TMS320C6455入门实践（八）——Flash驱动与程序固化

本文主要介绍Flash驱动、C6455的EMIF接口与程序固化，参考文档为：

• SPRU971E - TMS320C645x DSP External Memory Interface (EMIF) User’s Guide
• S29JL064J 64-Mb (8M × 8-Bit/4M × 16-Bit), 3V, Simultaneous Read/Write Flash

Flash 驱动

  Flash的驱动程序肯定要根据具体的Flash型号来写（废话），但大体上应该都差不多。我们用的是Cypress的Flash S29JL064J，目前Cypress已经被infineon收购。
  这是一款总容量64Mbit的Flash，数据位宽可以配置为8bit或者16bit，C6455要求从EMIF启动时，存储器的数据位宽为8bit。Flash的引脚排布、电气特性等只和电路设计时有关。写驱动程序只要关注它的一些操作命令就好了。主要内容都集中在Datasheet的第十章和第十一章。

Flash 命令

第十章末尾有这样一张表，总结了不同指令的发送方式。有一些地方需要注意一下。

• Reset指令是往任意地址写0xF0，这个在退出Auto Select模式，或者清除命令超时错误（DQ5）时需要用到。
• 在Auto Select模式下可以读取Flash的生产厂商ID、DeviceID。需要先往指定的地址写入指定的数据，然后才能在相应的位置读到这些信息。就是如果刚写完就立刻读好像读不到正确的数据，需要稍微等一会儿才行。我在程序中没有另外加延时，而是在往对应地址依次写入0xAA、0x55、0x90后，连续在（BA）X00地址读了两遍，第二次读到的才是当作真正的生产厂商ID，后面再去读DeviceID就没有这样的问题了。
• Secured Silicon Region是一块独立于Flash本身存储空间的一块区域，可以用于存放Electronic Serial Number（ESN），用于永久地唯一识别这一器件。我们基本用不到。
• 基本的Program指令比较麻烦，要写一个字节就需要写四次。用Unlock Bypass的模式就可以将写一个字节缩短到写两次。开启Unlock Bypass后如果写完了要用Unlock Bypass Reset来退出这种模式。
• Erase的指令有两种，一种是整块芯片都擦除，一种是只擦除一个Sector。Flash想要重新编程就要先擦除，擦除是把整块区域都写“1”的过程，往Flash写入只能把“1”改成“0”，而不能把“0”改成“1”。Flash的擦除需要一定时间，编程中需要采用一定方式对擦除结果进行确认，S29JL064J的写入与擦除所需时间如下表所示：
  
    在擦除单个Sector时，注意Sector的划分，S29JL064J的部分Sector是8k字节的，而其他大部分是64k字节的。
• 最后还有Erase Suspend和Erase Resume的功能，就是暂停擦除和继续擦除；CFI Query也用的不多，大家感兴趣可以自行查阅。

状态检测

  Flash Datasheet的第十一章就是介绍如何确定当前Flash的状态。

• DQ7可以用来查询是否写入或者擦除完成。如果我知道某个地址存的数据应该是什么，然后我就去读那个地址，如果读到的数据的第7位（DQ7）和实际数据不符，那就说明写入或者擦除还未完成，这个就常用在数据写入的时候。
• DQ2和DQ6主要用来指示Flash的擦除状态。这两位都会有一个“翻转”的机制。如果Flash正在擦除某一块Sector，那么连续两次读其中的一个地址上的数据，两次读到的数据总这两位是不一样的。而如果一块Sector处于暂停擦除的状态，那么连续两次读到的数据中，DQ2是会变化的，但DQ6不会变化。
• DQ5也很重要，它指示写入或者擦除超时。如果DQ5变为“1”，就要用Reset命令复位。

EMIF

  EMIF的异步存储器接口在SPRU971E的第四章有详细的介绍。EMIF每一个CE都对应有一个配置寄存器CEnCFG，如果是异步接口还有一个异步等待周期配置寄存器需要关注，所以在配置上是非常简单的，关键是参数怎样设置。

读时序

  上图是EMIF的异步读时序，分为Setup、Strobe和Hold三个阶段，在AOE的上升沿对数据进行采样。我们需要根据Flash的时序要求明确这三个阶段需要设置为几个时钟周期。
  EMIF的时钟是主频的1/3，我们没有有PLL1进行配置，因此主频是外部晶振的频率50MHz，周期20ns，所以EMIF时钟的周期为60ns。

  再看Flash的时序图，主要信息是，在OE或者CE有效后，最多70ns，输出数据就有效了（我们的芯片速度等级是70）。所以我们可以把EMIF的Setup设置成2个EMIF的时钟周期，也就是120ns，那时候Flash的数据肯定有效了。
  Strobe的时间没有什么特殊的要求。
  Hold的时间留一个周期肯定也够了。对于Flash来说，如果地址撤销，那么输出信号就无效了。设置一个周期的Hold，也就是CE和地址都会在OE无效（变高）之后再保持60ns，这段时间内数据都是稳定的，基本能保证采到正确的数据。

写时序

  关于Flash的写时序也是类似的，这时候数据在WE的下降沿被采样写入FLASH，S29JL064J对数据的建立时间要求并不高，但要求的保持时间最大为40ns，也就是为了稳妥起见，在WE下降沿之后再让数据至少稳定保持40ns。

CSL的使用

  EMIF的使能是在PERCFG1寄存器中，这个寄存器不需要Unlock就可以改写。
  同样，CSL_emifaInit()没有实际作用。CSL_emifaOpen()获取EMIF配置寄存器的基地址。最后调用CSL_emifaHwSetup()，利用相关的结构体完成配置即可。

其他

• 在文章（六）中提到的那个“.lst”文件，可以用来查看汇编后的机器码，可以将那里面的机器码和hex文件或者code.h文件进行比对，生成的code.h文件是否正确。如果固化不成功，建议先检查Flash读写访问是否能够正常进行；再对Boot Table和bootloader进行检查。
• 相关工程文件下载链接
• 后续计划实现从Flash启动程序并加载到DDR2上运行……