MOSFET的主要参数

1. 直流参数

开启电压【$V_{TN}$】

使漏源电压为某一固定值，不断增大栅源电压，使$i_D$逐渐增大至某一微小电流时的电压即为开启电压。因为当栅源电压小于开启电压时，电流过小，可以认为漏源之间没有导通。

增强型FET的参数

夹断电压【$V_{PN}$】

使漏源电压为某一固定值，不断增大栅源电压，使$i_D$逐渐减小至某一微小电流时的电压即为夹断电压。因为当栅源电压大于夹断电压时，电流过小，可以认为漏源之间没有导通。

耗尽型FET的参数。

饱和漏极电流【 $I_{DSS}$】

在栅源电压等于0，漏源电压大于夹断电压的情况下的漏极电流称为饱和漏极电流。

耗尽型FET的参数

直流输入电阻【$R_{GS}$】

2. 交流参数

输出电阻【$r_{ds}$】

物理意义：说明漏源电压对漏极电流的影响

输出特性曲线上斜率的倒数

$$r_{ds}=$$

低频互导【$g_m$】

转移特性曲线上的导数

$$g_m=2K_n(v_{GS}-V_{TN})$$

3. 极限参数

最大漏极电流【$I_{DM}$】

物理意义：管子正常工作时漏极电流允许的上限值。

最大耗散功率【$P_{DM}$】

FET的耗散功率等于漏源电压乘以$i_D$

最大漏源电压【$V_{(BR)DS}$】

最大栅源电压【$V_{(BR)GS}$】

4. 其他

沟道长度调制参数【$\lambda$】

$$\lambda =\frac{1}{k}$$

电导常数【$K_n$】