工艺角 PVT OCV SSTA

本文只是一个笔记，大量借鉴了一篇文章，在CSDN、百度文库等网站都有介绍，由于不知道真正源头，就不贴借鉴了。

Process       

通常提到的工艺角有5种：TT、FF、SS、FS、SF。其中T指Typical，F 指Fast，S指Slow，两个字母分别代表NMOS管和PMOS管的驱动电流，如FS指NMOS管为驱动电流为最大值，PMOS管驱动电流为最小值，此时下拉较快 。 我们将SS、TT、FF分别指左下角、中心、右上角corner。

PVT

除了process外，设计一般还需要考虑驱动电压Voltage和温度Temperature，合称为PVT，电压根据工艺的不同并不一致，这里不在赘述，后面会举例说明。温度一般有-40、0、25、125℃等选项。

STA

常用的静态时序分析（STA，Static timing analysis）条件有：

        WCS (Worst Case Slow) : slow process, high temperature, lowest voltage

        TYP (typical) : typical process, nominal temperature,nominal voltage

        BCF (Best Case Fast ) : fast process, lowest temperature, high voltage

        WCL (Worst Case @ Cold) : slow process, lowest temperature, lowest voltage

在进行功耗分析时，还有两种组合：        

        ML (Maximal Leakage ) : fast process, high temperature, high voltage

        TL (typical Leakage ) : typical process, high temperature, nominal voltage

此外，还有一种在考虑噪声（noise）和串扰（crosstalk）时用到的组合条件，称为 Scenarios:

        Scenarios = Interconnect + operation mode + PVT

这种组合将内连线情况（interconnect）和工作模式（operation model）加入了STA分析，内连线情况指制造对互联线的影响，有R_typical C_typical, R_max C_max, R_max C_min, R_min C_min几种情况，工作模式有unction mode, scan mode, sleep mode, standby mode, active mode。

       同时对多种scenarios的综合分析，被称为MMMC（Multi-mode Multi-coner）analysis，MCMM表示设计工具同时针对所有mode和corner的所有设计指标进行优化，这种分析应用于mode和corner多达数百种的高级设计中。

OCV

        片上差异（On-chip Variations）是指同一设计在制作成多块芯片后由于制作过程、材料等因素出现差异，这些差异主要体现在：

1，IR Drop造成局部不同的供电的差异；

2，晶体管阈值电压的差异；

3，晶体管沟道长度的差异；

4，局部热点形成的温度系数的差异；

5，互连线不同引起的电阻电容的差异。

        由于OCV带来的问题，在设计时就需要更加严格的约束条件，以保证制成的芯片可供使用。因此引入了新的STA分析方法：

1，单一模式, 用同一条件分析setup/hold ;

2，WC_BC模式, 用worst case计算setup，用best case计算hold；

3，OCV模式, 计算setup 用计算worst case数据路径，用best case计算时钟路径；计算hold 用best case计算数据路径，用worst case计算时钟路径；

        通过以上的分析方法比较，可以看出是越来越悲观的，第三种方法在不同的路径上都选择了最坏的情况，尽管这种情况理论上不可能同时发生。

SSTA

        统计静态时序分析 (Statistical Static timing analysis)，由于OCV的影响，芯片的参数并不是一个固定值，而是一个呈统计分布的局部参数。如果提供的库是基于局部参数差异统计建立起来的，在进行基于OCV模型的静态时序分析时，就无需OCV参数的设定。同理，互连线的差异也是如此 。

        基于这样的观点，同一时序路径可能存在不同种情况的组合，而且每种情况的参数都是呈统计学分布，组合的计算将不是单纯的相加差，而是需要相关性分析与统计学计算。统计方法的引入，改变了传统静态时序分析悲观且不实际的做法。

        SSTA需要大量的统计数据级计算 ，运行时间可能更长，但能够以更切实可行的方式为设计提供收尾工作。

实际使用的一个例子：

        我用的28nm的工艺库中带有的lib只有tt ff ss 三种，或者说我只找到了这三种，其他的我没有看到。 然后WCS分析时，我发现-40比 125℃的情况更差。

这里简单贴一张图介绍下命名，tcbn是台积电的库，28指28nm的工艺，

hpc 是 High Performance Compact 的缩写

12t指12track，40p140指poly的L尺寸=40nm，poly到poly为140nm

tt、ss指的就是工艺角了

0p8v 指电压为 0.8v，p指point 小数点。

125c、m40c分别指125度 和-40度，m为负minus

详细介绍可以看知乎上的一个介绍