Sdram的初始化

   寄存器设置

    BWSCON

    使能sdram时，BWSCON=(1<<24) | (1<<28) =  0x22000000                        

 

        BANKCONn

       Bank0 ~ Bank5 控制寄存器设置 ,由于设置的是内存。所以这五个寄存器默认状态就行  0x00000700       

        Bank6 ~ Bank7  0x18001

        当 MT 类型设置为 ROM 或 SRAM 时 , 即 [ 16:15 ] 取 00 值 , 需要设置 [ 14 : 0 ] 位 ; 当 MT 类型设置为 SDRAM 时 , 即 [16:15] 取 11 值 , 只需要设置 [ 3 : 0 ] 位 即可 ; 2440 芯片 使用的是 SDRAM , 这里只需要设置 [ 3 : 0 ] 位 即可 , 此时 [ 14 : 4 ] 位 全部取值 0 ;

 

MT设置：[16：15]表示存储器类型，这里是sdram，取值为 11

Trcd 设置 : [ 3 : 2 ] 表示的是 行列地址选择 信号的转换延时 , 00 代表 2 个时钟 , 01 代表 3 个时钟 , 10 代表 4 个时钟 , 该值在 时序图中明确指出 , Trcd 取值 是 2 个时钟 , 这里设置该值为 00 ;

SCAN 域设置 : [ 1 : 0 ] 位 设置 , 表示 列地址 数目 , 00 表示 8 位 , 01 表示 9 位 , 10 表示 10 位 ; 行地址 和 列地址 信息需要去查询 SRAM 内存芯片文档 EM63A165TS(SDRAM).pdf , 其中可以查到         Column Address : A0 ~ A8 , 有 9列 , 该 SCAN 域 取值为 01 ;

BANK控制寄存器的取值：MT = 11，[14 : 4] = 0, Trcd = 0, SCAN = 01,整合为0b1100000000000001,转换成十六进制   0x18001

 

REFRESH  刷新控制寄存器

管理 SRAM 刷新 , SRAM 工作原理是需要不断的定期的进行刷新 

1.REFEN 域 ( Refresh Enable ) : [ 23 ] 位 ; 设置 SDRAM 是否需要刷新 ; 0 = 不刷新 , 1 = 刷新 ; 这里选择 1 , 要进行刷新 ;

2.TREFMD 域 ( Refresh Mod ) : [ 22 ] 位 ; 设置 SDRAM 的刷新模式 ; 0 = CBR/Auto Refresh 自动刷新 , 1 = Self Refresh 自己刷新 ; 这里我们选择 0 自动刷新 ;

3.Trp 域 : [ 21 : 20 ] 位 ; 设置 SDRAM 的准备充电时间 ; 00 = 2 个时钟 , 01 = 3 个时钟 ; 10 = 4 个时钟 , 11 = 不准备充电 ; 翻到 205 页 的时序图中 , 可以看到 Trp 预充电时间是 2 个时钟 , 这里设置 00 即可 ;

4.Tsrc 域 : [ 19 : 18 ] 位 ; 设置 一行 需要 刷新的时间 ; 该值通常是 7 个时钟 , 这里使用默认值 11 , 代表刷新一行需要 7 个时钟时间 ;

5.不支持的域 : [ 17 : 16 ] 和 [ 15 : 11 ] 位 不支持 , 暂时没有使用 , 前者取值 00 , 后者取值 00000 ;

6.Refresh Counter 域 : [ 10 : 0 ] 位 ; 刷新计数值 , SDRAM 每隔一段时间就需要刷新 , 这个时间间隔由该域进行设定 ;

① 计算公式 : 刷新时间 与 刷新计数 公式 : refresh_period = ( 2^11 - refresh_count + 1 ) / HCLK , HCLK 是提供给内存使用的时钟 , 其内存时钟是核时钟的 1/4 即 100MHz, 推导出 refresh_count = 2 ^ 11 + 1 - refresh_peroid * HCLK ;

② 计算案例 : 这里文档中给出一个示例 , 如果 refresh_period 为 7.8us , HCLK 为 100MHz , 计算出 refresh_count = 2 ^ 11 + 1 - 100 * 7.8 = 1269 ;

③ 最终取值 : 这里我们取值 1269 , 转为二进制 10011110101 ;

7.SDRAM 刷新控制寄存器取值 : REFEN = 1 ; TREFMD = 0 ; Trp = 00 ; Tsrc = 11 ; 不支持域 [ 17 : 11 ] = 00 00000 ; Refresh Counter = 10011110101 ; 整合为 0b100011000000010011110101 , 转为十六进制 0x8C04F5

 

   BANKSIZE (设置bank大小的寄存器)

1.BURST_EN :

① 位数 : 寄存器位数 [ 7 ] ;

② 作用 : 设置 ARM 核 的 突发模式 ( burst operation ) 是否使能 ;

③ 突发模式 : 突发模式 是 访问内存时 , 一次性可以使用 批量数据 , 使用突发模式后 , 可以提高内存访问效率 ;

④ 取值 : 一般情况下 , 打开 突发模式 , 这里设置 1 ;

2.Reserved : 寄存器位数 [ 6 ] , 没有使用该位 ; 使用默认值 0 ;

3.SCKE_EN : 寄存器位数 [ 5 ] ; 是否使用节电模式 ; 0 = 不使用 , 1 = 使用 ; 这里 我们 设置 1 , 打开节电模式 ;

4.SCLK_EN : : 寄存器位数 [ 4 ] ; 这里文档中推荐设置成 1 , 直接设置 1 即可 ;

5.Reserved : 寄存器位数 [ 3 ] , 没有使用该位 ; 使用默认值 0 ;

6.BK76MAP : 寄存器位数 [ 2 : 0 ] ; 设置 BANK 6 / 7 容量大小 , 之前讲到过 内存芯片 与 硬件的连接方式是 两块 32M 的内存连接 , 形成 64 M 容量 , 这里设置 001 代表其 容量是 64MB ;

7.寄存器值 : BURST_EN [ 7 ] = 1 ; Reserved [ 6 ] = 0 ; SCKE_EN [ 5 ] = 1 ; SCLK_EN [ 4 ] = 1 ; Reserved [ 3 ] = 0 ; BK76MAP [ 2 : 0 ] = 001 ; 其二进制值为 0b10110001 , 转为 16 进制 为 0xB1 ;

 

  MRSR 设置bank模式的寄存器

         BANK6 和 BANK7 分别对应一个寄存器 MRSRB6 和 MRSRB7

 

1.CL : 寄存器位 [ 8 : 7 ] ; 设置 CAS 潜伏期 ; 在下面 时序图 中 , 找到 CAS 信号 , 潜伏期指的是 RAS 变为低电平 到 CAS 变为 低电平 之间的时钟 , 在 时序图中可以看到 这期间 持续了 3 个时钟 ; 因此 这里 取 011 值 , 代表 3 个时钟 ;

2.其它域设置 : 该寄存器的 TM , BT , BL 域 的 值是固定的 , 文档中已经写了 Fixed , 因此不用设置 , 该寄存器只需要设置 CL 即可 ;

3.寄存器取值 : Reserved [ 11 : 10 ] = 00 ; WBL [ 9 ] = 0; TM [ 8 : 7 ] = 00 ; CL[ 6 : 4 ] = 011 ; BT [ 3 ] = 0; BL [ 2 : 0 ] = 000 ; 最终二进制值为 0b000000110000 , 转为 16 进制为 0x30 ;