发射链路总体设计2

 PA热性能：
小功率的PA的热性能比较容易满足，大功率PA（25W/50W）热性能就更为重要了。
功率器件受到的热应力可来自器件内部，也可来自器件外部.若器件的散热能力有限，则功率的耗散就会造成器件内部芯片有源区温度上升及结温升高，使得器件可靠性降低，无法安全工作.表征功率器件热能力的参数主要有结温和热阻。
当结温Tj高于周围环境温度Ta时，热量通过温差形成扩散热流，由芯片通过管壳向外散发，散发出的热量随着温差(Tj-Ta)的增大而增大。为了保证器件能够长期正常工作，必须规定一个最高允许结温 Tj max.Tj max的大小是根据器件的芯片材料、封装材料和可靠性要求确定的.
功率器件热设计——主要目的就要保证功率器件长期工作时的温度不能超过功率器件最高允许结温 。利用功耗乘以热阻来确定功率器件的温升。这种分析方法的限制在于它过于简单化了功耗计算，没有考虑瞬态条件。
功率器件的散热能力通常用热阻表征，记为Rt，热阻越大，则散热能力越差。热阻又分为内热阻和外热阻：内热阻是器件自身固有的热阻，与管芯、外壳材料的导热率、厚度和截面积以及加工工艺等有关；外热阻则与管壳封装的形式有关。一般来说，管壳面积越大，则外热阻越小。
最常用的散热方法是将功率器件安装在散热器上，利用散热器将热量散到周围空间
热量在传递过程中有一定热阻
由器件管芯传到器件底部的热阻为——Rthjc，
器件底部与PCB之间的热阻为——Rtx，
PCB与导热片与散热器之间的热阻为——RtL
散热器与周围空气的热阻为——RtZ，
允许最大总的热阻RtH =Rthjc+Rtx+RtL+RtZ。
允许最大工艺(外部）总热阻RtM=Rtx+RtL+RtZ
若器件的最大功率损耗为——Pd，
并已知器件允许的结温为——TJ
环境温度为——Ta，
可以按下式求出允许最大总热阻RtH。
RtH ≤(Tj-Ta)/Pd

              图15
  以PAPD85035-E为例估算 最大工艺（外部）总热阻 与  最大开路发射电流   

PAPD85035-E热性能的主要参数：
1.1 Maximum ratings
1.2 Thermal data
Table 2. Absolute maximum ratings (TCASE = 25°C)
Symbol Parameter Value Unit
V(BR)DSS Drain-source voltage 40 V
VGS Gate-source voltage -0.5 to +15 V
ID Drain current 8 A
PDISS Power dissipation (@ TC = 70°C) 95 W–最大耗散功率
TJ Max. operating junction temperature 165 °C–结温
TSTG Storage temperature -65 to +150 °C
Table 3. Thermal data
Symbol Parameter Value Unit
RthJC Junction - case thermal resistance 1.0 °C/W–热阻

PAPD85035-E允许最大总热阻RtH
PDISS Power dissipation (@ TC = 70°C) 95 W–最大耗散功率（PD)
TJ Max. operating junction temperature 165 °C–结温(TJ)
RthJC Junction - case thermal resistance 1.0 °C/W–热阻(RthJC)
TCASE = +25 oC环境温度为——Ta
RtH =(Tj-Ta)/Pd=(165-25)/95= 1.473684211°C/W
允许最大总的热阻RtH =Rthjc+Rtx+RtL+RtZ。
RthJC已知为——1.0 °C/W
允许最大工艺（外部）总热阻RtM=Rtx+RtL+RtZ
RtM= RtH-Rthjc=1.473684211-1=0. 473684211°C/W
也就是说： PAPD85035-E这个功率器件，当耗散功率达到95W时。
最大工艺（外部）总热阻不能大于—— 0. 473684211°C/W
也可以说最大工艺（外部）总热阻已定那开路发射电流不能大于——耗散功率达到95W/供电13.6V=6.98529A
2， 推动管选型
PA（功率放大器）确定好后，推动管就好选取了，一般PA厂家都有推荐对应的型号，如果没有也是根据PA提供的放大增益与要求的推动功率来定。
 根据PA的放大增益
如RD07的放大增益：13db，（实际工作可达到13db，可按11db来评估）我们要求输出为37dbm，考虑天线低通的插耗与饱和功率的余量，这样PA输出最好要达到38dbm。
这样：38-11=27dbm，推动至少要达到27dbm以上。
为保证有余量一般选通输出30dbm的推动管子就可以满足了。
 根据PA要求的推动功率来定——也需要0.8W-1W的管子来推动它。

                    图16

 RD01厂家推荐对应的型号为——RD01管子（可输出1W功率）。
RD01MUS2B
FEATURES
1.High Power Gain and High Efficiency
Pout>1.0W, Gp=15dB, Drain Effi. =70%typ
@ f=527MHz, V DS =7.2V, Idq=40mA, Pin=30mW

                     图17

RD01R 推动管最好要100mw（20dbm）
3， 预推动管的选型
同样：推动级确定后，根据推动管的要求选取合适的预推动管。
根据推动管输入要求，只要预推动管可输出100mw以上就好了。
早期我们一般采用的是2sc4988，现这个晶体管已停产了。
下图为根据总输出功率要求，各级间的增益分配图示也可以得出预推动管输出20dbm以上，增益17db以上可以满足要求了。
早期的对讲机，vco输出达不到0dbm（-3dbm左右）以，所以在预推动放大级前还加了一级缓冲放大（共4级），以保证整个链路的增益要求与链路的稳定可靠。
Vco振荡电路——振荡产生信号幅度是很低的，稳定性与带负载能很差。一般振荡电路产生的信号要经过一级隔离放大与缓冲放大后，再输出给发射链路与接收的混频器。
后期的数字对讲机采用将“隔离放大与缓冲放大”合成一起的单芯片，增加了稳定性与带载能力外，输出幅度也可做到0dbm以上。所以发射链路只要以下3级就可以达成输37dbm的功率要求。

                            图18

预推动管——输入信号小，增益可以做到较大，功耗也小。一般采用晶体管就可以满足需要。
推动放大与PA——输入信号大，增益一般不可能做到很大，功耗也比较大。一般为CMOS管。