[笔记]关于BMS进行短路测试的信息总结-未完成

2024/1/22

更新描述(居然被催更)

2025/4/18

1、更新对3.2的时间描述

2、增加范例

一、背景

        本人目前从事BMS工作，当前正在进行短路测试。目前已经废了几十个管了(*^_^*)；

        请注意，当短路时达到了MOS的钳位电压的时候，短路成功是有次数的，每次短路都会对MOS有一定的损坏，所以可能前面两/三次可以，但是在第四次的时候会炸管。反之则不一定，作者并未出现过炸管；

二、信息总结

        PCB设计初期要考虑电流流向是否平均流入流出各路MOS；板子的大电流回路的寄生电感；短路时，最大能量是否超过了MOS的最大Eas(雪崩能量)；要根据客户的电池进行适配，切勿使用与实际电池的容量和倍率相差过大的PACK进行测试，不然就是浪费力气；等诸多原因，包含MOS的Crss参数等；

                1）是否平均流入流出，影响持续时候的热平衡，以及短路时，各单体MOS过电流不会相差太大，不然会导致某个MOS的DS击穿情况；

                        可以通过更改不同位置MOS的驱动电阻来调节导通时间；

                2）寄生电感直接关系MOS关断的瞬时电压大小；

                        1、尽可能的缩短过电流路径

                        2、能用1OZ的就别用2OZ，铜厚也影响PCB电感量

                3)   Eas雪崩

                        如果总MOS的Eas值够大，短路也是可以过；当然，也要考虑关断速度所影响的关断能量问题；

                4)  MOS的Rg电阻

                        通常会使用47R/100R来驱动各路MOS，但不绝对，要考虑发热量的问题；调大可能会造成过热，进而导致MOS耐电流能力下降；

                5)  过流和短路波形有区别

                        我做测试时发现过流保护和短路保护的波形会有很大的区别，过流基本会达到MOS的钳位电压，但是短路很大可能不会到MOS的钳位电压。所以过流只能来测GS的下降时间，我做了这么多次短路，发现一般情况只需要将GS的下降总时间放到30us的点，基本都能过。并且DS电压并不会到MOS的钳位电压。

                6）匹配客户的电池包参数

                        最好是直接拿到客户的电池包进行测试，不然像我手头是动力型方体大容量电池，客户是18650普通3C多串多并，那样可能客户的电池包能很好的过短路，但是自己手头的电池包根本过不了的情况。所以一定一定要知道客户的电池包参数，不要盲目的做短路测试，白费力气！！！

                 7）MOS封装不同所带来同的抗冲击能力

                        TOLL > TO-263 > TO252，这个是基本关系，除非MOS很NB，价格也非常NB。

                8）MOS选型

                        一个比较典型的例子，一般情况使用的话电池包的电压不超过MOS的总耐压85%；

                        有一种情况：

                        16S三元，按最大电压4.25 * 16 = 68V

                        85V管子的85%是72.25V

                        那么也是可以用的，但是短路我认为基本过不了。因为考虑到成本问题，不管是MOS数量还是内阻，都是尽可能的往低成本进行适配。那么如果想过短路只能加MOS数量，或者MOS数量不变的情况下，换更高耐压的MOS。

三、小试牛刀

        3.1 改进关断路径

        一般情况下，IC的DO脚是推挽架构（不包括早期一些厂商的IC可能拉灌电流能力弱的情况），在低串数低功率的情况下是没什么问题的。但是我前期使用别人的下拉电路的时候，发现过流关断的时候都会发生MOS的GS脚震荡。如图

                            

按照理论分析来说，当发生放电事件后，DO会置0，进而关闭MOS导通。其路径为；

IC的DO为0，MMBT5401导通，将E点电位拉到与C点电位一致（不知道我有没说反），即nDO为0，MOS的DS = 0，达到MOS关闭的结果；

        但是！但是！

        实际情况是，当IC的DO为0，其MMBT5401的B点电位经过电阻R30的1K走IC内部到GND，这样会造成三极管在放大区，从而造成nDO波形震荡，即MOS的GS震荡。

         改进重点

        此电路要在这个基础上反并一个肖特基二极管

           

        这样就可以消除震荡的情况，得到一个较为平滑的下降沿（较平滑是因为MOS的问题，多少会有点毛刺）；震荡应该是灌电流回路的R30所造成的情况。（各位大佬可以在评论区说说我说的有没问题，我理论比较差）

        3.2、调节下降沿时间

        电路确定后，那么就是调节关断时间的问题了；前面我也说了，一般情况下将GS的下降总时间拉到100us处基本就可以过短路，但不完全对，需要看你产品的功率；目前我是尝试过7S50A/13S20A等参数，基本都是在30us都可以过。如果VDS过还是高，一般考虑先将时间再拉长，但要考虑是否会击穿GS的情况。另一种就是加钱再堆MOS数量。

                可以通过调节R50的阻值来调节下降总时间，如果你发现R50的阻值可能用的是不常用电阻值，你也可以更改GS的电阻，再进行R50的调节；

        3.3、增加TVS来替MOS抗短路

        一般85V的管，会用64V的TVS（64V一般雪崩击穿电压在100V左右）进行并联。由于TVS的功率会比MOS大很多，所能承受的雪崩能量也很大，但是要注意PCB走线，需要一定的宽度，不然会TVS没崩，铜箔先崩，同时会导致放电管瞬间击穿；

                                                要注意TVS的走线宽度！！！

                                                要注意TVS的走线宽度！！！

                                                要注意TVS的走线宽度！！！

        但是！纵使TVS的功率很大，同样也是会崩的；一旦TVS崩了，就一定是短路状态，导致整个BMS失效，甚至着火。除非TVS内部整个炸没了。

        抗冲击顺序是关断前部分由MOS抗，后段最大的冲击能量由TVS抗。TVS的雪崩电压尽可能靠近MOS的雪崩电压，这样TVS冲击时间比较短，比较保险。

四、目前已知各家体二极管钳位电压点

              每批次MOS的钳位电压都不太一样，请悉知！

              华润微的CRSS052N08的DS钳位电压约为114V

              德普微的DP052N09GN的DS钳位电压约为120V

              金誉的PTY08N052的DS钳位电压约为104V

五、范例

电池：钠电池/13S/30Ah

MOS：贝岭-BLP024N10-T  TOLL封装

因为要串包，所以13S用了100V的MOS