RRAM 蕴含逻辑运算IMP

布尔逻辑运算： 与 或 非（三者构成一个完备集）
实质蕴涵逻辑 与 False构成一个完备集
2010年，HP在nature上提出了使用忆阻器替代现存的CMOS电平逻辑运算。
忆阻器结构：Pt/Ti/TiO2/Pt -->IMP
IMP简介： 若p,则q；

以如果下雨，则不出门（A=>B）的例子进行理解。
下雨，不出门 ；正确
下雨， 出门 ；错误
如果不下雨，出不出门均可，即都正确；

RRAM中的蕴含逻辑

上图为最基本逻辑运算电路单元，阵列中并联两个忆阻器（P,Q），然后串联一接地电阻(RG)。R(CLOSE)和R(OPEN)分别为忆阻器的LRS和HRS，阻值关系满足：R(CLOSE)<<RG<<R(OPEN)。
将两个待操作的逻辑变量写入忆阻器P和Q，分别用逻辑变量p和q代表忆阻器P和忆阻器Q的电阻状态。同时施加控制脉冲VCOND和VSet给忆阻器P和Q，实现蕴涵操作q’<–p IMP q;(详见导论324)