2016年12月_暖暖的纠结

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原创硬件学习笔记：MOS管

MOS管N沟道，p沟道的区分简单一点的方式：看管子箭头的指向，箭头指向G极的是N沟道箭头指出G极的是P沟道有虚线的是增强型。不管N沟道，还是P沟道，2根线交叉的极就是S极。寄生电容的判断：在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有

2016-12-06 10:29:18 1457

原创 STM32学习笔记：单片机按键单击、双击、长按功能实现

由于项目产品的需要，只能设置一个按键，但是需要实现短按（即单击）切换工作模式、长按开关机、双击暂停等复用功能。下图是三种情况下的按键波形。按键未按下时是高电平，按下去是低电平。按键单击时，判断时间门槛设置为50~2000ms；长按门槛为持续按下2000ms。双击可以视为时间间隔很短的俩次有效单击，从第一次单击上升沿到第二次单击上升沿延时门槛为100~500ms。 //按键按下去会出现下降沿，设置按

2016-12-05 16:00:13 13874 4

原创中断服务函数的写法

编写中断服务函数时，经常使用到2个函数：第一个函数是判断某个中断是否发生另一个是清除某个中断标志位。在这里需要注意的一点就是：中断事件发生以后，CPU的主权交给了中断控制器，进入中断执行中断服务函数，执行完中断程序后，在将CPU的主权交给主程序。在退出中断前要清除中断标志位，否则在退出中断后，标志位没有清除。会再一次进入中断，一直循环，所以：要清除中断标志位。void EXTI3_IRQHan

2016-12-05 09:54:30 11459

转载（(volatile unsigned int )）详解

使用一个32位处理器，要对一个32位的内存地址进行访问，可以这样定义#define RAM_ADDR (*(volatile unsigned long *)0x00000000)然后就可以用C语言对这个内存地址进行读写操作了读：tmp = RAM_ADDR；写：RAM_ADDR = 0x55；volatile的意思是说明这个变量是可能被别的程序或者本程序的其他线程修改的，这样编译器就不能优化它，每

2016-12-04 16:08:18 526

CuteLogger.rar

Qt CuteLogger 日志输出文件特点：几乎记录所有内容：文件名，源代码行，函数签名。灵活的附加程序系统：登录到文件，控制台甚至Android logcat，添加自定义附加程序，自定义输出格式。与Qt内置类型兼容。可以用作qDebug等的直接替代。支持测量操作的时间。支持日志类别，能够将所有消息从类/命名空间记录到自定义类别。线程安全

2020-08-27