计算机组成原理之存储系统

存储系统

存储器的层次结构

存储器的分类

按作用分类

1. 主存储器（主存、内存）
   • 存放机损及运行期间所需的大量程序和数据
   • cpu 可直接访问，也可以和高速缓冲存储器交换数据
   • 容量较小、存取速度慢、每位价格较高
2. 副助存储器（外存）
   • 存放当前暂时用不到的程序和数据，永久性保存的信息
   • 不能与 CPU 交换信息
   • 容量极大、存取速度慢、单位成本高
3. 高速缓冲存储器（Cache）
   • 存放正在执行的程序段和数据
   • 容量小，价格高

按存储介质分类

• 磁表面存储器
• 磁芯存储器半导体存储器
• 光存储器

按存取方式分类

1. 随机存储器（RAM）
   • 任何一个单元的内容可以随机存取，存取时间与存储器单元的物理位置无关
   • 读写方便、使用灵活
   • 用作主存或高速缓冲存储器
   • 分为静态 RAM（触发器原理寄存信息）、动态 RAM（电容充电原理寄存器）
2. 只读存储器（ROM）
   • 存储器的内容只能随机读出而不能写入
   • 信息一旦写入就固定不变
3. 串行访问存储器
   • 按照物理位置的先后顺序寻址（磁带、磁盘）

按信息的可保存性分类

1. 易失性存储器（RAM）
2. 非易失性存储器（ROM）

存储器的性能指标

• 存储容量：存储字长 x 字长
• 单位成本：每位成本=总成本/总容量
• 存储速度：数据传输率=数据的宽度/存储周期

存储器的层次化结构

多级存储系统

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半导体随机存储器

半导体存储芯片

半导体存储芯片的基本结构

1. 存储矩阵：大量相同的位存储单元组成
2. 译码驱动电路：将地址总线的地址信号翻译成对应的存储单元的选通信号
3. 读写电路：读写放大器+写入电路
4. 读写控制线：决定芯片进行读/写操作
5. 片选线：确定那个芯片被选中
6. 地址线：单向输入，位数与存储字的个数有关
7. 数据线：双向，位数与读出、写入的数据位数有关

74138 译码器

将二进制编码译码为 0~7的十进制数值

SRAM 和 DRAM

SRAM 工作原理

• 双稳态触发器（六管 MOS）来记忆信息
• 只要电源被切断原来保存的信息就会丢失，属于易失性半导体存储器
• 存取速度快，集成度低，功耗大，一般用来组成高速缓冲存储器

DRAM 工作原理

• 利用栅极电容上的电荷存储信息，分为三管式、单管式
• 采用地址复用技术，地址信号分行、列两次传送
• 容易集成、价位低、容量大、功耗低，存取速度比 SRAM 慢，组成大容量存储系统

刷新方式

1. 集中刷新
   在一个刷新周期内，利用一段固定的时间，依次对所有行进行逐一再生
   • 优点： 读写操作时不受刷新工作的影响，存取速度高
   • 缺点：在集中刷新期间不能访问存储器
2. 分散刷新
   把每行的刷新分散到各个工作周期中，一个存储器的系统工作周期前半部分用于正常读、写、保持，后半部分用于刷新某一行，增加了系统的存取周期
   • 优点： 没有死区
   • 缺点：加长了系统的存取周期，降低了整机的速度
3. 异步刷新
   将刷新周期除以行数，得到两次刷新之间的时间间隔 t， 利用逻辑电路每隔 t 时间产生一次刷新请求
   • 避免 CPU 等待过长的时间，减少刷新的次数，提高整机效率

注意：

• 刷新对 CPU 透明
• 动态 RAM 刷新单位是行，刷新操作只需要行地址

存储器的读写周期

只读存储器

只读存储器（ROM）的特点

1. 结构简单