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本文探讨了氮化镓（GaN）功率器件在转换器设计中的应用，包括垂直和横向器件的特性、挑战及商业化进展。GaN器件因其高速和高效特性在电力电子领域展现出巨大潜力。然而，GaN晶圆制造的高成本和复杂性限制了其商业化。文章分析了垂直GaN器件的结构、制造技术和商业状态，以及横向GaN器件如HFETs的基本原理、设计考虑和反向传导行为。转换器设计中需要考虑开关特性、封装、栅极驱动器、热设计和可靠性等因素。随着GaN器件性能的提升，设计工程师需要掌握相应的设计技能以应对挑战。
I. 引言（INTRODUCTION）
宽带隙（WBG）器件的重要性： 引言部分首先强调了宽带隙（WBG）器件在高频、高效率电力电子技术中的关键作用。这些器件，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），相较于传统的硅功率器件，具有显著的优势。宽带隙半导体材料的高击穿场强允许设计更薄的漂移区，从而优化器件的特定导通电阻（Rds,on）。此外，GaN的高电子迁移率进一步降低了导通电阻，使得器件尺寸更小，输入和输出电容更低，这有助于实现更快的开关瞬态。
GaN材料特性： GaN作为一种宽带隙半导体，其材料特性在高效率和高频转换器中尤为突出。尽管SiC在高温应用中表现出色，但GaN在高频转换器中的表现更为优越。文章提到，额定电压高达650V的GaN功率器件已经商业化，并且GaN基转换器设计已成为一个热门话题。
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