索这种改变对器件性能的影响。

这篇文章的核心内容是关于氮化镓（GaN）微波单片集成电路（MMIC）功率放大器的单粒子烧毁（SEB）机制的研究。

实验结果表明，p-GaN HEMT在低温下展现出了优异的电气特性，包括低亚阈值摆幅、高ION/IOFF比和高的ID,max。这些特性使得p-GaN HEMT非常适合用于低温电子应用。此外，通过建模和拟合实验数据，研究者们能够深入理解这些特性背后的物理机制，并为未来的器件设计和优化提供了理论基础。

本文的研究成果标志着GaN CMOS技术在功率电子和射频应用中的重要进展。通过创新的OPT技术，实现了p型和n型FETs的有效集成，为构建复杂逻辑电路提供了可能。此外，GaN基电路在高温下的稳定性，为其在极端环境中的应用打开了新的大门。这项工作不仅展示了GaN CMOS技术的潜力，也为未来的研究和应用指明了方向。图1扩展——单片集成的分立晶体管制造工艺步骤。

本研究通过LDLTS技术对GaN中的缺陷进行了深入分析，为改善GaN基器件的性能和可靠性提供了重要的理论基础。氮化镓（GaN）是一种在商业光电子器件中表现出色的材料，但其生长过程中常伴随着高密度的缺陷，如位错和堆垛层错，以及一些固有的点缺陷。在文中，150K 处的峰值标记为 E3，400K 左右的峰值标记为 E2，550K 处的峰值标记为 E1。本研究旨在通过LDLTS技术对GaN中的电子陷阱进行详细分析，以区分电活性点缺陷和扩展缺陷，并研究它们的行为如何随温度和填充脉冲长度变化。

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）因其高电流和功率密度、高击穿电压、高截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）以及效率等特点，成为毫米波功率放大器的理想选择。：文章回顾了150纳米及以下栅长的深亚微米GaN HEMTs的最新进展，并讨论了不同外延结构器件的短沟道效应和频率分散效应之间的权衡。：为了解决短沟道效应和分散效应之间的权衡，研究者们尝试了使用宽能带背屏障（无论是C掺杂还是未掺杂的）来减少2DEG电子与C掺杂GaN缓冲层中深能级之间的相互作用。

Yu H, Fang J, Vermeersch B, et al. Charge Movement in Back Barrier Induced Time-Dependent On-State Breakdown of GaN HEMT[C]//2023 International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2023: 1-4.材料生长条件:器件结构:器件制造:测量设备:在论文中，C-GaN背势垒层（Back Barrier, BB）中的电荷运动是导致

分享一篇关于发表于2023年IEDM上GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）的研究论文，标题为“Charge Movement in Back Barrier Induced Time-Dependent On-State Breakdown of GaN HEMT”。论文讨论了在GaN HEMT中，由于背栅（Back Barrier）引起的时间依赖性的导通态（On-State）击穿（Breakdown）现象中的电荷运动问题。

该研究探讨了质子辐射对使用Gd2O3作为栅极电介质的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的影响。通过对比肖特基栅极HEMTs和MOS-HEMTs在2 MeV质子辐射下的电气性能变化，研究发现Gd2O3栅极电介质层能有效减轻质子辐射引起的性能退化。

COMMUNICATIONS ENGINEERING | (2024) 3:15论文阅读。文章讨论了高k复杂氧化物栅介质在宽带隙高电子迁移率晶体管（HEMTs）上的异质集成。

虽然GaN在电子迁移率和热导率方面优于硅（Si）和砷化镓（GaAs），但其辐射硬度（radiation hardness）需要进一步研究，以确保在空间环境中的可靠性。这篇文件是一篇关于氮化镓（GaN）中质子反冲离子的线性能量转移（LET）和射程特性的研究论文，发表在《IEEE Transactions on Nuclear Science》2021年5月的期刊上。：通过分析GaN中质子反冲重离子的LET和射程，建立对GaN设备辐射耐受性的理解，并将这些知识应用于新兴技术。

研究结果表明，与GaN缓冲层相比，β-Ga2O3缓冲层的HEMT在漏电流方面有显著降低，并且在漏极电流（2.3 A/mm）、跨导（603 S/mm）和截止频率（486 GHz）方面表现更优。论文的结论是，通过对比分析GaN缓冲层和β-Ga2O3缓冲层的HEMT，发现后者在减少漏电流、提高电子限制在量子阱中的能力方面表现更好，从而在缩放横向尺寸时提高了频率性能，这使得β-Ga2O3缓冲层的HEMT成为低成本RF应用的推荐选择。这些性能的提升有助于在成本效益高的高速RF应用中使用这种HEMT器件。

本文是一篇关于p-GaN门AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究文章，发表于《应用物理杂志》（J. Appl. Phys.）2024年4月8日的期刊上。

作者对增强模式p-GaN门AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）进行了深入的设备和材料研究，旨在探索其在金星探索任务以及其他恶劣环境条件下的应用潜力。硅技术在面对极端环境时存在的固有限制，如在高温、高压和有害化学物质存在的条件下硅器件的性能会急剧下降。因此，GaN作为一种宽带隙半导体，因其出色的热稳定性和化学稳定性，被认为是在这些恶劣条件下应用的理想选择。 作者们构建GaN晶体管，并将其暴露在模拟金星环境的条件下进行了长达11天的测试。测试环境包括460°C的高温、94 bar的压力以及模拟金星

文章首先指出GaN器件在太空级功率转换应用中的潜力，尤其是在依赖MOSFET技术的领域。尽管GaN器件的数量不多，但当前市场上的太空级GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）仍然可以显著提高效率和功率密度。文章通过设计、实现并对比两种75-W的太空级正向转换器（一种使用GaN HEMTs，另一种使用传统的硅基MOSFETs），量化了GaN HEMTs相对于硅基器件的性能优势。文章定义了用于评估GaN在太空应用中当前状态的基线测量，即代表硬化硅MOSFETs的类别。

文章详细介绍了p-GaN栅电容的设计、特性和在高频功率集成中的应用。通过实验数据和理论分析，文章展示了p-GaN栅电容在实现高电容密度、低ESR和高Q因子方面的潜力。此外，文章还讨论了不同布局设计对电容器性能的影响，特别是多指交错布局在提高高频性能方面的显著优势。这项研究对于GaN功率集成电路的设计具有重要的指导意义，有助于推动GaN技术在高频功率应用中的进一步发展。

通过使用圆形器件结构和原子层刻蚀门极凹槽，实现了E-mode和D-mode AlGaN/GaN MIS-HEMT在400°C下的稳定操作。这些设备在400°C时显示出了高达10^8的Ion/Ioff比和高达21.4 mS/mm和19.1 mS/mm的大跨导。E-mode设备在高温下保持了正常的关闭操作和稳定的阈值电压，而D-mode设备由于应变松弛，阈值电压逐渐变化。使用E-mode和D-mode设备制造的DCFL反相器在高温下显示出了稳定的转移特性，这表明了高温逻辑和存储器的可行性。

总结了自加热效应在AlGaN/GaN HEMTs中的影响，并提出了一种新的沟道温度确定方法。通过实验，作者观察到输出特性中的负微分电阻伴随着HEMT的自加热效应。研究确认了在硅基底上生长的器件有更好的冷却效果，并且比在蓝宝石基底上的器件有更低的热阻。最后，文章还研究了不同栅长下HEMT的自加热效应，并验证了短栅结构的自加热效应更强。

本文研究了具有再生长p-GaN栅极和AlN/SiNx堆叠钝化的常关型高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅极可靠性及其退化机制。通过比较两种设计结构下的正向漏电流，确定了传导机制为Fowler-Nordheim（F-N）隧穿，该机制下电流与温度无关，当Pd/p-GaN肖特基结在高电场下时。即使对于再生长的p-GaN栅极，首先出现的是肖特基结的失效，导致栅极电流急剧增加。通过采用幂律和指数律作为外推拟合，分别估计了在室温下10年寿命内故障率为1%时的最大栅极操作电压约为6.87 V和6.07 V。

本文提供了对高铝含量AlGaN势垒层GaN ISFETs在pH传感应用中的表面敏感性和稳定性的深入理解。通过实验和分析，文章揭示了这些设备在碱性环境中面临的挑战，并提出了可能的改进方向，如表面处理的优化和使用脉冲电流进行测量以减少测量时间。这项研究对于开发更可靠的pH传感器具有重要意义，并为未来的研究提供了有价值的见解。

文章提出的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN HFET结构通过在p-GaN和AlGaN之间插入p-AlGaN层，有效地解决了选择性蚀刻过程中的表面损伤问题，并提高了阈值电压。这种结构不仅提高了器件的性能，还增强了开关操作时的安全性，对于提升增强型GaN HFET的可靠性具有重要意义。此外，文章中的实验数据和模拟结果相互印证，展示了新型结构的优势。

低温条件下空穴陷阱对p-GaN HEMTs栅极漏电的影响显著。通过C-DLTS测试和漏电电流拟合，揭示了冻结陷阱效应，并通过分析栅极漏电电流机制，为低温条件下p-GaN HEMTs的研究提供了宝贵的见解。

文章通过对Schottky型p-GaN门HEMTs在正向门ESD事件中的鲁棒性进行研究，揭示了其高瞬态正向IG的机制，这对于理解和改进这类器件的ESD保护具有重要意义。作者使用基于SiC MOSFETs的高速脉冲I-V测试系统，不仅提供了一种新的测试手段，而且通过实验数据和理论分析，为设计具有更高ESD鲁棒性的p-GaN门HEMTs提供了科学依据。

这篇文章通过实验和理论模拟相结合的方法，深入研究了液态Ga在GaN不同晶面上的有序排列随温度的变化规律，揭示了Ga原子在GaN表面的动态迁移行为，为理解GaN的MBE生长机制提供了重要信息。这项工作对于优化GaN的外延生长条件，获得高质量的GaN薄膜具有重要的指导意义。

AlGaN/GaN HEMT因其在高电压、高温和高频率下的操作能力而受到关注，尤其在航空航天和汽车应用中，其辐射响应变得尤为重要。重离子辐射可能导致绝缘体失效，即单事件效应（SEEs）引起的栅介质击穿。这篇论文提供了对AlGaN/GaN HEMT在辐射环境下性能影响的深入理解，对于设计和应用这些器件在高辐射环境中具有重要意义。：研究AlGaN/GaN HEMT在不同偏压、离子LET（线性能量传递）、辐射通量和总粒子数下对重离子辐射的耐受性。