MOS管开关的判断及使用

在日常的电路设计过程中，MOS管开关是比不可少的东西，常见的有N沟道和P沟道两种MOS管开关。那该如何分辨和正确使用它们，首先看看定义：

P沟道MOS管开关电路

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

N沟道mos管开关电路

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

读完表示很头疼，说白了就是P沟道适合小功率，N沟道适大功率，都是电压控制器件，在高或者低电平时导通，具体怎么的呢，直接上图：

P沟道和N沟道MOS管开关电路连接方法

 

如图所示：

左图是P沟道MOS开关，箭头指向外面，接法为：S接输入；D接输出；G为控制端，低电平时导通

右图是N沟道MOS开关，箭头指向里面，接法为：D接输入；S接输出；G为控制端，高电平时导通

G为栅极、D为漏极、S为源极

最后，祝大家生活愉快，有问题可以咨询我。