荷塘阅色

文章通过对垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中电导调制的瞬态行为及其对动态 RON 性能的影响的研究发现，通过增加 tON 和 ION，可以进一步增强垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中的传导调制，从而实现负动态 RON 性能。直接带隙 GaN 垂直 PiN 二极管能够实现传导调制、负动态 RON 和超短本征少数载流子寿命，因此在高功率和高频应用中具有很大的潜力。

研究目的：鉴于动态RON退化对GaN功率器件性能的显著影响，本文旨在全面综述和讨论GaN功率器件中动态RON退化的机制、表征方法、建模技术以及解决方案，以期为GaN功率器件的设计、优化和应用提供理论指导和实践参考。内容概述：文章首先分析了缓冲层陷阱和栅极不稳定导致动态RON退化的物理机制，并通过物理基础的TCAD模拟与高压背栅测量结果进行对比，揭示缓冲层陷阱的充电/放电过程如何影响动态RON。接着，讨论了不同GaN器件技术中栅极不稳定引起的动态RON增加以及栅极过驱动的作用。

2021 年，南方科技大学的 Guangnan Zhou 等人基于多栅扫描测量法，深入研究了 p-GaN 栅极 AlGaN/GaN HEMTs 的栅极击穿（BD）机制。首先，他们详细介绍了 GaN 材料因其高临界电场和高饱和速度等优异物理特性，在功率开关应用领域具有巨大潜力，特别是在低电压应用中，横向高电子迁移率晶体管（HEMTs）展现出成熟且优越的性能。

2025 年，中国科学技术大学的 Xuan Xie 等人采用实验研究的方法，深入探究了 10-MeV 和 50-MeV 质子辐照（ fluence 最高达 1×1014 cm−2）对 kV 级垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管的导电调制影响。研究背景在于空间应用中的功率电子电路易受质子、α 粒子和重离子等影响而降级甚至失效，而宽禁带半导体器件在恶劣辐射环境中有应用潜力，但其在辐照后的导电性和击穿电压优势需进一步研究。

2025 年，哈尔滨工业大学的 Le Gao 等人基于物理信息深度学习（PIDL）方法，研究了在稀疏数据条件下碳化硅（SiC）MOSFET 的剩余使用寿命（RUL）预测问题，尤其关注了其在辐射环境下的可靠性。

综合上述实验结果，可以得出以下结论：HET 技术在提升 GaN 垂直 PIN 二极管的抗辐射能力方面具有显著优势。通过优化边缘终止结构设计，HET 器件能够有效改善阳极边缘的电场分布，降低电场拥挤现象，从而提高器件的 SEB 阈值并减少辐射诱导的 SELC 和 SEB 效应。相比之下，JTE 器件由于其较差的电场管理能力，在重离子辐射环境下更容易发生失效。阳极厚度是影响器件辐射响应的重要因素之一。

本研究通过热缺陷谱（DLTS）和光缺陷谱（DLOS）等实验技术，深入研究了碳、氮和镁掺杂在β-Ga2O3中引入的补偿深能级缺陷。研究结果表明，不同掺杂元素引入的缺陷能级位置和补偿效率各不相同，对材料的电学性能有显著影响。

2019年，中国工程物理研究院电子工程研究所的Rong Wang等人基于实验研究和第一性原理计算，研究了开启态偏置下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中氧诱导的阈值电压（Vth）漂移的缺陷演化机理。实验结果表明，在开启态应力作用下，T型栅AlGaN/GaN HEMT的Vth发生了明显的负向漂移，且这种漂移与GaN通道中约0.8 eV处的缺陷能级的减少密切相关。进一步的1/f噪声测量和温度依赖性实验揭示了开启态应力下GaN通道中缺陷的演化情况，表明热载流子应力导致了缺陷能级的变化。

2019年，中国工程物理研究院电子工程研究所的Tong等人基于实验与第一性原理计算方法，研究了Ka波段GaN低噪声放大器（LNA）在高输入功率应力下的退化机制。实验结果表明，在27 GHz下施加1 W连续波（CW）输入功率应力后，LNA的增益下降约1 dB，噪声系数（NF）增加约0.7 dB。进一步的测量发现，阈值电压（Vth）的正向偏移导致了增益的下降，而栅极漏电流（Ig）的增加则是NF退化的主要原因。

探讨肖特基型p-GaN门极高电子迁移率晶体管（HEMTs）在正向门极人体模型（HBM）静电放电（ESD）条件下的鲁棒性和机制。通过使用基于碳化硅（SiC）MOSFET的高速脉冲I-V测试系统，作者们详细分析了在显著但非破坏性的放电事件中观察到的高瞬态正向门极漏电流（IG），并揭示了其主要由AlGaN势垒的电子热发射所主导，这一过程受到p-GaN门极堆叠内部动态电容电压分配的影响。

自发极化是纤锌矿结构的一个关键特性，它是由晶体内部的电荷分布不均匀造成的。这种固有的极化现象对材料的电子性质有着深远的影响，包括载流子的类型和密度，这些都是设计和优化半导体器件时必须考虑的因素。例如，在HEMTs中，自发极化会影响二维电子气的形成和其迁移率，进而影响器件的性能。这篇文章通过理论分析和实验验证，成功地解决了纤锌矿结构晶体中自发极化方向的混淆问题。作者的发现对于半导体器件的设计和性能优化具有重要意义，特别是在III-N化合物的应用中。

【TCAD仿真】sentaurus中的氮化镓材料参数GaN.par

否则，必须在 LatticeParameters Sentaurus Device 的参数文件中的部分。Sentaurus Device 有两个工具实例：第一个工具实例， sd_fdiv ，模拟正向偏置特性，第二个工具实例， sd_rviv ，模拟反向偏置特性直至击穿。对于牛顿求解器，通常应该将非线性迭代次数限制为一个足够小的值，例如 Iterations=20 ，同时通过指定非阻尼迭代次数高于允许的牛顿迭代次数来避免解的阻尼（ NotDamped=30 ）。晶胞中的 Ga-N 键为橙色。

允许使用有限的数据集名称 SFactor 规范，例如 DeepLevels ， xMoleFraction ， 和 yMoleFraction （从兴奋剂档案中读取） eTrappedCharge 和 hTrappedCharge （从指定的文件中读取 DevFields 在 File 部分）或 PMI 用户字段 PMIUserField0...10 （从指定的文件中读取 PMIUserFields 在 File 部分）。给定的陷阱截面 eNeutral 陷阱是多种多样的 Xsec 项目参数。

这项工作提出了一种与GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)单片集成的栅极静电放电(ESD)保护电路。除了增强栅极对ESD事件的鲁棒性外，该多功能电路还提高了功率HEMT正常开关操作时导通电阻(RON)和阈值电压(VTH)的稳定性。这种改进是通过将HEMT的负栅极偏压(VG)钳位在关断状态来实现的，这是功率p栅极GaNHEMT中RON和VTH不稳定的关键原因。部署了一个电路装置，用于现场监控动态RON及其从第一个开关周期到稳态的演变。

通过引言部分的介绍，我们可以看到，文章是在GaN HEMT技术快速发展和GaN功率集成电路逐渐成熟的背景下展开的。作者们敏锐地捕捉到了GaN CL配置在提高能效和简化电路设计方面的优势，并针对GaN p-FET这一长期限制因素的突破，提出了基于GaN CL的两级比较器这一创新性研究课题。这一课题不仅具有理论研究价值，还对实际的功率转换系统设计具有重要的指导意义，有望推动GaN功率集成电路技术向更高性能、更低功耗的方向发展。

在实际应用中，p沟道场效应晶体管（p-FET）的源极通常连接到高电压，因此衬底到源极的偏置电压（VBS）可能不为零。本研究首次报告了p-FET的漏极电流（ID）与VBS之间的依赖性，并从垂直电场（EF）分布的角度分析了背后的机制。

通过考虑HEMTs在不同温度下的瞬态漏电流，识别了三种捕获机制：（1）在靠近二维电子气（2DEG）通道的栅极-漏极区域的AlGaN势垒层中的电荷捕获；（2）在靠近栅极的栅极-漏极区域的GaN层中的电荷捕获；以及（3）在靠近栅极的栅极-漏极区域的AlGaN层表面的电荷捕获。

文章介绍了一种改善肖特基栅p-GaN HEMTs正向偏置栅极可靠性的方法。特别提出了一种栅极布局解决方案GWA，旨在提高高温下的失效时间（TTF）。这种方法避免了栅极手指（p-GaN/金属）暴露于氮注入，这是为了终止和隔离目的所需的。GWA器件在高温下显示出比参考器件更好的栅极可靠性，无论是在直流（DC）还是脉冲应力测试下。最后，文章证明了肖特基栅p-GaN HEMTs在高达150°C的温度范围内显示出正的温度依赖性栅极TTF，确认了影响离子化对栅极失效的关键作用。

作者提出了一种新的表征方法，通过使用分裂C-V方法和霍尔效应测量来扩展Dit(E)能量范围的极限。这种方法的核心思想是对SiO2/SiC界面处的自由（移动）和捕获载流子的密度进行定量表征。通过精确解决MOS结构中的泊松方程，最小化了应用栅极电压（Vg）与界面陷阱能量（Et）之间的关系误差。

本文是一篇关于增强型（E-mode）AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究论文，晶体管是在硅衬底上制造的，并在3.6 GHz频率下展示了80.4%的峰值功率附加效率（PAE）。

本研究的主要目的是系统地研究β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD）在205 MeV锗离子辐射下的单事件烧毁机制。通过实验和TCAD（技术计算机辅助设计）模拟，探讨SEB的阈值电压、敏感烧毁位置及其背后的物理机制。文章强调了对β-Ga₂O₃ SBD在辐射环境下的可靠性评估的重要性，为未来的器件级硬化提供理论和实验依据。

文章中使用Silvaco TCAD模拟器来分析p-GaN HEMTs的SEB特性。模拟中考虑了重离子撞击对器件的影响，特别是关注了栅极区域，因为这是器件最敏感的部分。模拟中重离子的入射位置被设定在栅极边缘，这与图1中的红色箭头所示的位置一致。GaN缓冲层：厚度为4.5微米，这是器件结构的基础部分，对电子迁移率有重要影响。GaN通道层：厚度为200纳米，是载流子传输的主要区域。Al0.15Ga0.85N势垒层：厚度为25纳米，用于限制载流子的流动，提高器件的控制能力。p-Al0.15Ga0.85N层。

本研究探讨了不同缓冲层结构对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）射频性能的影响。通过对比三种不同缓冲层结构的GaN HEMT设备，研究了缓冲层质量和陷阱效应对射频增益的影响。实验采用了详细的直流和脉冲IV测量，以及温度依赖的低频S参数测量，来评估缓冲层陷阱的激活能。研究结果表明，低掺杂碳（C）的缓冲层显示出更好的射频性能，并且较薄的缓冲层结构能够减少陷阱的影响，从而提高设备性能。

这篇文章研究了氮化镓（GaN）中碳相关缺陷和本征点缺陷的迁移机制和扩散势垒。通过使用第一性原理计算，特别是攀爬图像Nudged Elastic Band（CI-NEB）方法和二聚体方法，作者计算了碳间隙原子在wurtzite GaN晶体中的迁移势垒，并探讨了可能的扩散路径。研究发现，碳间隙原子在中性状态下通过第一近邻平面外机制（机制A）具有最低的迁移势垒。对于带电的碳间隙原子，+1和-1电荷状态下的迁移势垒较低，而+2电荷状态下的平面内迁移更为有利。此外，文章还讨论了碳间隙原子与氮间隙原子和空位的相互作用，

本研究探讨了具有混合边缘终止设计（Hybrid Edge Termination, HET）的同质结氮化镓（GaN）垂直PIN二极管在重离子辐射下的单粒子烧毁（Single-event Burnout, SEB）现象。研究发现，这些器件在12-MeV氧离子和16-MeV氯离子辐射下表现出优异的耐受性，但在Cf-252裂变碎片辐射下，约50%的器件在电气击穿电压下发生SEB。通过光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）分析，SEB引起的损伤主要位于器件中心而非阳极边缘。研究结果表明，HET设计能有效管理电场，减少

这篇论文研究了电离总剂量（Total-Ionizing-Dose, TID）辐射对高压p-GaN门高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistors, HEMTs）栅极损伤的影响。

本文献《Influence of dislocations on electron energy-loss spectra in gallium nitride》由C. J. Fall等人撰写，发表于2002年。研究团队通过第一性原理计算，探讨了位错对氮化镓（GaN）电子能量损失谱（EEL）的影响。研究发现，未装饰的全核心位错导致低损耗EEL光谱中低于块体起始能量的吸收。此外，边缘位错附近的氮原子的静电势变化显著，对核心损耗光谱的简单解释提出了质疑。

使用3 MeV质子对器件进行辐照，辐照剂量分别为5×10^13 H⁺/cm²、1×10^14 H⁺/cm²和5×10^14 H⁺/cm²，辐射剂量率约为6×10^9离子/(cm²·s)，在室温下进行辐照实验。研究结果表明，质子辐照和正向栅极偏置应力的综合效应对界面陷阱的影响比对AlGaN层中的体陷阱更为复杂。文章还讨论了质子辐照和电应力对AlGaN/GaN异质结构界面陷阱影响的机理，包括质子辐照引起的位移损伤、正向栅极偏置应力导致的漏电流路径的生成，以及这些因素如何影响界面陷阱的特性。

文章讨论了一种基于栅漏肖特基二极管正向电压降的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）结温和热阻的电测方法。在测量这个温度敏感参数时，源极被置于浮动状态，而漏极接地。研究表明，GaN HEMTs的热点位于靠近漏极的栅侧。使用栅漏肖特基二极管的正向电压降相对于使用栅源肖特基二极管的正向电压降能够得到更高和更一致的温度读数。这种方法可能为基于氮化镓的HEMTs的热管理和可靠性分析提供更准确的数据。

本研究探讨了在沟道栅MOSFETs中，镁（Mg）激活退火步骤对p型氮化镓（GaN）体的通道迁移率和阈值电压（VT）稳定性的影响。

三星公司的研究人员介绍了一种高阈值电压、低导通电阻和高速的GaN-HEMT功率器件，该器件在栅极堆叠中使用了p-GaN层。文章提出了三个创新点：首先，首次在200毫米GaN on Si衬底上使用无Au且完全与CMOS兼容的工艺制造了p-GaN栅HEMT；其次，通过采用p-GaN和W栅堆叠，实现了良好的电气特性，包括阈值电压高于2.8V、低栅极漏电流、无迟滞和快速开关；最后，展示了可以承受高达20V栅偏压的TO-220封装的p-GaN栅HEMT器件

本文献深入研究了带有p-GaN栅极的正常关断型(normally-off)高电子迁移率晶体管(GaN-HEMTs)在恒定电压应力下的时序退化行为。通过直流特性分析和温度依赖性分析，研究了故障时间(TTF)与应力温度和器件几何结构的依赖性。结果显示，p-GaN栅极晶体管在7.2V的栅偏压下可达到20年的使用寿命，表明了良好的稳定性。故障时间与应力电压呈指数关系，且退化主要发生在栅极边缘而非中心。此外，TTF与温度有关，具有0.48-0.50 eV的激活能。

这项研究通过低频1/f噪声测量方法，探究了在关态（OFF-state）应力作用下，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中由应力引起的损伤的定位。研究中结合了电致发光（EL）分析，以更准确地确定损伤的位置和性质。研究发现，除了栅极边缘击穿之外，随着时间的推移，还会在栅极下方以及可能扩展到栅极-漏极区域的高电场区域逐渐产生捕获态。1/f噪声行为表明，除了与栅极边缘击穿有关的缺陷外，应力诱导的缺陷产生也发生在AlGaN势垒中。

这篇论文介绍了一项为期6年的空间实验结果，该实验研究了在地球静止轨道上辐射对氮化镓（GaN）电子元件的影响。实验使用了四个GaN晶体管，以Colpitts振荡器配置搭载在Alphasat通信卫星的组件技术测试床上。通过监测振荡器的功率输出随任务期间累积的总电离剂量的变化，进行了启发式分析。实验结果表明，GaN是一种强大的技术，可以用于地球静止轨道上的空间辐射环境中。

本文研究了氮化镓（GaN）肖特基型p-栅高电子迁移率晶体管（GaN SP-HEMT）的栅极鲁棒性和可靠性，通过一种新的电路方法评估了在实际转换器中栅极电压（VGS）过冲波形的栅极电压应力。研究发现，栅极的单脉冲失效边界（动态栅极击穿电压，BVDYN）和开关寿命在硬开关（HSW）和漏源接地（DSG）条件下表现出显著差异，并且与温度和VGS峰值有关。研究结果为p-栅GaN HEMTs的栅极可靠性和鲁棒性提供了新的定性方法，并揭示了栅极退化行为背后的物理机制。

研究团队通过在Schottky型p-GaN栅极HEMTs中将传统的p-GaN转换为类似绝缘体的全耗尽p-GaN，实现了在正向栅极偏压（VGS）下的栅极电流显著降低，并改变了正向VGS分配机制，从而显著降低了器件在高温下的热载流子生成。然而，这些器件的正向栅极击穿电压（VGBD）通常受到较高的栅极电流（IG）和靠近p-GaN表面的电场限制。本研究旨在通过不充分激活（IA）Mg掺杂剂来减少p-GaN中的自由空穴浓度，从而实现全耗尽的p-GaN层，以降低正向栅极偏压下的栅极电流，并探索这种改变对器件性能的影响。

这篇文章的核心内容是关于氮化镓（GaN）微波单片集成电路（MMIC）功率放大器的单粒子烧毁（SEB）机制的研究。

实验结果表明，p-GaN HEMT在低温下展现出了优异的电气特性，包括低亚阈值摆幅、高ION/IOFF比和高的ID,max。这些特性使得p-GaN HEMT非常适合用于低温电子应用。此外，通过建模和拟合实验数据，研究者们能够深入理解这些特性背后的物理机制，并为未来的器件设计和优化提供了理论基础。

本文的研究成果标志着GaN CMOS技术在功率电子和射频应用中的重要进展。通过创新的OPT技术，实现了p型和n型FETs的有效集成，为构建复杂逻辑电路提供了可能。此外，GaN基电路在高温下的稳定性，为其在极端环境中的应用打开了新的大门。这项工作不仅展示了GaN CMOS技术的潜力，也为未来的研究和应用指明了方向。图1扩展——单片集成的分立晶体管制造工艺步骤。